公开(公告)号：DE112018004697T5

公开(公告)日：2020-06-25

申请号：DE112018004697

申请日：2018-08-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MATALN MARIANNE ,  NELHIEBEL MICHAEL ,  PELZER RAINER ,  WEIDGANS BERNHARD

IPC: H01L23/00 ,  B81B3/00 ,  H01L23/58

Abstract: Ein Halbleiterbauelement enthält ein Substrat, eine strukturierte Zwischenschicht auf dem Substrat und mit definierte Rändern, und eine strukturierte Metallisierung auf der strukturierten Zwischenschicht und ebenfalls mit definierten Rändern. Jeder definierte Rand der strukturierten Zwischenschicht ist zu einem der definierten Ränder der strukturierten Metallisierung benachbart und verläuft in dieselbe Richtung wie der benachbarte definierte Rand der strukturierten Metallisierung. Jeder definierte Rand der strukturierten Zwischenschicht erstreckt sich um zumindest 0,5 Mikrometer über den benachbarten definierten Rand der strukturierten Metallisierung hinaus, so dass jeder definierte Rand der strukturierten Metallisierung endet, bevor er den benachbarten definierten Rand der strukturierten Zwischenschicht erreicht. Die strukturierte Zwischenschicht weist bei Raumtemperatur eine Druckeigenspannung auf.

公开(公告)号：DE102012111831A1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：DE102012111831

申请日：2012-12-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DETZEL THOMAS ,  GROSS JOHANN ,  ILLING ROBERT ,  KRUG MAXIMILIAN ,  LANZERSTORFER SVEN GUSTAV ,  NELHIEBEL MICHAEL ,  ROBL WERNER ,  ROGALLI MICHAEL ,  WOEHLERT STEFAN

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L27/04

Abstract: Eine integrierte Schaltung umfasst ein Basiselement (1) und ein Kupferelement (2) über dem Basiselement (1), wobei das Kupferelement (2) eine Dicke von wenigstens 5 µm hat und ein Verhältnis einer mittleren Korngröße zur Dicke kleiner als 0,7 ist.

公开(公告)号：DE102014109489B4

公开(公告)日：2020-10-01

申请号：DE102014109489

申请日：2014-07-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WÖHLERT STEFAN ,  NELHIEBEL MICHAEL ,  RÖHL SIEGFRIED

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/373 ,  H01L23/482 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/05

Abstract: Leistungs-Halbleitervorrichtung (190, 195) umfassend:einen Halbleiterkörper (100), wobei aktive Bereiche der Leistungs-Halbleitervorrichtung in dem Halbleiterkörper gebildet sind, undein elektrisch leitendes Element (200), das elektrisch mit mindestens einem aktiven Bereich im Halbleiterkörper (100) verbunden ist, wobei das elektrisch leitende Element (200) folgendes umfasst:ein elektrisch leitendes Material (210) undeine Vielzahl von Einschlüssen (220) eines Phasenänderungsmaterials, das eine Phasenübergangstemperatur Tc zwischen 150°C und 400°C hat,wobei die Einschlüsse (220) voneinander getrennt und in das elektrisch leitende Material (210) eingebettet sind.

公开(公告)号：DE102013103378B4

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：DE102013103378

申请日：2013-04-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MATOY KURT ,  DETZEL THOMAS ,  NELHIEBEL MICHAEL ,  ZECHMANN ARNO ,  DECKER STEFAN ,  ILLING ROBERT ,  LANZERSTORFER SVEN GUSTAV ,  DJELASSI CHRISTIAN ,  AUER BERNHARD ,  WÖHLERT STEFAN

IPC: H01L27/10 ,  H01L23/522

Abstract: Integrierte Schaltung, umfassend: Leistungstransistorzellen, die in einem Zellarray gebildet sind, eine Metallstruktur, die über dem Zellarray gebildet ist, und eine Verbindungsleitung (800, 812, 813, 830), die elektrisch ein erstes Element (901), das in dem Zellarray angeordnet ist, und ein zweites Element (902), das außerhalb des Zellarrays angeordnet ist, verbindet, wobei ein Verbindungsleitungsteil zwischen der Metallstruktur und dem Zellarray angeordnet ist und dieser Verbindungsleitungsteil zwischen einer ersten Achse (891) und einer zweiten Achse (892) verläuft, welche parallel und in einem Abstand zueinander angeordnet sind, und wobei der Abstand größer ist als eine Breite des Verbindungsleitungsteiles und der Verbindungsleitungsteil tangential zu der ersten Achse und der zweiten Achse ist.

公开(公告)号：DE102014109489A1

公开(公告)日：2016-01-14

申请号：DE102014109489

申请日：2014-07-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WÖHLERT STEFAN ,  NELHIEBEL MICHAEL ,  RÖHL SIEGFRIED

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/532 ,  H01L23/482 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/05

Abstract: Ein elektrisch leitendes Element (200) umfasst ein elektrisch leitendes Material (210) und eine Vielzahl von Einschlüssen (220) eines Phasenänderungsmaterials. Das Phasenänderungsmaterial hat eine Phasenübergangstemperatur (Tc) zwischen 150°C und 400°C. Die Einschlüsse (220) sind voneinander getrennt und in das elektrisch leitende Material (210) eingebettet.

