-
公开(公告)号：JP2006261682A
公开(公告)日：2006-09-28
申请号：JP2006076159
申请日：2006-03-20
Applicant: Infineon Technologies Ag , インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト
Inventor： BODANO EMANUELE , LENZ MICHAEL
CPC classification number: H05B33/0815 , H05B33/0818 , H05B33/0884
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To operate one light emitting diode and at least another light emitting diode simultaneously, at high efficiency. SOLUTION: The circuit comprises a first switch device (Sw_1) which switches the operating current (Id_1) so that a first light emitting diode (D_1) emits light with a first set brightness, a second switch device (Sw_2) which switches the operating current (Id_2) so that a second light emitting diode (D_2) emits light with a second set brightness, and a logic circuit (1) for driving the switching device (Sw_1, Sw_2). The logic circuit (1) dose not switch on each operating current of the light emitting diodes (D_1, D_2) simultaneously, nor keep switching on simultaneously. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
Abstract translation: 要解决的问题：以高效率同时操作一个发光二极管和至少另一个发光二极管。 解决方案：电路包括第一开关器件（Sw_1），其切换工作电流（Id_1），使得第一发光二极管（D_1）以第一设定亮度发光;第二开关器件（Sw_2），其切换 工作电流（Id_2），使得第二发光二极管（D_2）以第二设定亮度发光，以及用于驱动开关器件（Sw_1，Sw_2）的逻辑电路（1）。 逻辑电路（1）不能同时接通发光二极管（D_1，D_2）的每个工作电流，也不会同时开启。 版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI
-
公开(公告)号：DE102017126058A1
公开(公告)日：2018-06-14
申请号：DE102017126058
申请日：2017-11-08
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： PIDUTTI ALBINO , GADLER DAMIANO , GIETLER HERBERT , KILIC YAVUZ , LENZ MICHAEL , PACHNIS IOANNIS
Abstract: Hierin wird ein Gleichrichter beschrieben. Gemäß einem Beispiel enthält der Gleichrichter ein Halbleitersubstrat, und er enthält weiterhin ein Anodenterminal und ein Kathodenterminal, die durch einen Laststrompfad eines ersten MOS-Transistors und eine zu einem Laststrompfad parallel geschaltete Diode verbunden sind. Eine Eingangswechselspannung ist operabel zwischen das Anodenterminal und das Kathodenterminal angelegt. Der Gleichrichter enthält weiterhin eine Steuerschaltung, die dazu ausgebildet ist, den ersten MOS-Transistor für eine Ein-Zeitperiode, während der die Diode in Vorwärtsrichtung vorgespannt ist, einzuschalten. Der erste MOS-Transistor, die Diode und die Steuerschaltung sind in das Halbleitersubstrat integriert.
-
公开(公告)号：DE102014103624A1
公开(公告)日：2014-10-23
申请号：DE102014103624
申请日：2014-03-17
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： GOESER ROLF-PETER , LENZ MICHAEL , ZEGHERU CRISTIAN
IPC: H01H47/32
Abstract: Eine Schaltungsanordnung umfasst: eine erste Anzahl von Lasten (51–5n), die in Reihe geschaltet sind; eine zweite Anzahl von Ansteuereinheiten (21–2n), wobei jede der zweiten Anzahl von Ansteuereinheiten (21–2n) an wenigstens eine der ersten Anzahl von Lasten (51–5n) gekoppelt ist und dazu ausgebildet ist, einen von einem ersten Betriebszustand und einem zweiten Betriebszustand anzunehmen; und eine Stromquellenschaltung (3), die in Reihe zu der ersten Anzahl von Lasten (51–5n) gekoppelt ist und dazu ausgebildet ist, einen Laststrom (I3) zu steuern.
-
公开(公告)号：DE102006046729B4
公开(公告)日：2008-12-11
申请号：DE102006046729
申请日：2006-10-02
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： LENZ MICHAEL
Abstract: The circuit (10) has a current sensor (5) for providing a current measuring signal (S5) dependent on current (IL) through a load current path. A control circuit (2) provides a clocked control signal (S2) with control cycles having activation and deactivation durations for a switch unit (6) e.g. power transistor. A temperature sensor arrangement (4) has a temperature sensor (42) to determine ambient temperature in an area of the sensor. The arrangement provides a temperature measuring signal (S4) dependent on ambient temperature. The clocked control signal is dependent on the signals (S4, S5). An independent claim is also included for a circuit arrangement comprising a load.
