公开(公告)号：DE102008058837B4

公开(公告)日：2020-06-18

申请号：DE102008058837

申请日：2008-11-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HEINRIGS WOLFGANG ,  HODEL UWE DR ,  MARTIN ANDREAS

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: Halbleitereinrichtung (100, 200), aufweisend:ein Array (102, 202), wobei das Array (102, 202) mindestens einen ersten Bereich (104, 204) und mindestens einen zweiten Bereich (106, 206) aufweist, wobei der mindestens eine erste Bereich (104, 204) mindestens eine einen in einer ersten Richtung orientierten Stromfluss aufweisende erste Einrichtung (110a, 210a) aufweist, wobei der mindestens eine zweite Bereich (106, 206) mindestens eine einen in einer zweiten Richtung orientierten Stromfluss aufweisende zweite Einrichtung (110b, 210b) aufweist, wobei die zweite Richtung von der ersten Richtung verschieden ist, wobei jede der mindestens einen ersten Einrichtung (110a, 210a) und der mindestens einen zweiten Einrichtung (110b, 210b) einen Transistor aufweisen, wobei der Transistor aufweist:eine erste Wanne (120, 220), die einen ersten Dotierungstyp aufweist,eine zweite Wanne (118, 218), die einen zweiten Dotierungstyp entgegengesetzt zur ersten Wanne (120, 220) aufweist, und die lateral angrenzend an die erste Wanne (120, 220) angeordnet ist, wobei die erste Wanne (120, 220) und die zweite Wanne (118, 218) einen ersten p-n-Übergang teilen,eine dritte Wanne (116), die den ersten Dotierungstyp aufweist und die unterhalb der zweiten Wanne (118, 218) angeordnet ist, wobei die dritte Wanne (116) mit der zweiten Wanne (118, 218) überlappt und einen zweiten p-n-Übergang mit der zweiten Wanne (118, 218) formt,einen ersten Grabenisolationsbereich (132), der in der ersten Wanne (120, 220) angeordnet ist,einen zweiten Grabenisolationsbereich (126), der in der zweiten Wanne (118, 218) angeordnet ist,einen Bodykontakt (B), der in der ersten Wanne angeordnet ist,einen Sourcekontakt (S), der in der ersten Wanne (120, 220) angeordnet ist und durch den ersten Grabenisolationsbereich (132) von dem Bodykontakt (B) isoliert ist,einen Drainkontakt (D), der in der zweiten Wanne (118, 218) angeordnet ist, wobei der zweite Grabenisolationsbereich (126) zwischen dem ersten p-n-Übergang und dem Drainkontakt (D) angeordnet ist,einen ersten Gatekontakt (G1), der über einem Abschnitt der ersten Wanne (120, 220) angeordnet ist,einen zweiten Gatekontakt (G2), der über einem Abschnitt der ersten Wanne (120, 220), dem Übergang (122a), einem Abschnitt der zweiten Wanne (118, 218) und einem Abschnitt des zweiten Grabenisolationsbereichs (126) angeordnet ist, wobei der erste Gatekontakt (G1) und der zweite Gatekontakt (G2) physikalisch getrennt sind und parallel verlaufen, wobei der erste Gatekontakt (G1) der mindestens einen ersten Einrichtung (110a, 210a) entlang der zweiten Richtung verläuft und der erste Gatekontakt (G1) der mindestens einen zweiten Einrichtung (110b, 210b) entlang der ersten Richtung verläuft, wobei die zweite Richtung senkrecht zu der ersten Richtung verläuft, wobei die dritte Wanne (116) mit einem Randbereich der ersten Wanne (120, 220) nahe des ersten p-n-Übergangs überlappt.