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    Spin-Bauelement
    1.
    发明专利
    Spin-Bauelement 未知

    公开(公告)号：DE102010000904A1

    公开(公告)日：2010-08-12

    申请号：DE102010000904

    申请日：2010-01-14

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： POEPPEL GERHARD ,  ROBL WERNER ,  TIMME HANS-JOERG

    IPC: H01L29/82

    Abstract: Gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung umfasst ein Spin-Bauelement eine Zwischenhalbleiterregion, die zwischen einem ersten Anschluss und einem zweiten Anschluss angeordnet ist, wobei der erste Anschluss angepasst ist, um einen Strom mit einem ersten Grad einer Spin-Polarisation an die Zwischenhalbleiterregion zu liefern, und wobei der zweite Anschluss angepasst ist, um den Strom mit einem zweiten Grad einer Spin-Polarisation auszugeben. Das Spin-Bauelement umfasst ferner eine spinselektive Streustruktur, die an die Zwischenhalbleiterregion angrenzt, wobei die spinselektive Streustruktur derart angepasst ist, dass der erste Grad einer Spin-Polarisation zu dem zweiten Grad verändert wird, wobei die spinselektive Streustruktur eine Steuerelektrode aufweist, die elektrisch von der Zwischenhalbleiterregion isoliert ist, und wobei die Steuerelektrode angepasst ist, um ein elektrisches Feld, das senkrecht zu einer Richtung des Stroms durch die Zwischenhalbleiterregion ist, anzulegen, um einen Betrag des Stroms zu steuern.

    2.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE50306000D1

    公开(公告)日：2007-02-01

    申请号：DE50306000

    申请日：2003-02-03

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： POEPPEL GERHARD

    IPC: G01R31/3185 ,  G05B19/418 ,  H01L21/66

    Abstract: Method for fault analysis in wafer fabrication has the following steps: (a) at least one wafer with a multiplicity of chips is provided (b) the chips are examined with respect to their properties (c) the results of the examination are transformed to a standard wafer with a predefined number of standard chips and (d) the transformed results are evaluated.

    3.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE10260186B3

    公开(公告)日：2004-06-24

    申请号：DE10260186

    申请日：2002-12-20

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： POEPPEL GERHARD ,  WALTER JUERGEN

    IPC: G06K9/00 ,  G06K9/20

    Abstract: The sensor has a touch-contact surface (1) provided with a sensor element array extending in 2 orthogonal directions (x,y) with different raster spacings (R1), used for image detection, an electrically-conductive structure (3) between the sensor elements (2) for diversion of electrical charges.

    Vorrichtung zur Ermittlung von Gaskonzentrationen
    5.
    发明专利
    Vorrichtung zur Ermittlung von Gaskonzentrationen 未知

    公开(公告)号：DE102012006047B3

    公开(公告)日：2013-08-01

    申请号：DE102012006047

    申请日：2012-03-27

    Applicant: DEUTSCH ZENTR LUFT & RAUMFAHRT ,  INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SCHREIER FRANZ ,  POEPPEL GERHARD ,  KOHLERT DIETER