-
公开(公告)号：DE102019104691A1
公开(公告)日：2020-08-27
申请号：DE102019104691
申请日：2019-02-25
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： LENZ MICHAEL , GADLER DAMIANO , PACHNIS IOANNIS , PIDUTTI ALBINO
IPC: H03K17/06
Abstract: Im Folgenden wird eine integrierte Schaltung beschrieben. Gemäß einem Ausführungsbeispiel hat die integrierte Schaltung einen ersten Anschluss und einen zweiten Anschluss und weist einen MOS-Transistor mit einer Steuerelektrode und einem Laststrompfad auf, der dazu ausgebildet ist, einen Laststrompfad zwischen dem ersten Anschluss und dem zweiten Anschluss zu aktivieren und zu deaktivieren. Parallel zu dem Laststrompfad des MOS-Transistors ist eine Diode angeordnet. Die integrierte Schaltung weist weiter eine Detektorschaltung auf, die dazu ausgebildet ist, abhängig von einer Spannung zwischen dem ersten Anschluss und dem zweiten Anschluss ein Steuersignal zu erzeugen. Die integrierte Schaltung weist weiter eine Treiberschaltung mit einem Hauptzweig und einem ersten Feed-Forward-Zweig auf. Der Hauptzweig umfasst Schaltungskomponenten, die dazu ausgebildet sind, nach Maßgabe des Steuersignals eine Steuerspannung für die Steuerelektrode des MOS-Transistors zu erzeugen, und der Feed-Forward-Zweig umfasst Schaltungskomponenten, die dazu ausgebildet sind als Reaktion auf eine Flanke des Steuersignals einen Ladestrom oder, alternativ, einen Entladestrom zu erzeugen, der die Steuerelektrode des MOS-Transistors lädt bzw. entlädt.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102017123880A1
公开(公告)日：2018-04-19
申请号：DE102017123880
申请日：2017-10-13
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： LENZ MICHAEL , GARBOSSA CRISTIAN , PISELLI MARCO
-
公开(公告)号：DE102008023626B4
公开(公告)日：2016-11-10
申请号：DE102008023626
申请日：2008-05-15
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： LENZ MICHAEL
Abstract: Relaissteuerung (500) zur Steuerung eines Erregerstrom eines Relais (300), umfassend: einen ersten Anschluss (501) zur Verbindung mit einer Erregerwicklung (310) des Relais (300), einen zweiten Anschluss (502), zur Verbindung mit einer Abkommutiervorrichtung (400) des Relais (300), wobei die Relaissteuerung (500) dazu ausgebildet ist, beim Bestromen des Relais (300) durch einen Schalter (210, 211, 221) den Erregerstrom durch die Erregerwicklung (310) des Relais (300) derart zu steuern, dass durch die Erregerwicklung (310) zuerst ein Anzugsstrom fließt und nach Ablauf einer Anzugszeit ein Haltestrom fließt, der kleiner ist als der Anzugsstrom, und wobei die Relaissteuerung (500) dazu ausgebildet ist, beim Ausschalten des Relais durch den Schalter (210, 211, 221) einen Abkommutierstrom, der durch die Erregerwicklung (310) fließt, durch den ersten (501) und durch den zweiten Anschluss (502) der Relaissteuerung (500) der Abkommutiervorrichtung (400) zuzuführen und wobei die Relaissteurung dazu ausgebildet ist, für den Betrieb der Relaissteuerung (500) einen, durch die Abkommutiervorrichtung (400) fließenden Strom, aus dem zweiten Anschluss (502) zu entnehmen und diesen Strom zur eigenen Versorgung zu nutzen.
-
公开(公告)号：DE10024515B4
公开(公告)日：2006-05-04
申请号：DE10024515
申请日：2000-05-18
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： LENZ MICHAEL , STARKE OSKAR
-
公开(公告)号：DE10335111A1
公开(公告)日：2005-03-10
申请号：DE10335111
申请日：2003-07-31
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： LENZ MICHAEL , OTREMBA RALF , ROEDIG HERBERT
Abstract: A mounting process for a semiconductor component comprises applying solder to the component (3) or mount (11,12), bringing the two parts together and heating at least one part of the component above the solder melting point by applying electrical power to the component to bond the parts and then cooling.
-
公开(公告)号：DE102019104691B4
公开(公告)日：2022-10-13
申请号：DE102019104691
申请日：2019-02-25
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： LENZ MICHAEL , GADLER DAMIANO , PACHNIS IOANNIS , PIDUTTI ALBINO
IPC: H03K17/06
Abstract: Eine integrierte Schaltung, die folgendes aufweist:einen ersten Anschluss (A) und einen zweiten Anschluss (K);einen MOS-Transistor (TL) mit einer Steuerelektrode und einem Laststrompfad, welcher dazu ausgebildet ist, einen Laststrompfad zwischen dem ersten Anschluss (A) und dem zweiten Anschluss (K) zu aktivieren und zu deaktivieren,eine Diode (DR), die parallel zu dem Laststrompfad des MOS-Transistors (TL) angeordnet ist;eine Detektorschaltung (12), die dazu ausgebildet ist, abhängig von einer Spannung (VK) zwischen dem ersten Anschluss (A) und dem zweiten Anschluss (K) ein Steuersignal (VL) zu erzeugen;eine Treiberschaltung (13) mit einem Hauptzweig und einem ersten Feed-Forward-Zweig,wobei der Hauptzweig das Steuersignal (VL) empfängt und Schaltungskomponenten aufweist, die dazu ausgebildet sind, nach Maßgabe des Steuersignals (VL) eine Steuerspannung (VG) für die Steuerelektrode des MOS-Transistors (TL) zu erzeugen, undwobei der erste Feed-Forward-Zweig Schaltungskomponenten aufweist, die dazu ausgebildet sind als Reaktion auf eine Flanke des Steuersignals (VL) einen Ladestrom (iGC) oder Entladestrom (iGD) zu erzeugen, der die Steuerelektrode des MOS-Transistors (TL) lädt bzw. entlädt.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
38
records
(took 0.023 seconds)
