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    CHIPBAUGRUPPE UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER CHIPBAUGRUPPE
    3.
    发明专利
    CHIPBAUGRUPPE UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER CHIPBAUGRUPPE 未知

    公开(公告)号：DE102013107787A1

    公开(公告)日：2014-01-23

    申请号：DE102013107787

    申请日：2013-07-22

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BREYMESSER ALEXANDER ,  BROCKMEIER ANDRE ,  KNABEL MICHAEL ,  MEYER URSULA ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  VON KOBLINSKI CARSTEN

    IPC: H01L23/46 ,  H01L21/50 ,  H01L23/28 ,  H01L23/48 ,  H01L25/04

    Abstract: Es wird eine Chipbaugruppe (310) bereitgestellt, wobei die Chipbaugruppe (310) Folgendes enthält: eine erste Verkapselungsstruktur (202); eine über der ersten Verkapselungsstruktur (202) gebildete erste Passivierungsschicht (224) und eine über der ersten Passivierungsschicht (224) gebildete erste elektrisch leitende Schicht (234); mindestens einen über der ersten elektrisch leitenden Schicht (234) und der Passivierungsschicht (224) angeordneten Chip (242), wobei mindestens eine Chipkontaktstelle (243) die erste elektrisch leitende Schicht (234) kontaktiert; mindestens einen in der ersten Verkapselungsstruktur (202) gebildeten Hohlraum (2112), wobei mindestens ein Hohlraum (2112) einen Abschnitt der mindestens eine Chipkontaktstelle (243) bedeckenden ersten Passivierungsschicht (224) exponiert; eine auf der ersten Verkapselungsstruktur (202) aufgebrachte und mindestens einen Hohlraum (2112) bedeckende zweite Verkapselungsstruktur (2116), wobei eine Kammerzone (2118) über mindestens einer Chipkontaktstelle (243) durch mindestens einen Hohlraum (2112) und die zweite Verkapselungsstruktur (2116) definiert wird; wobei die zweite Verkapselungsstruktur (2116) einen Einlass (2122) und einen Auslass (2124), die mit der Kammerzone (2118) verbunden sind, enthält, wobei der Einlass (2122) und der Auslass (2124) einen Zufluss und einen Abfluss von wärmeableitendem Material in die und aus der Kammerzone (2118) steuern.

    Verfahren zur Herstellung mehrerer Mikrofonstrukturen
    5.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung mehrerer Mikrofonstrukturen 未知

    公开(公告)号：DE102015101894B4

    公开(公告)日：2021-02-18

    申请号：DE102015101894

    申请日：2015-02-10

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BROCKMEIER ANDRE ,  GRILLE THOMAS ,  HEDENIG URSULA ,  IRSIGLER PETER ,  MAURER DANIEL ,  PIRK SOENKE

    IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  H04R1/00

    Abstract: Verfahren zum Herstellen mehrerer Mikrofonstrukturen, wobei das Verfahren Folgendes aufweist:Bereitstellen (S2) eines Substrats (12), das eine Vorderseite und eine Rückseite aufweist, wobei die Rückseite von der Vorderseite abgewandt ist, und einen inneren Bereich (18) und einen äußeren Bereich (20) aufweist, der den inneren Bereich (18) seitlich umgibt, wobei der innere Bereich (18) mehrere Mikrofonbereiche (16) aufweist, wobei jeder Mikrofonbereich (16) für eine Mikrofonstruktur von den mehreren Mikrofonstrukturen bereitgestellt wird,Bilden (S4) mehrerer Schichten für die mehreren Mikrofonstrukturen in den Mikrofonbereichen (16) auf der Vorderseite des Substrats (12),Bilden (S8) einer Aussparung von der Rückseite des Substrats (12), wobei die Aussparung den gesamten inneren Bereich (18) seitlich überlappt,Bilden einer Maske (36) auf einem Boden der Aussparung,Bilden (S10) mehrerer Hohlräume (14) mittels eines nasschemischen Ätzverfahrens in dem Boden der Aussparung mittels der Maske (36), wobei jeder Hohlraum (14) von den mehreren Hohlräumen (14) in einem der Mikrofonbereiche (16) gebildet wird (S10) und jeder Hohlraum (14) der mehreren Hohlräume (14) durch das gesamte Substrat (12) hindurch mittels der Maske (36) gebildet wird, so dass eine Ätzstoppschicht (17) freigelegt wird, welche den jeweiligen Hohlraum (14) bedeckt;Bearbeiten der mehreren Schichten zum Bilden der mehreren Mikrofonstrukturen, wobei jede Mikrofonstruktur mindestens eine Schicht von den mehreren Schichten und einen Hohlraum der mehreren Hohlräume (14) aufweist, undTrennen (S12) der mehreren Mikrofonstrukturen voneinander.

