公开(公告)号：DE102016114264A1

公开(公告)日：2018-02-08

申请号：DE102016114264

申请日：2016-08-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BREYMESSER ALEXANDER ,  SCHULZE HOLGER ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L29/739 ,  H01L29/868

Abstract: Kristallgitterleerstellen werden in einem vorbehandelten Abschnitt (710) einer Halbleiterschicht (700) gebildet, der direkt an eine Prozessoberfläche (701) grenzt. Dotierstoffe werden zumindest in den vorbehandelten Abschnitt (710) implantiert. Ein Schmelzabschnitt (712) der Halbleiterschicht (700) wird durch Bestrahlen der Prozessoberfläche (701) mit einem Laserstrahl (850) erhitzt, der die implantierten Dotierstoffe zumindest im Schmelzabschnitt (712) aktiviert.

公开(公告)号：DE102014005879A1

公开(公告)日：2015-10-22

申请号：DE102014005879

申请日：2014-04-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  PFAFFENLEHNER MANFRED ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHULZE HOLGER ,  UMBACH FRANK ,  WEISS CHRISTOPH

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/31 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Eine vertikale Halbleitervorrichtung umfasst einen Halbleiterkörper, der Folgendes umfasst: eine erste Oberfläche; eine zweite, der ersten Oberfläche gegenüberliegende Oberfläche; einen Rand, der sich in einer vertikalen Richtung im Wesentlichen im rechten Winkel zu der ersten Oberfläche erstreckt; einen aktiven Bereich; einen peripheren Bereich, der sich in einer horizontalen Richtung im Wesentlichen parallel zu der ersten Oberfläche zwischen dem aktiven Bereich und dem Rand erstreckt; und einen pn-Übergang, der benachbart zur erste Oberfläche angeordnet ist und sich von dem aktiven Bereich in den peripheren Bereich erstreckt. In dem peripheren Bereich umfasst die Halbleitervorrichtung ferner ein erstes leitfähiges Gebiet, das benachbart zur erste Oberfläche angeordnet ist; ein zweites leitfähiges Gebiet, das benachbart zur erste Oberfläche und in horizontaler Richtung zwischen dem ersten leitfähigen Gebiet und dem Rand angeordnet ist, und eine Passivierungsstruktur, die in einem vertikalen Querschnitt einen ersten Bereich, der das erste leitfähige Gebiet zumindest teilweise abdeckt, und einen zweiten Bereich, der das zweite leitfähige Gebiet zumindest teilweise abdeckt, umfasst. Der erste Bereich weist eine andere Schichtzusammensetzung auf als der zweite Bereich und/oder eine erste Dicke, die sich von einer zweiten Dicke des zweiten Bereichs unterscheidet.

公开(公告)号：DE102013211572B4

公开(公告)日：2019-02-14

申请号：DE102013211572

申请日：2013-06-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHAEFFER CARSTEN ,  KOMARNITSKYY VOLODYMYR ,  MAUDER ANTON ,  MILLER GERHARD ,  PFIRSCH FRANK ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHULZE HOLGER ,  WERBER DOROTHEA

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/32 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Halbleiterbauelement, das aufweist:ein Zellengebiet (110), das wenigstens eine Bauelementzelle aufweist, wobei die wenigstens eine Bauelementzelle ein erstes Bauelementgebiet (14) eines ersten Leitfähigkeitstyps aufweist;ein Driftgebiet (11) eines zweiten Leitfähigkeittyps, das an das erste Bauelementgebiet (14) der wenigstens einen Bauelementzelle angrenzt;ein dotiertes Gebiet (40) des ersten Leitfähigkeitstyps, das an das Driftgebiet angrenzt und einen pn-Übergang mit dem Driftgebiet (11) bildet; undLadungsträgerlebensdauerverringerungsmittel (41; 42), die dazu ausgebildet sind, eine Ladungsträgerlebensdauer in dem dotierten Gebiet (40) des ersten Leitfähigkeitstyps zu reduzieren,wobei eine Position der Ladungsträgerlebensdauerverringerungsmittel (41; 42) in dem dotierten Gebiet (40; 44) des ersten Leitfähigkeitstyps so gewählt ist, dass ein von dem pn-Übergang ausgehendes Verarmungsgebiet die Ladungsträgerlebensdauerverringerungsmittel (41; 42; 43; 44) nicht erreicht, wenn eine der Spannungsfestigkeit des Halbleiterbauelements entsprechende Spannung an den pn-Übergang angelegt wird.