公开(公告)号：DE102021116654A1

公开(公告)日：2021-12-30

申请号：DE102021116654

申请日：2021-06-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DE GASPERI SERGIO ,  BASCHIROTTO ANDREA ,  HAERLE DIETER ,  NELHIEBEL MICHAEL ,  MAYER ALEXANDER

IPC: G01R31/26 ,  G01R19/00 ,  G01R31/327

Abstract: Bei einigen Beispielen weist eine Vorrichtung (100) eine Leistungsstruktur (150) und eine Erfassungsstruktur (110) auf, die von der Leistungsstruktur (150) elektrisch isoliert ist. Die Vorrichtung (100) weist auch eine Verarbeitungsschaltung (160) auf, die konfiguriert ist zum Ermitteln, ob die Erfassungsstruktur (110) einen prognostischen Gesundheitszustandsindikator aufweist, wobei der prognostische Gesundheitszustandsindikator einen Gesundheitszustand der Leistungsstruktur (150) anzeigt.

公开(公告)号：DE102012111831B4

公开(公告)日：2019-08-14

申请号：DE102012111831

申请日：2012-12-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DETZEL THOMAS ,  GROSS JOHANN ,  ILLING ROBERT ,  KRUG MAXIMILIAN ,  LANZERSTORFER SVEN GUSTAV ,  NELHIEBEL MICHAEL ,  ROBL WERNER ,  ROGALLI MICHAEL ,  WÖHLERT STEFAN

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L27/04

Abstract: Integrierte Schaltung, umfassend:ein Basiselement (6) mit einer Vielzahl von Komponenten elektronischer Schaltungen in einem Oberflächenbereich eines Halbleitersubstrats (1) undein Kupferelement (2) aufweisend Kupferkörner (2a) über dem Basiselement (6),wobei das Kupferelement (2) eine Dicke von wenigstens 5 pm hat und das Verhältnis der mittleren Korngröße der Kupferkörner (2a) des Kupferelements (2) zur Dicke des Kupferelements (2) kleiner als 0,7 ist, undwobei der Modalwert der Korngrößenverteilung der Kupferkörner (2a) des Kupferelements (2) größer als 2 pm und kleiner als 5 pm ist.

公开(公告)号：DE102014106825B4

公开(公告)日：2019-06-27

申请号：DE102014106825

申请日：2014-05-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DECKER STEFAN ,  ILLING ROBERT ,  NELHIEBEL MICHAEL

IPC: H01L23/62 ,  H01L29/78

Abstract: Halbleitervorrichtung (100), umfassend einen Halbleiterkörper (200), der eine erste Oberfläche (201) und eine zweite Oberfläche (202) entgegengesetzt zu der ersten Oberfläche (201)) hat, wobei der Halbleiterkörper (200) aufweist:eine Laststromkomponente (300) mit einem Laststromtransistorgebiet (310) undeine Sensorkomponente (400) mit einem Sensortransistorgebiet (410), wobei das Sensortransistorgebiet (410) erste und dritte Transistorgebietsteile (150, 470) aufweist, die von einem zweiten Transistorgebietsteil (460) zwischen den ersten und dritten Transistorgebietsteilen (450, 470) um ein Sensortransistorgebietselement (480) verschieden sind, das in dem zweiten Transistorgebietsteil (460) abwesend ist, wobei das abwesende Sensortransistorgebietselement (480) elektrisch den zweiten Transistorgebietsteil (460) von einer Parallelverbindung der ersten und dritten Transistorgebietsteile (450, 470) trennt, wobei jeder des ersten, zweiten und dritten Transistorgebietsteils (450, 460, 470) eine Bodyzone (420) umfasst.

公开(公告)号：DE102014106825A1

公开(公告)日：2015-11-19

申请号：DE102014106825

申请日：2014-05-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DECKER STEFAN ,  ILLING ROBERT ,  NELHIEBEL MICHAEL

IPC: H01L23/62

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst einen Halbleiterkörper mit einer ersten Oberfläche und einer zweiten Oberfläche entgegengesetzt zu der ersten Oberfläche. Der Halbleiterkörper umfasst eine Laststromkomponente mit einem Laststromtransistorgebiet und eine Sensorkomponente mit einem Sensortransistorgebiet. Das Sensortransistorgebiet umfasst erste und dritte Transistorgebietsteile, die von einem zweiten Transistorgebietsteil zwischen den ersten und dritten Transistorgebietsteilen um ein Sensortransistorgebietselement verschieden sind, das in dem zweiten Transistorgebietsteil abwesend ist. Das abwesende Sensortransistorgebietselement trennt elektrisch den zweiten Transistorgebietsteil von einer Parallelverbindung der ersten und dritten Transistorgebietsteile.

公开(公告)号：DE102014113193A1

公开(公告)日：2015-03-19

申请号：DE102014113193

申请日：2014-09-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FANIC PETAR ,  NELHIEBEL MICHAEL ,  OSTERLOH ACHIM ,  ZAGAR BERNHARD

IPC: G01R31/28 ,  G01R33/09

Abstract: Eine Prüfvorrichtung zum Prüfen von elektrischen Leitern enthält eine Sonde, die dazu ausgeführt ist, ein Magnetfeld, das durch Strom in einem elektrischen Leiter oder mehreren elektrischen Leitern eines Prüfobjekts verursacht wird, zu messen. Ein Ausgabegenerator ist dazu ausgeführt, Ausgabedaten zu generieren, wobei die Ausgabedaten vom gemessenen Magnetfeld abhängen.