公开(公告)号：DE102006046790B4

公开(公告)日：2014-01-02

申请号：DE102006046790

申请日：2006-10-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUHL GUENTHER DR ,  HAMMER MARKUS ,  KAINZBAUER REGINA

IPC: H01L23/525

Abstract: Integriertes Bauelement (96, 96a), umfassend: einen elektrisch isolierenden ersten Schichtbereich (51, 51a), einen elektrisch leitfähigen ersten Abschnitt (24) einer Fuse angeordnet an dem ersten Schichtbereich (51, 51a), einen elektrisch leitfähigen zweiten Abschnitt (26) einer Fuse angeordnet an dem ersten Schichtbereich (51, 51a), einen elektrisch isolierenden zweiten Schichtbereich (61a), eine erste Aussparung (38, 38a) in dem zweiten Schichtbereich (61a), und eine zweite Aussparung (92), die sich von der ersten Aussparung (38, 38a) bis zum ersten Schichtbereich (51, 51a), bis zum ersten Abschnitt (24) und bis zum zweiten Abschnitt (26) erstreckt, wobei der zweite Schichtbereich (61) die zweite Aussparung (92) um einen Abstand (A1) überragt, der mindestens 100 Nanometer beträgt, wobei der zweite Schichtbereich (61) eine Schichtdicke (D4) größer als 400 Nanometer hat.

公开(公告)号：DE102006046790A1

公开(公告)日：2008-04-10

申请号：DE102006046790

申请日：2006-10-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUHL GUENTHER ,  HAMMER MARKUS ,  KAINZBAUER REGINA

IPC: H01L23/525

Abstract: An integrated component includes a semiconductor substrate; at least one interconnect applied on the semiconductor substrate; an insulating layer applied on the at least one interconnect; and at least one opening through the insulating layer which interrupts the at least one interconnect into a first section and a second section.