公开(公告)号：DE19927287C2

公开(公告)日：2001-08-23

申请号：DE19927287

申请日：1999-06-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： TEMPEL GEORG ,  HAMMER MARKUS ,  KLEE VEIT ,  JACOB MICHAEL

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8247

公开(公告)号：DE102011016360B4

公开(公告)日：2019-10-02

申请号：DE102011016360

申请日：2011-04-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HAMMER MARKUS ,  RUHL GUENTHER

IPC: B60Q1/00 ,  B60Q1/26 ,  B60Q11/00 ,  F21S45/00 ,  G07C1/00 ,  H05B37/03

Abstract: Fahrzeugbeleuchtungsanordnung (500), umfassend:ein Leuchtmittel (100),eine Leuchtmitteltreiberschaltung (300),einen Sensor (200),einen nichtflüchtigen Speicher (400) undeine Zeiterfassungsanordnung,wobei die Leuchtmitteltreiberschaltung (300) dazu ausgebildet ist, während einer Leuchtmittelansteuerung das Leuchtmittel (100) so anzusteuern, dass das Leuchtmittel (100) Licht emittiert,wobei der Sensor (200) dazu ausgebildet ist, einen Sensorzustand des Leuchtmittels (100) zu erfassen,wobei die Fahrzeugbeleuchtungsanordnung (500) dazu ausgebildet ist, einen von dem Sensor (200) erfassten Sensorzustand des Leuchtmittels (100) einzulesen und den eingelesenen Sensorzustand in den nichtflüchtigen Speicher (400) zu schreiben, undwobei die Fahrzeugbeleuchtungsanordnung (500) ausgebildet ist, einen Sensorzustand und/oder einen Beginnzustand, welcher den Beginn einer Leuchtmittelansteuerung repräsentiert, und/oder einen Endezustand, welcher das Ende einer Leuchtmittelansteuerung repräsentiert, mit einem von der Zeiterfassungsanordnung abhängigen Zeitstempel in den nichtflüchtigen Speicher (400) zu schreiben.

公开(公告)号：DE102008052470A1

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：DE102008052470

申请日：2008-10-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HAMMER MARKUS ,  RUHL GUENTHER ,  STRASER ANDREAS ,  MELZL MICHAEL ,  GOELLNER REINHARD ,  GROTELOH DOERTHE

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L23/50

Abstract: An integrated circuit includes a substrate. A surface region of the substrate includes a contact pad region. A passivation layer stack includes at least one passivation layer. The passivation layer stack is formed over the surface region and adjacent to the contact pad region. An upper portion of the passivation layer stack is removed in, in a portion of the passivation layer stack proximate the contact pad region.

公开(公告)号：DE10148491A1

公开(公告)日：2003-04-24

申请号：DE10148491

申请日：2001-10-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HAMMER MARKUS

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/314

公开(公告)号：DE102008052470B4

公开(公告)日：2021-12-23

申请号：DE102008052470

申请日：2008-10-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HAMMER MARKUS ,  MELZL MICHAEL ,  RUHL GÜNTHER DR ,  STRASSER ANDREAS DR ,  GÖLLNER REINHARD ,  GROTELOH DÖRTHE

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L23/50

Abstract: Verfahren zum Prozessieren eines Kontaktpads (103), das Verfahren aufweisend:• Bilden eines Passivierungsschichtstapels (101) auf zumindest einer oberen Oberfläche (103a) des Kontaktpads (103), wobei der Passivierungsschichtstapel (101) mindestens eine Passivierungsschicht (101a, 101b, 101c) aufweist;• Entfernen eines ersten Teilbereichs (101d) des Passivierungsschichtstapels (101) von oberhalb des Kontaktpads (103), wobei ein zweiter Teilbereich (101e) des Passivierungsschichtstapels (101) auf dem Kontaktpad (103) verbleibt und das Kontaktpad (103) bedeckt;• Bilden einer Haftschicht (108) auf dem Passivierungsschichtstapel (101);• Strukturieren der Haftschicht (108), wobei die Haftschicht (108) von oberhalb des Kontaktpads (103) entfernt wird;• Entfernen des zweiten Teilbereichs (101e) des Passivierungsschichtstapels (101), wodurch die obere Oberfläche (103a) des Kontaktpads (103) freigelegt wird; und• Bilden eines Verstärkungsschichtstapels (111) auf der oberen Oberfläche (103a) des Kontaktpads (103) nach dem Entfernen des zweiten Teilbereichs (101e) des Passivierungsschichtstapels (101), wobei der Verstärkungsschichtstapel (111) mindestens eine Verstärkungsschicht (111a, 111b, 111c) aufweist und wobei der Verstärkungsschichtstapel (111) in dem Passivierungsschichtstapel (101) derart versenkt ist, dass eine obere Oberfläche des Verstärkungsschichtstapels (111) bündig ist mit einer oberen Oberfläche des Passivierungsschichtstapels (101).