公开(公告)号：DE102016104788A1

公开(公告)日：2017-09-21

申请号：DE102016104788

申请日：2016-03-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JOSHI RAVI KESHAV ,  ROTH ROMAN ,  SCHULZE HOLGER ,  HILLE FRANK ,  LASKA THOMAS ,  UMBACH FRANK ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHÄFFER CARSTEN ,  MÜLLER MATTHIAS ,  FUGGER MICHAEL ,  STEINBRENNER JÜRGEN ,  HUMBEL OLIVER

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

Abstract: Ein Ausführungsbeispiel einer Halbleitervorrichtung umfasst eine Metallstruktur, die elektrisch mit einem Halbleiterkörper verbunden ist. Eine Metalladhäsions- und Barrierestruktur ist zwischen der Metallstruktur und dem Halbleiterkörper. Die Metalladhäsions- und Barrierestruktur umfasst eine Schicht, die Titan und Wolfram aufweist, und eine Schicht, die Titan, Wolfram und Stickstoff aufweist, auf der Schicht, die Titan und Wolfram aufweist.

公开(公告)号：DE102015108929A1

公开(公告)日：2015-12-17

申请号：DE102015108929

申请日：2015-06-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HOLGER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/263 ,  H01L21/328

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung umfasst ein Bilden einer Feldstoppzone (230) durch Bestrahlen eines Teiles eines Halbleiterkörpers (205) mit einem Laserstrahl (107) durch eine erste Oberfläche (209) des Halbleiterkörpers (205). Der Teil hat eine Sauerstoffkonzentration in einem Bereich von 5 × 1016 cm–3 und 5 × 1017 cm–3. Dann wird der Halbleiterkörper mit Protonen durch die erste Oberfläche (209) bestrahlt und in einem Temperaturbereich von 300°C bis 550°C ausgeheilt.

公开(公告)号：DE102007063786B3

公开(公告)日：2022-09-15

申请号：DE102007063786

申请日：2007-04-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON DR ,  SCHULZE HOLGER ,  GUTT THOMAS

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/265 ,  H01L21/8238

Abstract: Verfahren zur Herstellung einer Dotierungszone in einem Halbleiterkörper, aufweisend:- Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (1);- Einbringen mindestens eines Dotierstoffs (2) in den Halbleiterkörper (1), wobei der Dotierstoff (2) ausgewählt ist aus der Gruppe umfassend Schwefel und Selen sowie Mischungen davon;- Durchführen zumindest einer kurzzeitigen ersten Temperaturbehandlung (7) bei einer Temperatur T1; und- Durchführen einer im Vergleich zur ersten Temperaturbehandlung (7) längeren zweiten Temperaturbehandlung (8) bei einer Temperatur T2 zur Ausbildung einer Dotierungszone (6), wobei T1 höher als T2 ist.

公开(公告)号：DE102014005879B4

公开(公告)日：2021-12-16

申请号：DE102014005879

申请日：2014-04-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  PFAFFENLEHNER MANFRED ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHULZE HOLGER ,  UMBACH FRANK ,  WEISS CHRISTOPH

