公开(公告)号：DE102013107632B4

公开(公告)日：2022-03-17

申请号：DE102013107632

申请日：2013-07-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  LAVEN JOHANNES ,  FUCHS DIETER ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  KNÖFLER ROMAN

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/36 ,  H01L29/06 ,  H01L29/161 ,  H01L29/417 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Superübergang-Halbleitervorrichtung, umfassend:Aufwachsen durch Epitaxie von einer ersten Unterschicht (131) auf einer Substratschicht (139),Implantieren von Fremdstoffen (402) eines ersten Leitfähigkeitstyps in ersten Abschnitten einer ersten Oberfläche (101a) der ersten Unterschicht (131) mittels eines Ionenimplantationsprozesses mit ausgerichteter niedriger Divergenz, wobei eine Hauptstrahlrichtung (495) von einer Hauptkristallrichtung (485), längs welcher eine Kanalisierung von implantierten Ionen auftritt, um höchstens 1 Grad abweicht und eine Hauptstrahl-Einfallswinkeldivergenz höchstens ± 0,5 Grad beträgt,Aufwachsen durch Epitaxie von einer zweiten Unterschicht (131) auf der ersten Unterschicht (131), undImplantieren von Fremdstoffen (402) des ersten Leitfähigkeitstyps in Abschnitten einer ersten Oberfläche (101b) der zweiten Unterschicht (131) in einer Projektion der ersten Abschnitte längs der Hauptkristallrichtung (485) mittels des Ionenimplantationsprozesses mit ausgerichteter niedriger Divergenz.