公开(公告)号：DE102019135545A1

公开(公告)日：2021-06-24

申请号：DE102019135545

申请日：2019-12-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BABURSKE ROMAN ,  HAUF MORITZ ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHULZE HOLGER ,  STOIB BENEDIKT

IPC: H01L29/739 ,  H01L27/08 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Eine Leistungshalbleitervorrichtung (1) umfasst Folgendes: einen Halbleiterkörper (10), der eine Vorderseite (10-1) und eine Rückseite (10-2) aufweist; eine erste Lastanschlussstruktur (11), die mit der Vorderseite (10-1) gekoppelt ist, und eine zweite Lastanschlussstruktur (12), die mit der Rückseite (10-2) gekoppelt ist; ein Rückseitengebiet (17) des Halbleiterkörpers (10), wobei das Rückseitengebiet (17) auf der Rückseite (10-1) angeordnet ist und innerhalb des aktiven Bereichs (15) eine erste Rückseitenemitterzone (171) und eine zweite Rückseitenemitterzone (172) umfasst. Die erste Rückseitenemitterzone (171) und/oder die zweite Rückseitenemitterzone (172) umfasst Folgendes: mehrere erste Sektoren (171-1, 172-1), die jeweils wenigstens ein erstes Gebiet (1711, 1721) eines zweiten Leitfähigkeitstyps umfassen, wobei das erste Gebiet (1711, 1721) in Kontakt mit der zweiten Lastanschlussstruktur (12) angeordnet ist und eine kleinste laterale Ausdehnung (x1, x1') von höchstens 50 µm aufweist; und/oder mehrere zweite Sektoren (171-2, 172-2), die jeweils ein zweites Gebiet (1712, 1722) des zweiten Leitfähigkeitstyps umfassen, wobei die zweiten Gebiete (1712, 1722) in Kontakt mit der zweiten Lastanschlussstruktur (12) angeordnet sind und eine kleinste laterale Ausdehnung (x2, x2') von wenigstens 50 µm aufweisen. Die zweite Rückseitenemitterzone (172) unterscheidet sich von der ersten Rückseitenemitterzone (171).

公开(公告)号：DE102021002618A1

公开(公告)日：2022-11-24

申请号：DE102021002618

申请日：2021-05-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BABURSKE ROMAN ,  HAUF MORITZ ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHULZE HOLGER ,  STOIB BENEDIKT

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Eine Leistungshalbleitervorrichtung (1) umfasst: einen Halbleiterkörper (10) mit einer Vorderseite (10-1) und einer Rückseite (10-2); eine erste Lastanschlussstruktur (11) und eine zweite Lastanschlussstruktur (12); einen aktiven Bereich (15) des Halbleiterkörpers (10), der zum Leiten eines Laststroms zwischen der ersten Lastanschlussstruktur (11) und der zweiten Lastanschlussstruktur (12) ausgelegt ist; eine Driftregion (100) des Halbleiterkörpers (10), wobei die Driftregion (100) einen ersten Leitfähigkeitstyp hat und zum Leiten des Laststroms ausgelegt ist; eine rückseitige Region (17) des Halbleiterkörpers (10), wobei die rückseitige Region (17) an der Rückseite (10-1) angeordnet ist und in dem aktiven Bereich (15) eine erste rückseitige Emitterzone (171) und eine zweite rückseitige Emitterzone (172) umfasst. Die ersten rückseitigen Emitterzone (171) und die zweiten rückseitigen Emitterzone (172) umfassen eine Mehrzahl von ersten Sektoren (171-1, 172-1) mit jeweils mindestens einer ersten Region (1711, 1721) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, wobei die ersten Regionen (1711, 1721) in Kontakt mit der zweiten Lastanschlussstruktur (12) angeordnet sind. Die zweite rückseitige Emitterzone (172) unterscheidet sich von der ersten rückseitigen Emitterzone (171) dadurch, dass eine kleinste laterale Erstreckung (x1, x2) der ersten Sektoren (171-1, 172-1) größer ist als eine kleinste laterale Erstreckung (xl', x2') der zweiten Sektoren (171-2, 172-2).

公开(公告)号：DE102021115946A1

公开(公告)日：2022-12-22

申请号：DE102021115946

申请日：2021-06-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HAUF MORITZ ,  PFIRSCH FRANK DIETER

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/45 ,  H01L29/861

Abstract: Die Halbleitervorrichtung enthält ein Driftgebiet (102) eines ersten Leitfähigkeitstyps, das zwischen einer ersten Oberfläche (104) und einer zweiten Oberfläche (106) eines Halbleiterkörpers (108) angeordnet ist, und enthält ferner ein erstes Gebiet (110) des ersten Leitfähigkeitstyps an der zweiten Oberfläche (106). Die Halbleitervorrichtung (100) enthält überdies ein zweites Gebiet (112) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, das dem ersten Gebiet (110) benachbart an der zweiten Oberfläche (106) angeordnet ist. Das zweite Gebiet (112) umfasst ein erstes Teilgebiet (1121) und ein zweites Teilgebiet (1122). Das zweite Teilgebiet (1122) ist zwischen dem ersten Teilgebiet (1121) und der zweiten Oberfläche (106) angeordnet. Die Halbleitervorrichtung (100) enthält ferner eine erste Elektrode (114) auf der zweiten Oberfläche (106). Die erste Elektrode (114) ist dem ersten Gebiet (110) und dem zweiten Teilgebiet (1122) direkt benachbart angeordnet und mittels des ersten Gebiets (110) mit dem Driftgebiet (102) elektrisch verbunden. Das erste Teilgebiet (1121) ragt entlang einer ersten lateralen Richtung (x1) über eine Grenzfläche (115) oder ein Trenngebiet (124) zwischen dem zweiten Teilgebiet (1122) und dem ersten Gebiet (110) hinaus. Ein Teil des ersten Gebiets (110) ist durch das erste Teilgebiet (1121) und die erste Elektrode (114) entlang einer vertikalen Richtung (y) begrenzt.