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Vertikale Halbleitervorrichtung (100-400, 600-800), die Folgendes umfasst:- einen Halbleiterkörper (40) der Folgendes umfasst: eine erste Oberfläche (101); eine zweite Oberfläche (102), die der ersten Oberfläche gegenüber liegt einen Rand (41), der sich in einer vertikalen Richtung, die orthogonal zu der ersten Oberfläche ist, erstreckt; einen aktiven Bereich (110); einen peripheren Bereich (120), der in einer horizontalen Richtung, die parallel zu der ersten Oberfläche ist, zwischen dem aktiven Bereich und dem Rand angeordnet ist; einen pn-Übergang (14), der benachbart zur ersten Oberfläche angeordnet ist und sich von dem aktiven Bereich in den peripheren Bereich erstreckt;- eine erste Metallisierung (10) auf der ersten Oberfläche (101) und eine erste dielektrische Schicht (5) zwischen dem Halbleiterkörper (40) und der ersten Metallisierung (10), wobei die erste Metallisierung (10) in ohmschem Kontakt mit einem Halbleitergebiet (2a) im Halbleiterkörper (40) ist, wobei die Halbleitervorrichtung im peripheren Bereich (120) ferner Folgendes umfasst:- ein erstes leitfähiges Gebiet (20, 21), das benachbart zur ersten Oberfläche (101) angeordnet ist und von einem ersten Teil der ersten Metallisierung (10) gebildet wird;- ein zweites leitfähiges Gebiet (22), das benachbart zur ersten Oberfläche angeordnet ist und in horizontaler Richtung zwischen dem ersten leitfähigen Gebiet (20, 21) und dem Rand (41) angeordnet ist und von einem zweiten Teil der ersten Metallisierung (10) gebildet wird;- wobei die erste dielektrische Schicht (5) zwischen dem Halbleiterkörper und dem ersten leitfähigen Gebiet (20, 21) und dem zweiten leitfähigen Gebiet (22) angeordnet ist, und wobei das erste leitfähige Gebiet (20, 21) und das zweite leitfähige Gebiet (22) jeweils eine vertikale Ausdehnung oberhalb der ersten dielektrischen Schicht (5) aufweisen, die mit einer vertikalen Ausdehnung der ersten Metallisierung (10) oberhalb der ersten dielektrischen Schicht (5) übereinstimmt; und- eine Passivierungsstruktur (6, 7) mit einer ersten und einer zweiten Passivierungsschicht (6, 7), die in einem vertikalen Querschnitt Folgendes umfasst: einen ersten Abschnitt, der zumindest teilweise das erste leitfähige Gebiet (20, 21) bedeckt und durch einen von der ersten und zweiten Passivierungsschicht (6, 7) gebildeten Stapel gebildet wird, wobei die erste Passivierungsschicht (6) direkt das erste leitfähige Gebiet (20, 21) bedeckt und die zweite Passivierungsschicht (7) auf der ersten Passivierungsschicht (6) angeordnet ist, und einen zweiten Abschnitt, der zumindest teilweise das zweite leitfähige Gebiet (22) bedeckt und durch die zweite Passivierungsschicht (7) aebildet wird. welche das zweite leitfähiae Gebiet direkt bedeckt, sodass der erste Abschnitt eine erste Dicke aufweist, die sich von einer zweiten Dicke des zweiten Abschnitts unterscheidet.

公开(公告)号：DE102007017788A1

公开(公告)日：2008-10-30

申请号：DE102007017788

申请日：2007-04-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  SCHULZE HOLGER ,  GUTT THOMAS

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/265

Abstract: The method involves providing a semiconductor body (1). A dopant (2) is introduced into the semiconductor body, where the dopant is sulphur, selenium, Indium or antimony. A short-time heat treatment is executed at a temperature. Another heat treatment which is longer that the former heat treatment is executed at another temperature for forming a doping zone, where the former temperature is higher than the latter temperature. The former heat treatment is executed in such a manner that no diffusion of the dopant takes place in the semiconductor body.

公开(公告)号：DE102005043913A1

公开(公告)日：2006-04-06

申请号：DE102005043913

申请日：2005-09-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  MAUDER ANTON ,  SCHULZE HOLGER ,  STRACK HELMUT

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/334 ,  H01L21/336

Abstract: A doped semiconductor zone is formed in semiconductor body (100) by introducing dopant particles to side of semiconductor body; irradiating semiconductor body via the one side with further particles in region containing the dopant particles; and carrying out thermal treatment by ways of which the semiconductor body is heated, in the region containing the dopant particles, to less than 700[deg]C to activate the implanted dopant particles.

公开(公告)号：DE102004023405A1

公开(公告)日：2005-12-15

申请号：DE102004023405

申请日：2004-05-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KROENER FRIEDRICH ,  SCHULZE HOLGER ,  SGOURIDIS SOKRATIS

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/304 ,  H01L21/68 ,  H01L21/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/74

Abstract: The method involves fixing a carrier wafer (6) with a binder (5) onto the front of a product wafer (1), and thinning the product wafer from its rear side to a final thickness (d1). Back side processing is performed on the thinned wafer. Separating trenches (12) are formed between the integrated circuits in a saw guide region of the product wafer to form individual components. The carrier wafer is removed with the attached components and ribs engaging in the separating trenches. The carrier wafer and binder are released from the individual components. An independent claim is included for a holding device.