公开(公告)号：DE102020109149A1

公开(公告)日：2021-10-07

申请号：DE102020109149

申请日：2020-04-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BROCKMEIER ANDRE ,  HELBIG STEPHAN ,  KOLLER ADOLF

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/04 ,  H01L21/301

Abstract: Ein Verfahren umfasst ein Erzeugen eines Halbleiterwafers. Der Halbleiterwafer umfasst mehrere MEMS-Halbleiterchips, wobei die MEMS-Halbleiterchips MEMS-Strukturen aufweisen, die bei einer ersten Hauptoberfläche des Halbleiterwafers angeordnet sind, eine bei der ersten Hauptoberfläche angeordnete erste Halbleitermaterialschicht, und eine unter der ersten Halbleitermaterialschicht angeordnete zweite Halbleitermaterialschicht, wobei eine Dotierung der ersten Halbleitermaterialschicht größer ist als eine Dotierung der zweiten Halbleitermaterialschicht. Das Verfahren umfasst ferner ein Entfernen der ersten Halbleitermaterialschicht in einem Bereich zwischen benachbarten MEMS-Halbleiterchips. Das Verfahren umfasst ferner ein Anwenden eines Stealth-Dicing-Prozesses von der ersten Hauptoberfläche des Halbleiterwafers und zwischen den benachbarten MEMS-Halbleiterchips.

公开(公告)号：DE102020109149B4

公开(公告)日：2025-01-16

申请号：DE102020109149

申请日：2020-04-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BROCKMEIER ANDRE ,  HELBIG STEPHAN ,  KOLLER ADOLF

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/04 ,  H01L21/301

Abstract: Verfahren, umfassend:Erzeugen eines Halbleiterwafers (10), umfassend:mehrere MEMS-Halbleiterchips (12), wobei die MEMS-Halbleiterchips (12) MEMS-Strukturen (22) aufweisen, die bei einer ersten Hauptoberfläche (24) des Halbleiterwafers (10) angeordnet sind,eine bei der ersten Hauptoberfläche (24) angeordnete erste Halbleitermaterialschicht (20), undeine unter der ersten Halbleitermaterialschicht (20) angeordnete zweite Halbleitermaterialschicht (20), wobei eine Dotierung der ersten Halbleitermaterialschicht (20) größer ist als eine Dotierung der zweiten Halbleitermaterialschicht (20);Entfernen der ersten Halbleitermaterialschicht (20) in einem Bereich (36) zwischen benachbarten MEMS-Halbleiterchips (12); undAnwenden eines Stealth-Dicing-Prozesses von der ersten Hauptoberfläche (24) des Halbleiterwafers (10) und zwischen den benachbarten MEMS-Halbleiterchips (12).