公开(公告)号：DE102015118309A1

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：DE102015118309

申请日：2015-10-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GRIEBL ERICH ,  IRSIGLER PETER ,  MOSER ANDREAS ,  PIRKER MANFRED ,  ZELSACHER RUDOLF

IPC: H01L21/66 ,  H01L23/544

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren (100) zum Bearbeiten eines Substrats umfassen: Ausbilden einer dielektrischen Schicht über dem Substrat, wobei die dielektrische Schicht eine Vielzahl von Testbereichen umfassen kann (11); Ausbilden einer elektrisch leitfähigen Schicht über der dielektrischen Schicht, um die dielektrische Schicht in der Vielzahl von Testbereichen zu kontaktieren (12); gleichzeitiges elektrisches Prüfen der dielektrischen Schicht in der Vielzahl von Testbereichen, wobei Abschnitte der elektrisch leitfähigen Schicht, die die dielektrische Schicht in der Vielzahl von Testbereichen kontaktieren, mithilfe eines elektrisch leitfähigen Materials elektrisch leitend miteinander verbunden werden (13); und Trennen voneinander der elektrisch leitfähigen Schicht in Abschnitte der elektrisch leitfähigen Schicht, die die dielektrische Schicht in der Vielzahl von Testbereichen kontaktieren (14).

公开(公告)号：DE102013109542A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：DE102013109542

申请日：2013-09-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BRUCCHI FABIO ,  GRIEBL ERICH ,  OTREMBA RALF ,  ROEMER BERND

IPC: H01L23/367 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/13 ,  H01L23/488

Abstract: Es wird eine Chipbaugruppe bereitgestellt, wobei die Chipbaugruppe Folgendes enthält: einen Träger, der wenigstens einen Hohlraum enthält; einen Chip, der wenigstens teilweise innerhalb des wenigstens einen Hohlraums angeordnet ist; wenigstens eine Zwischenschicht, die über wenigstens einer Seitenwand des Chips angeordnet ist; wobei die wenigstens eine Zwischenschicht zum Leiten von Wärme von dem Chip zu dem Träger konfiguriert ist.

公开(公告)号：DE10250575A1

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：DE10250575

申请日：2002-10-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WILLMEROTH ARMIN ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  HUESKEN HOLGER ,  GRIEBL ERICH

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861

Abstract: At least one emitter-short region (39) is only integrated in the region of a high-voltage edge (31). The IGBT has at least one emitter region (35), which has no emitter-short regions within the high-voltage edge. The complimentary electrode of an antiparallel diode is formed by a semiconductor well (33) on the front side. An Independent claim is included for an IGBT with a monolithically integrated antiparallel diode.

公开(公告)号：DE50114882D1

公开(公告)日：2009-06-18

申请号：DE50114882

申请日：2001-01-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  RUPP ROLAND ,  GRIEBL ERICH

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/872 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H02H9/04

Abstract: A protection device for a Schottky diode is described. The protection device has a cascade circuit with at least two Si-PIN diodes provided parallel to the Schottky diode. The protection device protects against momentary over-current pulses reliably and without a high outlay in terms of cost and necessary materials for forming the protection device.

公开(公告)号：DE102005004354A1

公开(公告)日：2006-08-17

申请号：DE102005004354

申请日：2005-01-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LASKA THOMAS ,  SCHAEFFER CARSTEN ,  UMBACH FRANK ,  PFIRSCH FRANK ,  HILLE FRANK ,  GRIEBL ERICH ,  PFAFFENLEHNER MANFRED

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: Semiconductor device has a semiconductor body between front and rear side contacts with front and rear side surfaces. Control electrodes are embedded against base areas (3) in trenches, such that current flow between emitter areas (9) and drift areas is controllable by the electrodes. A floating area (5) has a penetration depth in the drift areas, where the depth corresponds to another two penetration depths of the base areas and the trenches.

公开(公告)号：DE102016113837B4

公开(公告)日：2022-01-13

申请号：DE102016113837

申请日：2016-07-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PHILIPPOU ALEXANDER ,  LAVEN JOHANNES GEORG ,  COTOROGEA MARIA ,  GRIEBL ERICH