    Verfahren zum Prozessieren einer Schichtstruktur
    6.
    发明专利
    Verfahren zum Prozessieren einer Schichtstruktur 未知

    公开(公告)号：DE102017120290B3

    公开(公告)日：2018-11-08

    申请号：DE102017120290

    申请日：2017-09-04

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BROCKMEIER ANDRE ,  FRIZA WOLFGANG ,  MAURER DANIEL

    IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  H01L21/306

    Abstract: Verfahren zum Prozessieren einer Schichtstruktur (100), wobei die Schichtstruktur (100) eine erste Schicht (102), eine über der ersten Schicht (102) angeordnete Opferschicht (104) und eine über der Opferschicht (104) angeordnete zweite Schicht (106) aufweist, wobei die zweite Schicht (106) mindestens eine Öffnung (106h) aufweist, wobei sich die mindestens eine Öffnung (106h) von einer ersten Seite (106a) der zweiten Schicht (106) bis zur Opferschicht (104) erstreckt, das Verfahren aufweisend:• Bilden einer Linerschicht (108), welche zumindest eine Innenwandung (106w) der mindestens einen Öffnung (106h) bedeckt;• Bilden einer Deckschicht (110) über der Linerschicht (108), wobei sich die Deckschicht (110) zumindest abschnittsweise in die mindestens eine Öffnung (106h) erstreckt; und• nasschemisches Ätzen der Deckschicht (110), der Linerschicht (108) und der Opferschicht (104) mittels einer Ätzlösung, wobei die Ätzlösung eine größere Ätzgeschwindigkeit für die Linerschicht (108) aufweist als für die Deckschicht (110) und wobei das nasschemische Ätzen aufweist:ein vollständiges Entfernen der Linerschicht (108) aus der mindestens einen Öffnung (106h), undzumindest teilweises Entfernen der Opferschicht (104), bevor die Deckschicht (110) vollständig aus der mindestens einen Öffnung (106h) entfernt wird.

    Verfahren zur Herstellung mehrerer Mikrofonstrukturen, Mikrofon und mobiles Gerät
    8.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung mehrerer Mikrofonstrukturen, Mikrofon und mobiles Gerät 未知

    公开(公告)号：DE102015101894A1

    公开(公告)日：2015-08-13

    申请号：DE102015101894

    申请日：2015-02-10

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BROCKMEIER ANDRE ,  GRILLE THOMAS ,  HEDENIG URSULA ,  IRSIGLER PETER ,  MAURER DANIEL ,  PIRK SOENKE

    IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  H04R1/00

    Abstract: In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zur Herstellung von Mikrofonstrukturen bereitgestellt. Das Verfahren kann Folgendes aufweisen: Bereitstellen eines Substrats, das eine Vorderseite und eine Rückseite aufweist, wobei die Rückseite von der Vorderseite abgewandt ist, und einen inneren Bereich und einen äußeren Bereich aufweist, der den inneren Bereich seitlich umgibt, wobei der innere Bereich mehrere Mikrofonbereiche aufweist, wobei jedes Mikrofon für ein Mikrofon von den mehreren Mikrofonen bereitgestellt wird (S2); Bilden mehrerer Schichten für die mehreren Mikrofone in den Mikrofonbereichen auf der Vorderseite des Substrats (S4); Bilden einer Aussparung von der Rückseite des Substrats, wobei die Aussparung den gesamten inneren Bereich seitlich überlappt (S8); Bilden mehrerer Hohlräume in einem Boden der Aussparung, wobei jeder Hohlraum von den mehreren Hohlräumen in einem der Mikrofonbereiche gebildet wird (S10); Bearbeiten der Schichten zum Bilden der mehreren Mikrofonstrukturen, wobei jede Mikrofonstruktur mindestens eine Schicht von den mehreren Schichten und einen Hohlraum aufweist; und Trennen der mehreren Mikrofonstrukturen voneinander (S12).

    Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
    9.
    发明专利
    Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung 未知

    公开(公告)号：DE102018132447B4

    公开(公告)日：2022-10-13

    申请号：DE102018132447

    申请日：2018-12-17

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BROCKMEIER ANDRE ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  KNABL MICHAEL ,  PICCIN MATTEO ,  DENIFL GÜNTER ,  KERN RONNY

    IPC: H01L21/78 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L29/78

    Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung (500), wobei das Verfahren aufweist:Vorsehen eines Hilfsträgers (680) und eines Siliziumcarbid-Substrats (700),wobei das Siliziumcarbid-Substrat (700) eine Hilfsschicht (760) und eine Vorrichtungsschicht (750) aufweist,wobei die Vorrichtungsschicht (750) zwischen der Hilfsschicht (760) und einer Hauptoberfläche (701) des Siliziumcarbid-Substrats (700) an einer Vorderseite des Siliziumcarbid-Substrats (700) gelegen ist,wobei die Vorrichtungsschicht (750) eine Vielzahl lateral getrennter Vorrichtungsgebiete (650) aufweist,wobei sich jedes Vorrichtungsgebiet (650) von der Hauptoberfläche (701) zur Hilfsschicht (760) erstreckt, undwobei der Hilfsträger (680) mit dem Siliziumcarbid-Substrat (700) an der Vorderseite strukturell verbunden ist;Entfernen der Hilfsschicht (760);Ausbilden, nach Entfernen der Hilfsschicht (760), einer Ausformungsstruktur (400), die eine gitterförmige Vertiefung (770) füllt, die die Vorrichtungsgebiete (650) lateral trennt;Entfernen des Hilfsträgers (680) nach Ausbilden der Ausformungsstruktur (400); undTrennen der Vorrichtungsgebiete (650), wobei Teile der Ausformungsstruktur (400) Rahmenstrukturen (480) bilden, die die Vorrichtungsgebiete (650) lateral umgeben.

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