公开(公告)号：DE102014103049A1

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：DE102014103049

申请日：2014-03-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： COTOROGEA MARIA ,  WOLTER FRANK ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  GAWLINA-SCHMIDL YVONNE

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Transistorvorrichtung (1000) in einem Halbleitersubstrat (100) umfasst eine erste Hauptoberfläche (110) und eine Transistorzelle. Die Transistorzelle umfasst einen Driftbereich (120) eines ersten Leitfähigkeitstyps, einen Bodybereich (130) eines zweiten Leitfähigkeitstyps zwischen dem Driftbereich (120) und der ersten Hauptoberfläche (110), einen aktiven Trench (1100) in der ersten Hauptoberfläche (110), der sich in den Driftbereich (120) erstreckt, einen Sourcebereich (140) des ersten Leitfähigkeitstyps in dem Bodybereich (130) benachbart zu dem aktiven Trench (1100) und einen Bodytrench (1200) an der ersten Hauptoberfläche (110), der sich in den Driftbereich (120) erstreckt und benachbart zu dem Bodybereich (130) und dem Driftbereich (120) ist. Der aktive Trench (1100) umfasst eine Gateisolierschicht (1130) an Seitenwänden (1110) und an einer Bodenseite (1120) sowie eine Gateleiterschicht (1140). Der Bodytrench (1200) umfasst eine leitende Schicht (1260) und eine isolierende Schicht (1250) an Seitenwänden (1210) und einer Bodenseite (1240) asymmetrisch zu einer senkrechten Achse der ersten Hauptoberfläche (110) und der Bodytrenchmitte.

公开(公告)号：DE102014103049B4

公开(公告)日：2020-10-08

申请号：DE102014103049

申请日：2014-03-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： COTOROGEA MARIA ,  WOLTER FRANK ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  GAWLINA-SCHMIDL YVONNE

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: Halbleitervorrichtung (1000) in einem eine erste Hauptoberfläche (110) aufweisenden Halbleitersubstrat (100) mit einer Transistorzelle, umfassend:einen Driftbereich (120) eines ersten Leitfähigkeitstyps,einen Bodybereich (130) eines zweiten Leitfähigkeitstyps zwischen dem Driftbereich (120) und der ersten Hauptoberfläche (110),einen aktiven Trench (1100) an der ersten Hauptoberfläche (110), der sich in den Driftbereich (120) erstreckt,eine Gateisolierschicht (1130) an Seitenwänden (1110) und an einer Bodenseite (1120) des aktiven Trenches (1100),eine Gateleiterschicht (1140) in dem aktiven Trench (1100),einen Sourcebereich (140) des ersten Leitfähigkeitstyps in dem Bodybereich (130) und benachbart zu dem aktiven Trench (1100),einen Bodytrench (1200) an der ersten Hauptoberfläche (110), welcher eine bezüglich einer sich senkrecht zu der ersten Hauptoberfläche in einer Mitte des Bodytrenches (1200) erstreckenden Achse symmetrische Form hat und der sich in den Driftbereich (120) erstreckt, wobei der Bodytrench (1200) benachbart zu dem Bodybereich (130) und dem Driftbereich (120) ist,eine isolierende Schicht (1250) an Seitenwänden (1210) und an einer Bodenseite (1240) des Bodytrenches (1200), wobei die isolierende Schicht (1250) asymmetrisch ist bezüglich der sich senkrecht zu der ersten Hauptoberfläche (110) in der Mitte des Bodytrenches (1200) erstreckenden Achse, undeine leitende Schicht (1260) in dem Bodytrench (1200).