公开(公告)号：DE102023130579A1

公开(公告)日：2025-05-08

申请号：DE102023130579

申请日：2023-11-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： AICHINGER THOMAS ,  PETERS DETHARD ,  HELL MICHAEL ,  HÜRNER ANDREAS

IPC: H10D64/27 ,  H10D12/00 ,  H10D30/60 ,  H10D62/832 ,  H10D64/66 ,  H10D84/00

Abstract: Eine vertikale Leistungshalbleitervorrichtung (100) wird vorgeschlagen. Die vertikale Leistungshalbleitervorrichtung umfasst einen Siliziumkarbid-, SiC-, Halbleiterkörper (102) mit einer ersten Oberfläche (1031) und einer zweiten Oberfläche (1032) gegenüber der ersten Oberfläche (1031). Der SiC-Halbleiterkörper (102) umfasst einen Transistorzellenbereich (104), der Gate-Strukturen (106), einen Gate-Pad-Bereich (108) und einen Zwischenverbindungsbereich (110) aufweist, der eine Gate-Elektrode (1061) der Gate-Strukturen (106) und ein Gate-Pad (112) des Gate-Pad-Bereichs (108) über eine Gate-Zwischenverbindung (114) elektrisch koppelt. Die vertikale Leistungshalbleitervorrichtung (100) umfasst ferner eine Sensorelektrode (116). Die vertikale Leistungshalbleitervorrichtung (100) umfasst ferner ein erstes Zwischenschichtdielektrikum (120), das eine erste Grenzfläche (1221) zu der Sensorelektrode (116) und eine zweite Grenzfläche (1222) zu der Gate-Elektrode (1061) und/oder der Gate-Zwischenverbindung (114) aufweist. Ein Leitungsbandversatz (ΦB,0) an der ersten Grenzfläche (1221) liegt im Bereich von 1 eV bis 2,5 eV. Die vertikale Leistungshalbleitervorrichtung (100) umfasst ferner eine zweite Grenzfläche (1222) zu der Gate-Elektrode (1061) und/oder der Gate-Zwischenverbindung (114). Das zweite Zwischenschichtdielektrikum (144) grenzt seitlich an das erste Zwischenschichtdielektrikum (120) an.

公开(公告)号：DE102018115110B3

公开(公告)日：2019-09-26

申请号：DE102018115110

申请日：2018-06-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HÜRNER ANDREAS ,  PETERS DETHARD

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/085 ,  H01L29/161

Abstract: Eine Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung (500) umfasst eine erste Lastelektrode (310), einen selbstleitenden Sperrschicht-Feldeffekttransistor (810) und einen Feldeffekttransistor (820) mit isoliertem Gate. Der Sperrschicht-Feldeffekttransistor (810) enthält ein Kanalgebiet, das mit der ersten Lastelektrode (310) elektrisch verbunden ist. Der Feldeffekttransistor (820) mit isoliertem Gate und der Sperrschicht-Feldeffekttransistor (810) sind elektrisch in Reihe verbunden. Der Feldeffekttransistor (820) mit isoliertem Gate enthält ein Sourcegebiet (110) und ein Bodygebiet (120). Das Sourcegebiet (110) ist mit einem Kanalgebiet (811) des Sperrschicht-Feldeffekttransistors (810) elektrisch verbunden. Das Bodygebiet (120) ist mit der ersten Lastelektrode (310) elektrisch verbunden.

公开(公告)号：DE102023124600B3

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：DE102023124600

申请日：2023-09-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HÜRNER ANDREAS ,  HELL MICHAEL ,  AICHINGER THOMAS

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/161 ,  H01L29/49 ,  H01L29/739

Abstract: Vorgeschlagen wird eine Leistungs-Halbleitervorrichtung (100). Die Leistungs-Halbleitervorrichtung (100) enthält einen Siliziumcarbid-, SiC-, Halbleiterkörper (102), der eine erste Oberfläche (1031) und eine der ersten Oberfläche (1031) entgegengesetzte zweite Oberfläche (1032) aufweist. Der SiC-Halbleiterkörper (102) enthält einen Transistorzellenbereich (104) mit Transistorzellen (1041). Jede der Transistorzellen (1041) enthält eine Gate-Struktur (106), die eine Gate-Dielektrikumsstruktur (108) und eine Gate-Elektrodenstruktur (110) auf der Gate-Dielektrikumsstruktur (108) umfasst. Die Gate-Dielektrikumsstruktur (108) umfasst eine erste Gate-Dielektrikumsschicht (1081), die an den SiC-Halbleiterkörper (102) angrenzt. Die Gate-Dielektrikumsstruktur (108) umfasst ferner eine zweite Gate-Dielektrikumsschicht (1082). Die Gate-Dielektrikumsstruktur (108) enthält überdies eine zwischen der ersten Gate-Dielektrikumsschicht (1081) und der zweiten Gate-Dielektrikumsschicht (1082) angeordnete Ladungsspeicherschicht (1085).