公开(公告)号：DE102015109545B4

公开(公告)日：2021-10-21

申请号：DE102015109545

申请日：2015-06-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  HIRLER FRANZ ,  KAMPEN CHRISTIAN ,  BACH KARL HEINZ ,  SIEMIENIEC RALF ,  SCHUSTEREDER WERNER

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: Transistorbauelement, das zumindest eine Transistorzelle aufweist, wobei die zumindest eine Transistorzelle aufweist:in einem Halbleiterkörper (100), ein Driftgebiet (11) von einem ersten Dotierungstyp, ein Sourcegebiet (14) vom ersten Dotierungstyp, ein Bodygebiet (15) von einem zweiten Dotierungstyp, und ein Draingebiet (17) vom ersten Dotierungstyp, wobei das Bodygebiet (15) zwischen dem Sourcegebiet (14) und dem Driftgebiet (11) angeordnet ist, und wobei das Driftgebiet (11) zwischen dem Bodygebiet (15) und dem Draingebiet (17) angeordnet ist;eine zu dem Bodygebiet (15) benachbarte und durch ein Gatedielektrikum (22) gegenüber dem Bodygebiet (15) dielektrisch isolierte Gateelektrode (21);eine Feldelektrode (31), die durch ein Feldelektrodendielektrikum (32) gegenüber dem Driftgebiet (11) dielektrisch isoliert ist;wobei das Driftgebiet (11) ein Lawinengebiet (13) aufweist, wobei das Lawinengebiet (13) eine höhere Dotierungskonzentration aufweist als zu dem Lawinengebiet benachbarte Abschnitte des Driftgebiets (11), und das in einer Richtung senkrecht zu einer Stromflussrichtung des Transistorbauelements von dem Feldelektrodendielektrikum (32) beabstandet ist,wobei die Feldelektrode (31) in einem nadelförmigen Graben angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102015107489B4

公开(公告)日：2020-07-02

申请号：DE102015107489

申请日：2015-05-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FÜRGUT EDWARD ,  ESCHER-POEPPEL IRMGARD ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  GANITZER PAUL ,  FASSL STEPHANIE ,  POEPPEL GERHARD ,  WIEDENHOFER HARALD

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28 ,  H01L21/56 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52

Abstract: Verfahren zur Reduzierung eines Schichtwiderstands in einer elektronischen Vorrichtung, wobei das Verfahren Folgendes umfasst:Bereitstellen einer elektronischen Vorrichtung, umfassend eine mehrschichtige Struktur, welche eine Metallisierungsschicht und eine Halbleiterschicht aufweist;wobei die elektronische Vorrichtung mindestens einen ersten Bereich und einen zweiten Bereich aufweist, wobei der mindestens eine erste Bereich durch die Metallisierungsschicht der mehrschichtigen Struktur gebildet wird und der zweite Bereich durch ein Kapselungsmaterial eingekapselt wird, wobei das Kapselungsmaterial eine Formmasse ist,Bilden einer Absorptionsschicht, welche eine Rückseite des ersten Bereichs abdeckt,Bilden einer Reflexionsschicht, welche eine Rückseite des zweiten Bereichs abdeckt, undlokales Einführen von Energie mittels einer Lichtquelle nach dem Bilden der Absorptionsschicht und der Reflexionsschicht in die Rückseiten des ersten Bereichs und des zweiten Bereichs, um einen Schichtwiderstand zu reduzieren,wobei eine höhere Energiemenge in die mehrschichtige Struktur eingeführt wird als in das Kapselungsmaterial.

