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    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SCHALTUNGSTRÄGERS, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERANORDUNG, VERFAHREN ZUM BETRIEB EINER HALBLEITERANORDNUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERMODULS
    1.
    发明专利
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SCHALTUNGSTRÄGERS, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERANORDUNG, VERFAHREN ZUM BETRIEB EINER HALBLEITERANORDNUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERMODULS 未知

    公开(公告)号：DE102014115815B4

    公开(公告)日：2022-11-17

    申请号：DE102014115815

    申请日：2014-10-30

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： HUNGER ULRICH THOMAS ,  EHLERS CARSTEN

    IPC: H01L23/14 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L25/07

    Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Schaltungsträgers mit den Schritten:Bereitstellen eines dielektrischen Isolationsträgers (20), auf den eine obere Metallisierungsschicht (21) aufgebracht ist, die einen Metallisierungsabschnitt (25) aufweist, wobei der Metallisierungsabschnitt (25) eine dem Isolationsträger (20) zugewandte Unterseite (25b) aufweist, eine dem Isolationsträger (20) abgewandte Oberseite (25t), sowie eine ringförmig geschlossene Seitenfläche (25s), die den Metallisierungsabschnitt (25) seitlich begrenzt und die sich durchgehend zwischen der Oberseite (25t) und der Unterseite (25b) erstreckt; undErzeugen einer dielektrischen Beschichtung (3), die auf der Seitenfläche (25s) und der Oberseite (25t) aufliegt und die sich durchgehend von der Seitenfläche (25s) bis auf die Oberseite (25t) erstreckt;wobei die Oberseite (25t) einen ersten zusammenhängenden Abschnitt (25m) aufweist, der von der Seitenfläche (25s) beabstandet ist und der nicht von der dielektrischen Beschichtung (3) bedeckt ist;wobei die dielektrische Beschichtung (3) dadurch erzeugt wird, dassein dielektrisches Material als geschlossene Schicht (3') auf den Metallisierungsabschnitt (25) aufgebracht und dabei stoffschlüssig mit diesem verbunden wird, und die geschlossene Schicht (3') geöffnet wird, so dass der zusammenhängende Abschnitt (25m) frei liegt;wobei das Öffnen der geschlossenen Schicht (3') durch Photostrukturierung erfolgt, indem- die geschlossene Schicht (3') als photopositive oder photonegative lichtempfindliche Schicht ausgebildet ist, die selektiv belichtet und danach im Bereich des zusammenhängenden Abschnitts (25m) geöffnet wird, während aus einem verbleibenden Teil der geschlossenen Schicht (3') die dielektrische Beschichtung (3) gebildet wird; oder- auf der geschlossenen Schicht (3') eine strukturierte Maske (8) erzeugt und die geschlossene Schicht (3') unter Verwendung der strukturierten Maske (8) derart strukturiert wird, dass sie im Bereich des zusammenhängenden Abschnitts (25m) geöffnet wird, während aus einem verbleibenden Teil der geschlossenen Schicht (3') die dielektrische Beschichtung (3) gebildet wird.

    VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES SUBSTRATES
    2.
    发明专利
    VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES SUBSTRATES 未知

    公开(公告)号：DE102020115990B3

    公开(公告)日：2021-10-07

    申请号：DE102020115990

    申请日：2020-06-17

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： CRAES FABIAN ,  EHLERS CARSTEN ,  HOHLFELD OLAF ,  WILKE ULRICH

    IPC: H01L21/58 ,  H01L23/14 ,  H01L25/07

    Abstract: Ein Verfahren weist das Formen einer ersten elektrisch leitenden Schicht auf einer ersten Seite einer dielektrischen Isolationsschicht, das Formen einer strukturierten Maskenschicht auf einer der dielektrischen Isolationsschicht abgewandten Seite der ersten elektrisch leitenden Schicht, das Formen wenigstens eines Grabens in der ersten elektrisch leitenden Schicht, wobei sich der wenigstens eine Graben durch die gesamte erste elektrisch leitende Schicht hindurch zu der dielektrischen Isolationsschicht erstreckt, das Formen einer Beschichtung, welche wenigstens den Boden und die Seitenwände des wenigstens einen Grabens bedeckt, und, nach dem Formen der Beschichtung, das Entfernen der Maskenschicht auf.

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