公开(公告)号：DE102014115815B4

公开(公告)日：2022-11-17

申请号：DE102014115815

申请日：2014-10-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HUNGER ULRICH THOMAS ,  EHLERS CARSTEN

IPC: H01L23/14 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L25/07

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Schaltungsträgers mit den Schritten:Bereitstellen eines dielektrischen Isolationsträgers (20), auf den eine obere Metallisierungsschicht (21) aufgebracht ist, die einen Metallisierungsabschnitt (25) aufweist, wobei der Metallisierungsabschnitt (25) eine dem Isolationsträger (20) zugewandte Unterseite (25b) aufweist, eine dem Isolationsträger (20) abgewandte Oberseite (25t), sowie eine ringförmig geschlossene Seitenfläche (25s), die den Metallisierungsabschnitt (25) seitlich begrenzt und die sich durchgehend zwischen der Oberseite (25t) und der Unterseite (25b) erstreckt; undErzeugen einer dielektrischen Beschichtung (3), die auf der Seitenfläche (25s) und der Oberseite (25t) aufliegt und die sich durchgehend von der Seitenfläche (25s) bis auf die Oberseite (25t) erstreckt;wobei die Oberseite (25t) einen ersten zusammenhängenden Abschnitt (25m) aufweist, der von der Seitenfläche (25s) beabstandet ist und der nicht von der dielektrischen Beschichtung (3) bedeckt ist;wobei die dielektrische Beschichtung (3) dadurch erzeugt wird, dassein dielektrisches Material als geschlossene Schicht (3') auf den Metallisierungsabschnitt (25) aufgebracht und dabei stoffschlüssig mit diesem verbunden wird, und die geschlossene Schicht (3') geöffnet wird, so dass der zusammenhängende Abschnitt (25m) frei liegt;wobei das Öffnen der geschlossenen Schicht (3') durch Photostrukturierung erfolgt, indem- die geschlossene Schicht (3') als photopositive oder photonegative lichtempfindliche Schicht ausgebildet ist, die selektiv belichtet und danach im Bereich des zusammenhängenden Abschnitts (25m) geöffnet wird, während aus einem verbleibenden Teil der geschlossenen Schicht (3') die dielektrische Beschichtung (3) gebildet wird; oder- auf der geschlossenen Schicht (3') eine strukturierte Maske (8) erzeugt und die geschlossene Schicht (3') unter Verwendung der strukturierten Maske (8) derart strukturiert wird, dass sie im Bereich des zusammenhängenden Abschnitts (25m) geöffnet wird, während aus einem verbleibenden Teil der geschlossenen Schicht (3') die dielektrische Beschichtung (3) gebildet wird.

公开(公告)号：DE102014115815A1

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：DE102014115815

申请日：2014-10-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HUNGER ULRICH THOMAS ,  EHLERS CARSTEN

IPC: H01L23/14 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L25/07

Abstract: Ein Aspekt der Erfindung betrifft einen Schaltungsträger (2). Dieser weist einen dielektrischen Isolationsträger (20) auf, eine obere Metallisierungsschicht (21), die auf den dielektrischen Isolationsträger (20) aufgebracht ist, sowie eine dielektrische Beschichtung (3). Die obere Metallisierungsschicht (21) weist einen Metallisierungsabschnitt (25) auf, der eine dem Isolationsträger (20) zugewandte Unterseite (25b) besitzt, eine dem Isolationsträger (20) abgewandte Oberseite (25t), sowie eine ringförmig geschlossene Seitenfläche (25s), die den Metallisierungsabschnitt (25) seitlich begrenzt und die sich durchgehend zwischen der Oberseite (25t) und der Unterseite (25b) erstreckt. Die dielektrische Beschichtung (3) liegt auf der Seitenfläche (25s) und der Oberseite (25t) auf und erstreckt sich durchgehend von der Seitenfläche (25s) bis auf die Oberseite (25t).