公开(公告)号：DE102018109361A1

公开(公告)日：2018-10-25

申请号：DE102018109361

申请日：2018-04-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BINA MARKUS ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHUSTEREDER WERNER

IPC: H01L21/261

Abstract: Bei verschiedenen Ausführungsformen ist ein Verfahren (300) zum Bearbeiten eines oder mehrerer Halbleiterwafer (140) bereitgestellt. Das Verfahren (300) beinhaltet das Positionieren (306) des einen oder der mehreren Halbleiterwafer (140) in einer Bestrahlungskammer (104), das Erzeugen (308, 310) eines Neutronenflusses in einer Spallationskammer (102), die mit der Bestrahlungskammer (104) gekoppelt ist, das Moderieren (312) des Neutronenflusses, um einen thermischen Neutronenfluss zu produzieren, und das Aussetzen (314) des einen oder der mehreren Halbleiterwafer (140) gegenüber dem thermischen Neutronenfluss, um dadurch die Erzeugung von Dotierungsstoffatomen in dem einen oder den mehreren Halbleiterwafern (140) zu induzieren.

公开(公告)号：DE102016120771B3

公开(公告)日：2018-03-08

申请号：DE102016120771

申请日：2016-10-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JELINEK MORIZ ,  SCHULZE HANS JOACHIM ,  LAVEN JOHANNES GEORG ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  WEBER HANS

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Kristallgitterdefekte werden in einem horizontalen Oberflächenbereich (110) eines Halbleitersubstrats (100) erzeugt, und wasserstoff-korrelierte Donatoren werden in dem Oberflächenbereich (110) ausgebildet. Eine Information über eine kumulative Dotierstoffkonzentration (Ncum) von Dotierstoffen einschließlich der wasserstoff-korrelierten Donatoren wird in dem Oberflächenbereich (110) erhalten. Auf der Basis der Information über die kumulative Dotierstoffkonzentration (Ncum) und einer Dissoziationsrate der wasserstoff-korrelierten Donatoren wird ein Haupttemperaturprofil (Tproc2(t)) zum Dissoziieren eines definierten Teils der wasserstoff-korrelierten Donatoren bestimmt. Das Halbleitersubstrat (100) wird einer Hauptwärmebehandlung unterzogen, die das Haupttemperaturprofil (Tproc2(t)) anwendet, um in dem Oberflächenbereich (110) eine endgültige gesamte Dotierstoffkonzentration (Ntot) zu erhalten, die von einer Ziel-Dotierstoffkonzentration (Ntar) um nicht mehr als 15 % abweicht.

公开(公告)号：DE102016102865A1

公开(公告)日：2017-08-24

申请号：DE102016102865

申请日：2016-02-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAVEN JOHANNES GEORG ,  BRUGGER MICHAEL ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  JELINEK MORIZ ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/66

Abstract: Ein Verfahren zum Implantieren von Ionen in ein Halbleitersubstrat umfasst ein Durchführen einer Testimplantation von Ionen in ein Halbleitersubstrat. Die Ionen der Testimplantation werden mit einem ersten Implantationswinkelbereich über das Halbleitersubstrat implantiert. Ferner umfasst das Verfahren ein Bestimmen eines Implantationswinkelversatzes basierend auf dem Halbleitersubstrat nach der Testimplantation und ein Anpassen eines Neigungswinkels des Halbleitersubstrats in Bezug auf eine Implantationsrichtung basierend auf dem bestimmten Implantationswinkelversatz. Zusätzlich umfasst das Verfahren ein Durchführen von zumindest einer Zielimplantation von Ionen in das Halbleitersubstrat nach dem Anpassen des Neigungswinkels. Die Ionen der zumindest einen Zielimplantation werden mit einem zweiten Implantationswinkelbereich über das Halbleitersubstrat implantiert. Ferner ist der erste Implantationswinkelbereich größer als der zweite Implantationswinkelbereich.

公开(公告)号：DE102015109661A1

公开(公告)日：2016-12-22

申请号：DE102015109661

申请日：2015-06-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAVEN JOHANNES ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  JELINEK MORIZ ,  GANAGONA NAVEEN GOUD

IPC: H01L21/425

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelementes umfasst das Implantieren einer vordefinierten Dosis von Protonen in ein Halbleitersubstrat. Ferner umfasst das Verfahren das Steuern einer Temperatur des Halbleitersubstrats während der Implantation der vordefinierten Dosis von Protonen, sodass die Temperatur des Halbleitersubstrats innerhalb eines Zieltemperaturbereichs für mehr als 70 % einer Implantationsprozesszeit ist, die zum Implantieren der vordefinierten Dosis von Protonen verwendet wird. Der Zieltemperaturbereich reicht von einer unteren Zieltemperaturgrenze zu einer oberen Zieltemperaturgrenze. Ferner ist die untere Zieltemperaturgrenze gleich einer Zieltemperatur minus 30 °C und die obere Zieltemperaturgrenze ist gleich der Zieltemperatur plus 30 °C und die Zieltemperatur ist höher als 80 °C.

