公开(公告)号：DE102010020884A1

公开(公告)日：2011-11-24

申请号：DE102010020884

申请日：2010-05-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HAEBERLEN OLIVER DR ,  HIRLER FRANZ DR ,  ROESCH MAXIMILIAN

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Halbleiterbauelement weist eine Halbleiterschicht mit einer Vorderseite und einer gegenüber liegenden Rückseite auf. Auf der Vorderseite der Halbleiterschicht ist eine erste Anschlusselektrode und auf der Rückseite der Halbleiterschicht eine zweite Anschlusselektrode angebracht. In der Halbleiterschicht ist an der Vorderseite ein erstes Dotierstoffgebiet eines ersten Leitungstyps angeordnet, dass mit einer der Anschlusselektroden elektrisch verbunden ist. Ein zweites Dotierstoffgebiet eines zweiten Leitungstyps ist in der Halbleiterschicht angeordnet und mit der anderen Anschlusselektrode elektrisch verbunden, wobei zwischen dem ersten und zweiten Dotierstoffgebiet ein pn-Übergang ausgebildet ist. Zwischen der Halbleiterschicht und der zweiten Anschlusselektrode ist auf der Rückseite der Halbleiterschicht eine Dielektrikumsschicht angeordnet, wobei die Dielektrikumsschicht eine Öffnung aufweist, durch die eine elektrische Verbindung zwischen der zweiten Anschlusselektrode und dem ersten oder zweiten Dotierstoffgebiet geführt ist.

公开(公告)号：DE102010020884B4

公开(公告)日：2018-03-15

申请号：DE102010020884

申请日：2010-05-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HAEBERLEN OLIVER DR ,  HIRLER FRANZ DR ,  ROESCH MAXIMILIAN

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: Lateraler MOS-Leistungstransistor, mit – einer Halbleiterschicht (10), die eine Vorderseite (11) und eine gegenüberliegende Rückseite (12) aufweist, – einer ersten Anschlusselektrode (13) auf der Vorderseite (11) der Halbleiterschicht (10), – einer zweiten Anschlusselektrode (14) auf der Rückseite (12) der Halbleiterschicht (10), – einem ersten Dotierstoffgebiet (15) eines ersten Leitungstyps an der Vorderseite (11) in der Halbleiterschicht (10), das mit einer der Anschlusselektroden (13, 14) elektrisch verbunden ist, – einem zweiten Dotierstoffgebiet (16) eines zweiten Leitungstyps in der Halbleiterschicht (10), das mit der anderen Anschlusselektrode (13, 14) elektrisch verbunden ist, wobei zwischen dem ersten und dem zweiten Dotierstoffgebiet ein pn-Übergang (17) ausgebildet ist, an dem sich beim Anlegen einer Sperrspannung zwischen der ersten und zweiten Anschlusselektrode eine Raumladungszone ausbildet, – einem dritten Dotierstoffgebiet (22) eines zweiten Leitungstyps in der Halbleiterschicht (10), wobei zwischen dem dritten Dotierstoffgebiet (22) und dem ersten Dotierstoffgebiet (15) ein weiterer pn-Übergang (23) ausgebildet ist und das dritte Dotierstoffgebiet (22) mit derselben Anschlusselektrode (13, 14) als das erste Dotierstoffgebiet (15) elektrisch verbunden ist – wobei auf der Vorderseite (11) der Halbleiterschicht (10) eine Steuerelektrode (25) über einem Kanalgebiet (15a) in dem ersten Dotierstoffgebiet (15) derart angebracht ist, dass sich beim Anlegen einer Steuerspannung an die Steuerelektrode ein elektrisch leitfähiger Kanal in dem Kanalgebiet (15a) zwischen dem zweiten Dotierstoffgebiet (16) und dem dritten Dotierstoffgebiet (22) ausbilden kann – einer Dielektrikumsschicht (18) auf der Rückseite (12) der Halbleiterschicht (10) zwischen der Halbleiterschicht (10) und der zweiten Anschlusselektrode (14), wobei die Dielektrikumsschicht (18) eine Öffnung (19) aufweist, durch die eine elektrische Verbindung (20) zwischen der zweiten Anschlusselektrode (14) und dem ersten oder zweiten Dotierstoffgebiet (15, 16) geführt ist.