    IPC: G01N21/25

    Abstract: Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Ermittlung von Gaskonzentrationen in einem Untersuchungsvolumen, umfassend: eine Strahlungsquelle (Qu), mit der ein elektromagnetischer Strahl erzeugbar ist, eine der Strahlungsquelle (Qu) nachgeschaltete Strahllenkungseinrichtung (LE), mit der eine Vielzahl von Strahlführungen des in die Strahllenkungseinrichtung (LE) eintretenden Strahls (ST) in einer Beobachtungsebene in dem Untersuchungsvolumen einstellbar sind, ein der Strahllenkungseinrichtung (LE) nachgeschaltetes Spektrometer (S), mit dem eine Spektralanalyse des die Strahllenkungseinrichtung (LE) verlassenden Strahls (ST) durchführbar ist, eine Steuereinheit (SE) zur Steuerung der Strahlungsquelle (Qu), der Strahllenkungseinrichtung (LE) und des Spektrometers (S), und eine Auswerteeinheit (AE), mit der auf Basis der Spektralanalyse für die unterschiedlichen Strahlführungen in der Beobachtungsebene eine 2D-Konzentrationsverteilung für ein oder mehrere Gase in dem Untersuchungsvolumen ermittelbar ist. Die Vorrichtung zeichnet sich dadurch aus, dass die Strahllenkungseinheit (LE) aufweist: zwei voneinander mit einem Abstand A1 beabstandete erste Strahlumlenkungseinheiten (M1, M2), zwischen denen eine in der Beobachtungsebene liegende erste Strahlachse ausgebildet ist, zwei voneinander mit einem Abstand A2 beabstandete zweite Strahlumlenkungseinheiten (M4, M5), zwischen denen eine in der Beobachtungsebene liegende zweite Strahlachse ausgebildet ist, die orthogonal zu der ersten Strahlachse verläuft, wobei zur Einstellung der Strahlführung die ersten Strahlumlenkungseinheiten (M1, M2) in der Beobachtungsebene orthogonal zur ersten Strahlachse gemeinsam verfahrbar sind, und die zweiten Strahlumlenkungseinheiten (M4, M5) in der Beobachtungsebene orthogonal zur zweiten Strahlachse gemeinsam verfahrbar sind, wobei sich die erste und die zweite Strahlachse stets zwischen den Strahlumlenkungseinheiten (M1, M2) und zwischen den Strahlumlenkungseinheiten (M4, M5) kreuzen; und die Strahllenkungseinheit (LE) derart ausgeführt und eingerichtet ist, dass ein von der Strahlenquelle (Qu) ausgesandeter Strahl stets über einen ersten Gesamt-Strahlweg: Qu–M1–M2–M4–M5–S oder über einen zweiten Gesamt-Strahlweg: Qu–M1–M2–M4–M5–M4–M2–M1–S auf das Spektrometer (S) gelenkt wird.

    6.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE59808096D1

    公开(公告)日：2003-05-28

    申请号：DE59808096

    申请日：1998-12-11

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： FEDERL PETER ,  POEPPEL GERHARD ,  WACHTMEISTER FRANK

    IPC: G01N1/00 ,  G05B23/02

    Abstract: The method involves measuring time dependent operating parameters as measurement curves. Time independent measurement counts are generated from the measured operating parameters. The time independent measurement counts are input into a classifier which differentiates between normal conditions of the operating system and abnormal conditions of the operating system. The classifier is preferably a neural network. There is also provided a method of filtering out abnormal vectors. The distance from each vector to each other vector is determined by a distance measurement. Those vectors whose distance exceeds a threshold value are filtered out.

    Verfahren zur Reduzierung des Schichtwiderstands in einer elektronischen Vorrichtung
    7.
    发明专利
    Verfahren zur Reduzierung des Schichtwiderstands in einer elektronischen Vorrichtung 未知

    公开(公告)号：DE102015107489B4

    公开(公告)日：2020-07-02

    申请号：DE102015107489

    申请日：2015-05-12

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： FÜRGUT EDWARD ,  ESCHER-POEPPEL IRMGARD ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  GANITZER PAUL ,  FASSL STEPHANIE ,  POEPPEL GERHARD ,  WIEDENHOFER HARALD

    IPC: H01L21/60 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28 ,  H01L21/56 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52