IPC: H01L23/48 ,  G01R31/26 ,  H01L21/66 ,  H01L23/544

Abstract: Ein Halbleiterbauelement (100, 200, 300, 400, 500), umfassend:eine erste Source-Verdrahtungs-Teilstruktur (112), die mit einer Mehrzahl von Source-Dotierungsregion-Abschnitten (110) einer Transistorstruktur verbunden ist; undeine zweite Source-Verdrahtungs-Teilstruktur (124), die mit einer Mehrzahl von Source-Feldelektroden (122) verbunden ist, die in einer Mehrzahl von Source-Feldgräben (120) angeordnet sind, die sich in ein Halbleitersubstrat (102) des Halbleiterbauelements erstrecken,wobei ein Kontaktverdrahtungsabschnitt der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur (112) und ein Kontaktverdrahtungsabschnitt der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur (124) an einer Verdrahtungsschicht eines Schichtstapels angeordnet sind, der auf dem Halbleitersubstrat (102) angeordnet ist, wobei der Kontaktverdrahtungsabschnitt der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur (112) und der Kontaktverdrahtungsabschnitt der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur (124) jeweils eine laterale Größe aufweisen, die ausreichend für einen Kontakt für zumindest eine temporäre Testmessung ist,wobei die Verdrahtungsschicht, die die Kontaktverdrahtungsabschnitte aufweist, näher an dem Halbleitersubstrat (102) angeordnet ist als jegliche ohmsche elektrische Verbindung zwischen der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur (112) und der zweiten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur (124),wobei zumindest Abschnitte der Mehrzahl von Source-Feldgräben (120) vertikal unter dem Kontaktverdrahtungsabschnitt der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur (112) angeordnet sind,wobei zumindest Abschnitte der Mehrzahl von Source-Dotierungsregionabschnitten (110) vertikal unter dem Kontaktverdrahtungsabschnitt der ersten Source-Verdrahtungs-Teilstruktur (112) angeordnet sind,wobei die erste Source-Verdrahtungs-Teilstruktur (112) mit einer zweiten Mehrzahl von Source-Feldelektroden (142) verbunden ist, die in einer zweiten Mehrzahl von Source-Feldgräben (140) angeordnet sind, die sich in das Halbleitersubstrat (102) des Halbleiterbauelements erstrecken.

公开(公告)号：DE102019110402A1

公开(公告)日：2019-11-28

申请号：DE102019110402

申请日：2019-04-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  BREYMESSER ALEXANDER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  KUENLE MATTHIAS ,  VOSS STEPHAN ,  MOSER ANDREAS ,  GRIEBL ERICH ,  KNABL MICHAEL ,  RUPP ROLAND ,  SGOURIDIS SOKRATIS

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/304

Abstract: Ein Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleiterwafers ist vorgeschlagen. Das Verfahren kann ein Reduzieren einer Dicke des Halbleiterwafers umfassen. Eine Trägerstruktur wird auf einer ersten Seite des Halbleiterwafers platziert, z. B. vor oder nach dem Reduzieren der Dicke des Halbleiterwafers. Das Verfahren umfasst ferner ein Bereitstellen einer Stützstruktur auf einer zweiten Seite des Halbleiterwafers gegenüber der ersten Seite, z. B. nach dem Reduzieren der Dicke des Halbleiterwafers. Es werden Verfahren zum Schweißen einer Stützstruktur auf einen Halbleiterwafer vorgeschlagen. Ferner werden Halbleiter-Verbundstrukturen mit auf einen Halbleiterwafer geschweißten Stützstrukturen vorgeschlagen.

公开(公告)号：DE10250575B4

公开(公告)日：2010-04-15

申请号：DE10250575

申请日：2002-10-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WILLMEROTH ARMIN ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  HUESKEN HOLGER ,  GRIEBL ERICH

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/861

Abstract: At least one emitter-short region (39) is only integrated in the region of a high-voltage edge (31). The IGBT has at least one emitter region (35), which has no emitter-short regions within the high-voltage edge. The complimentary electrode of an antiparallel diode is formed by a semiconductor well (33) on the front side. An Independent claim is included for an IGBT with a monolithically integrated antiparallel diode.

公开(公告)号：DE10250154B4

公开(公告)日：2007-05-03

申请号：DE10250154

申请日：2002-10-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GRIEBL ERICH ,  ZVEREV ILIA ,  STRECKER MARKUS

IPC: H03K17/567 ,  H01L27/07 ,  H02M1/00 ,  H02M3/158 ,  H03K17/00 ,  H03K17/04 ,  H03K17/12

Abstract: The device has primary current/voltage input and output regions, a first or main switch and a second or partial load or standby switch connected in parallel for controlled or controllable transfer of the primary current and/or voltage from the primary current/voltage input region to the primary current/voltage output region. The first or main switch and a second or partial load or standby switch are monolithically integrated into a common module. The device has a primary current/voltage input region (PE), a primary current/voltage output region (PA), a first or main switch (SW1) and a second or partial load or standby switch (SW2) connected in parallel for controlled or controllable transfer of the primary current and/or voltage from the primary current/voltage input region to the primary current/voltage output region. The first or main switch and a second or partial load or standby switch are monolithically integrated into a common module.

公开(公告)号：DE10017922A1

公开(公告)日：2001-10-25

申请号：DE10017922

申请日：2000-04-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  RUPP ROLAND ,  GRIEBL ERICH ,  WILLMEROTH ARMIN

IPC: H01L29/861

Abstract: The PN-diode has a semiconductor body (11) with a low doping concentration provided with a dished semiconductor zone (12) of opposite conductivity type, in which a second dished semiconductor zone (19) of the first conductivity type is embedded. The anode of the PN-diode is provided with a transistor having a channel region of the second conductivity type, which is controlled by a current above the blocking current level of the diode, with an emitter short-circuit between the second semiconductor zone and a further semiconductor zone (21) of the second conductivity type incorporated in the latter.