公开(公告)号：DE102007003812A1

公开(公告)日：2008-08-07

申请号：DE102007003812

申请日：2007-01-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FOERSTER CHRISTIAN ,  EHRENTRAUT GEORG ,  PFIRSCH FRANK ,  RAKER THOMAS

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739

Abstract: A semiconductor device having a trench gate and method for manufacturing is disclosed. One embodiment includes a first semiconductor area and a second semiconductor area, a semiconductor body area between the first semiconductor area and the second semiconductor area, and a gate arranged in a trench and separated from the semiconductor body by an insulation layer, wherein the trench has a top trench portion which extends from the semiconductor surface at least to a depth which is greater than a depth of the first semiconductor area, wherein the trench further has a bottom trench portion extending subsequent to the top trench portion at least up to the second semiconductor area, and wherein the top trench portion has a first lateral dimension and the bottom trench portion has a second lateral dimension which is greater than the first lateral dimension.

公开(公告)号：DE102007003812B4

公开(公告)日：2011-11-17

申请号：DE102007003812

申请日：2007-01-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FOERSTER CHRISTIAN ,  EHRENTRAUT GEORG ,  PFIRSCH FRANK ,  RAKER THOMAS

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739

Abstract: Halbleiterbauelement mit folgenden Merkmalen: einem ersten Halbleitergebiet (4) und einem zweiten Halbleitergebiet (2); einem Halbleiter-Bodygebiet (3) zwischen dem ersten Halbleitergebiet (4) und dem zweiten Halbleitergebiet (2), wobei eine Dotiercharakteristik (p) des Halbleiter-Bodygebiets entgegengesetzt zu einer Dotiercharakteristik (n) des ersten Halbleitergebiets (4) und des zweiten Halbleitergebiets (2) ist; zumindest zwei benachbarten Gräben (5), die sich benachbart zum Halbleiter-Bodygebiet (3) von der Halbleiteroberfläche zumindest bis zu dem zweiten Halbleitergebiet (2) erstrecken; wobei in jedem Graben (5) ein Gate (7) angeordnet ist, das von dem Halbleiterkörper durch eine Isolationsschicht (6) getrennt ist, wobei jeder Graben (5) einen oberen Grabenteil (5a) aufweist, der sich von der Halbleiteroberfläche zumindest bis zu einer Tiefe, die größer als eine Tiefe des ersten Halbleitergebiets (4) ist, erstreckt, wobei jeder Graben (5) ferner einen unteren Grabenteil (5b, 30) aufweist, der sich anschließend an den oberen Grabenteil (5a) zumindest bis zu dem zweiten Halbleitergebiet (2) erstreckt,...