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公开(公告)号:DE102020100584A1
公开(公告)日:2021-03-11
申请号:DE102020100584
申请日:2020-01-13
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: SCHULZ MARTIN , KONAKANCHI AJAY KUMAR TEJASWI , KLOCKENKAEMPER STEFAN
IPC: H01L23/473 , H01L23/10
Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung umfasst das Bereitstellen eines Trägers, der dazu ausgebildet ist, zumindest einen Halbleiterchip auf einer ersten Seite zu tragen und das Dispensieren eines Polymers auf eine der ersten Seite gegenüberliegende zweite Seite zum Erzeugen eines Dichtungsrings, wobei das Polymer derart dispensiert wird, dass der erzeugte Dichtungsring entlang seines Umfangs unterschiedliche Höhen senkrecht zur zweiten Seite aufweist.