公开(公告)号：DE102014110650B4

公开(公告)日：2016-07-14

申请号：DE102014110650

申请日：2014-07-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAVEN JOHANNES ,  COTOROGEA MARIA ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  ITANI HAYBAT ,  GRIEBL ERICH ,  HAGHOFER ANDREAS

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, wobei das Verfahren umfasst: Vorsehen erster und zweiter Zelltrenchstrukturen (510, 520), die sich von einer ersten Oberfläche (101) in einen Halbleiterteil (500a) erstrecken, wobei die erste Zelltrenchstruktur (510) eine erste vergrabene Elektrode (515) und eine erste Isolatorschicht (516) zwischen der ersten vergrabenen Elektrode (515) und einer die ersten und zweiten Zelltrenchstrukturen (510, 520) trennenden Halbleitermesa (150) umfasst, Vorsehen einer Deckschicht (220), die die erste Oberfläche (101) bedeckt, Mustern der Deckschicht (220), um eine Öffnung (305x) mit einer Mindestbreite zu bilden, die größer ist als eine Dicke der ersten Isolatorschicht (516), wobei die Öffnung (305x) einen ersten vertikalen Abschnitt der ersten Isolatorschicht (516) an der ersten Oberfläche (101) freilegt, Entfernen eines freiliegenden Teiles der ersten Isolatorschicht (516), um eine Aussparung (305y) zwischen der Halbleitermesa (150) der ersten vergrabenen Elektrode (515) zu bilden, und Vorsehen einer Kontaktstruktur (310) in der Aussparung (305y) und der Öffnung (305x).

公开(公告)号：DE102014110650A1

公开(公告)日：2015-02-12

申请号：DE102014110650

申请日：2014-07-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAVEN JOHANNES ,  COTOROGEA MARIA ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  ITANI HAYBAT ,  GRIEBL ERICH ,  HAGHOFER ANDREAS

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: Erste und zweite Zelltrenchstrukturen (510, 520) erstrecken sich von einer ersten Oberfläche (101) in ein Halbleitersubstrat (500a). Die erste Zelltrenchstruktur (510) umfasst eine erste vergrabene Elektrode (515) und eine erste Isolatorschicht (516) zwischen der ersten vergrabenen Elektrode (515) und einer die ersten und zweiten Zelltrenchstrukturen (510, 520) trennenden Halbleitermesa (150). Eine Deckschicht (220) bedeckt die erste Oberfläche (101). Die Deckschicht (220) ist gemustert, um eine Öffnung (305x) zu bilden, die eine Mindestbreite hat, die größer ist als eine Dicke der ersten Isolatorschicht (516). Die Öffnung (305x) legt einen vertikalen Abschnitt der ersten Isolatorschicht (516) an der ersten Oberfläche (101) frei. Ein freiliegender Teil der ersten Isolatorschicht (516) wird entfernt, um eine Aussparung (305y) zwischen der Halbleitermesa (150) und der ersten vergrabenen Elektrode (515) zu bilden. Eine Kontaktstruktur (310) ist in der Öffnung (305x) und der Aussparung (305y) vorgesehen. Die Kontaktstruktur (310) verbindet elektrisch eine vergrabene Zone in der Halbleitermesa (150) und die erste vergrabene Elektrode (515) und erlaubt eine schmalere Halbleitermesabreite.