    Abstract: Verfahren zur Reduzierung eines Schichtwiderstands in einer elektronischen Vorrichtung, wobei das Verfahren Folgendes umfasst:Bereitstellen einer elektronischen Vorrichtung, umfassend eine mehrschichtige Struktur, welche eine Metallisierungsschicht und eine Halbleiterschicht aufweist;wobei die elektronische Vorrichtung mindestens einen ersten Bereich und einen zweiten Bereich aufweist, wobei der mindestens eine erste Bereich durch die Metallisierungsschicht der mehrschichtigen Struktur gebildet wird und der zweite Bereich durch ein Kapselungsmaterial eingekapselt wird, wobei das Kapselungsmaterial eine Formmasse ist,Bilden einer Absorptionsschicht, welche eine Rückseite des ersten Bereichs abdeckt,Bilden einer Reflexionsschicht, welche eine Rückseite des zweiten Bereichs abdeckt, undlokales Einführen von Energie mittels einer Lichtquelle nach dem Bilden der Absorptionsschicht und der Reflexionsschicht in die Rückseiten des ersten Bereichs und des zweiten Bereichs, um einen Schichtwiderstand zu reduzieren,wobei eine höhere Energiemenge in die mehrschichtige Struktur eingeführt wird als in das Kapselungsmaterial.

    Sensoranordnung zur Teilchenanalyse und Verfahren zur Teilchenanalyse
    8.
    发明专利
    Sensoranordnung zur Teilchenanalyse und Verfahren zur Teilchenanalyse 未知

    公开(公告)号：DE102017102788A1

    公开(公告)日：2017-08-17

    申请号：DE102017102788

    申请日：2017-02-13

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： ROEDIG HERBERT ,  RUHL GÜNTHER ,  HIRSCH THOMAS ,  POEPPEL GERHARD

    IPC: G01N15/02 ,  G01N27/02 ,  G01N27/12

    Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Sensoranordnung (100) zur Teilchenanalyse Folgendes umfassen: eine Basiselektrode (102), die dazu ausgelegt ist, ein elektrisches Feld zur Teilchenanziehung zu erzeugen; eine Trägerschicht (104), die über der Basiselektrode (102) angeordnet ist; ein Sensorarray (106), das über der Trägerschicht (104) angeordnet ist und mehrere Sensorelemente (106a, 106b) umfasst oder aus diesen ausgebildet ist, wobei jedes Sensorelement (106a, 106b) der mehreren Sensorelemente (106a, 106b) dazu ausgelegt ist, ein elektrisches Signal als Antwort auf ein Teilchen, das an dem Sensorelement (106a, 106b) adsorbiert wird und/oder sich dem Sensorelement (106a, 106b) nähert, zu erzeugen oder zu modifizieren; und eine elektrische Kontaktstruktur (108) kann mehrere Kontaktleitungen umfassen oder aus diesen ausgebildet sein, wobei jede Kontaktleitung der mehreren Kontaktleitungen mit einem jeweiligen Sensorelement (106a, 106b) der mehreren Sensorelemente (106a, 106b) derartig elektrisch verbunden ist, dass jedes Sensorelement (106a, 106b) der mehreren Sensorelemente (106a, 106b) über die Kontaktstruktur (108) adressierbar ist.

    Verfahren zum Anlegen einer Prüfspannung an ein Halbleiterbauelement und Halbleiteranordnung
    9.
    发明专利
    Verfahren zum Anlegen einer Prüfspannung an ein Halbleiterbauelement und Halbleiteranordnung 未知

    公开(公告)号：DE102009013098A1

    公开(公告)日：2010-09-23

    申请号：DE102009013098

    申请日：2009-03-13

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： HOLMER RAINER ,  POEPPEL GERHARD

    IPC: G01R31/28 ,  G01R31/26

    Abstract: Ein Verfahren zum Anlegen einer Prüfspannung an ein Halbleiterbauelement beinhaltet Einleiten einer Basisspannung in ein Bauelementgehäuse, in dem sich ein Halbleiterbauelement befindet, an das eine gegenüber der Basisspannung erhöhte Prüfspannung anzulegen ist, Erzeugen einer gegenüber der Basisspannung erhöhten Prüfspannung aus der eingeleiteten Basisspannung in dem Bauelementgehäuse und Anlegen der Prüfspannung an das Halbleiterbauelement. Eine Halbleiteranordnung zur Ausführung des Verfahrens wird bereitgestellt.

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