公开(公告)号：DE102009013098B4

公开(公告)日：2018-08-16

申请号：DE102009013098

申请日：2009-03-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOLMER RAINER DR ,  POEPPEL GERHARD

IPC: G01R31/28 ,  G01R31/26

Abstract: Verfahren zum Durchführen eines Feldtests unter erhöhter Spannung an einem Halbleiterbauelement, aufweisend:- Einleiten einer Basisspannung in ein Bauelementgehäuse, in dem sich ein Halbleiterbauelement, an das eine gegenüber der Basisspannung erhöhte Prüfspannung anzulegen ist, befindet;- Erzeugen einer gegenüber der Basisspannung erhöhten Prüfspannung aus der eingeleiteten Basisspannung in dem Bauelementgehäuse;- Anlegen der Prüfspannung an das Halbleiterbauelement; und- Durchführen eines Feldtests des Halbleiterbauelements mit der angelegten Prüfspannung.

公开(公告)号：DE102008048879B4

公开(公告)日：2017-04-06

申请号：DE102008048879

申请日：2008-09-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOLMER RAINER DR ,  POEPPEL GERHARD

IPC: G01R31/26 ,  G01R31/28

Abstract: Verfahren (100) zum Anlegen einer Hochspannung an ein Halbleiterbauelement (205), aufweisend: • Erzeugen einer Niederspannung an einer von einem Halbleiterbauelement (205), an das eine Hochspannung anzulegen ist, räumlich entfernten Position (101), wobei die Niederspannung so gewählt ist, dass in einem mit ihr beaufschlagten Vorrichtungsteil unter Normalbedingungen keine Spannungsüberschläge zu erwarten sind; • Zuleiten der Niederspannung zu einer dem Halbleiterbauelement räumlich benachbarten Position (102); • Erzeugen einer Hochspannung aus der zugeleiteten Niederspannung an der dem Halbleiterbauelement räumlich benachbarten Position (103), wobei die Hochspannung größer als die Niederspannung ist, und wobei die Hochspannung größer als 300 Volt ist; und • Anlegen der Hochspannung an das Halbleiterbauelement (104).