公开(公告)号：DE102012100027A1

公开(公告)日：2012-07-19

申请号：DE102012100027

申请日：2012-01-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HAMMER MARKUS ,  KNOTT BERNHARD ,  STRASSER ANDREAS ,  WAHL UWE ,  WILLKOFER STEFAN

IPC: H01L25/065

Abstract: Es werden ein Halbleiterbauelement, ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements und ein Verfahren zur Übertragung eines Signals offenbart. Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weist das Halbleiterbauelement einen ersten Halbleiterchip (100), der eine erste Spule (130) aufweist, einen zweiten Halbleiterchip (200), der eine zweite Spule (240), die induktiv mit der ersten Spule (130) gekoppelt ist, aufweist, und eine isolierende Zwischenschicht (270) zwischen dem ersten Halbleiterchip (100) und dem zweiten Halbleiterchip (200) auf.

公开(公告)号：DE10148491B4

公开(公告)日：2006-09-07

申请号：DE10148491

申请日：2001-10-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HAMMER MARKUS

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/28 ,  H01L21/314 ,  H01L21/336 ,  H01L27/115

公开(公告)号：DE102006046790B4

公开(公告)日：2014-01-02

申请号：DE102006046790

申请日：2006-10-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUHL GUENTHER DR ,  HAMMER MARKUS ,  KAINZBAUER REGINA

IPC: H01L23/525

Abstract: Integriertes Bauelement (96, 96a), umfassend: einen elektrisch isolierenden ersten Schichtbereich (51, 51a), einen elektrisch leitfähigen ersten Abschnitt (24) einer Fuse angeordnet an dem ersten Schichtbereich (51, 51a), einen elektrisch leitfähigen zweiten Abschnitt (26) einer Fuse angeordnet an dem ersten Schichtbereich (51, 51a), einen elektrisch isolierenden zweiten Schichtbereich (61a), eine erste Aussparung (38, 38a) in dem zweiten Schichtbereich (61a), und eine zweite Aussparung (92), die sich von der ersten Aussparung (38, 38a) bis zum ersten Schichtbereich (51, 51a), bis zum ersten Abschnitt (24) und bis zum zweiten Abschnitt (26) erstreckt, wobei der zweite Schichtbereich (61) die zweite Aussparung (92) um einen Abstand (A1) überragt, der mindestens 100 Nanometer beträgt, wobei der zweite Schichtbereich (61) eine Schichtdicke (D4) größer als 400 Nanometer hat.

公开(公告)号：DE102011016360A1

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：DE102011016360

申请日：2011-04-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HAMMER MARKUS ,  RUHL GUENTHER

IPC: B60Q1/00 ,  B60Q1/26 ,  F21S8/10 ,  G07C1/00

Abstract: Eine Fahrzeugbeleuchtungsanordnung (500) mit einem Leuchtmittel (100), einer Leuchtmitteltreiberschaltung (300), einem Sensor (200) und einem nichtflüchtigen Speicher (400), wobei die Leuchtmitteltreiberschaltung (300) dazu ausgebildet ist, während einer Leuchtmittelansteuerung das Leuchtmittel (100) so anzusteuern, dass das Leuchtmittel (100) Licht emittiert und wobei der Sensor (200) dazu ausgebildet ist, einen Sensorzustand des Leuchtmittels (100) zu erfassen und wobei die Fahrzeugbeleuchtungsanordnung (500) dazu ausgebildet ist, einen von dem Sensor (200) erfassten Sensorzustand des Leuchtmittels (100) einzulesen und den eingelesenen Sensorzustand in den nichtflüchtigen Speicher (400) zu schreiben.

公开(公告)号：DE102006046790A1

公开(公告)日：2008-04-10

申请号：DE102006046790

申请日：2006-10-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUHL GUENTHER ,  HAMMER MARKUS ,  KAINZBAUER REGINA

IPC: H01L23/525

Abstract: An integrated component includes a semiconductor substrate; at least one interconnect applied on the semiconductor substrate; an insulating layer applied on the at least one interconnect; and at least one opening through the insulating layer which interrupts the at least one interconnect into a first section and a second section.