公开(公告)号：DE102019119020A1

公开(公告)日：2021-01-14

申请号：DE102019119020

申请日：2019-07-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ESTEVE ROMAIN ,  JELINEK MORIZ ,  LEENDERTZ CASPAR ,  MAUDER ANTON ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHUSTEREDER WERNER

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/331 ,  H01L29/161 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Erste Dotierstoffe werden durch eine größere Öffnung (411) einer ersten Prozessmaske (410) in einen Siliziumcarbid-Körper (100) implantiert, wobei die größere Öffnung (411) einen ersten Oberflächenabschnitt des Siliziumcarbid-Körpers (100) freilegt. Ein Graben (800) wird im Siliziumcarbid-Körper (100) in einem zweiten Oberflächenabschnitt ausgebildet, der durch eine kleinere Öffnung (421) in einer zweiten Prozessmaske (420) freigelegt wird. Der zweite Oberflächenabschnitt ist ein Teilabschnitt des ersten Oberflächenabschnitts. Die größere Öffnung (411) und die kleinere Öffnung (421) werden zueinander selbstausgerichtet ausgebildet. Zumindest ein Teil der implantierten ersten Dotierstoffe bildet zumindest einen Kompensationsschichtbereich (181), der sich parallel zu einer Graben-Seitenwand (801) erstreckt.

公开(公告)号：DE102017119571A1

公开(公告)日：2019-02-28

申请号：DE102017119571

申请日：2017-08-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JELINEK MORIZ ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  ZUPAN PETER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  BRUGGER MICHAEL

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/317 ,  H01L21/66

Abstract: Ein Ionenimplantationsverfahren umfasst ein Ändern einer Ionenbeschleunigungsenergie eines Ionenstrahls, während eine relative Bewegung zwischen einem Halbleitersubstrat und dem auf eine Oberfläche des Halbleitersubstrats auftreffenden Ionenstrahl ausgeführt wird.

公开(公告)号：DE102016111998A1

公开(公告)日：2018-01-04

申请号：DE102016111998

申请日：2016-06-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAVEN JOHANNES GEORG ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  MAUDER ANTON ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  RUPP ROLAND

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Durch Richten eines Ionenstrahls (690) mit einer Strahldivergenz (θ) auf eine Prozessoberfläche (101a) eines Halbleitersubstrats (500a) werden parallele Elektrodengräben (150a) im Halbleitersubstrat (500a) ausgebildet. Eine Mittelachse des gerichteten Ionenstrahls (690) ist zu einer Normalen (105) zur Prozessoberfläche (101a) unter einem Neigungswinkel (α) geneigt, wobei der Neigungswinkel (α) und/oder die Strahldivergenz (θ) ungleich Null sind/ist. Das Halbleitersubstrat (500a) wird entlang einer Richtung parallel zur Prozessoberfläche (101a) während einer Ausbildung der Elektrodengräben (150a) bewegt. Eine leitfähige Elektrode (155) wird in den Elektrodengräben (150a) ausgebildet, wobei erste Seitenwände (151) der Elektrodengräben (150a) zur Normalen (105) unter einem ersten Böschungswinkel (φ1) mit φ1 = (α + θ/2) geneigt sind und zweite Seitenwände (152) zur Normalen (105) unter einem zweiten Böschungswinkel (φ2) mit φ2 = (α– θ/2) geneigt sind.

公开(公告)号：DE102016123714A1

公开(公告)日：2017-06-08

申请号：DE102016123714

申请日：2016-12-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JELINEK MORIZ ,  LAVEN JOHANNES GEORG ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHUSTEREDER WERNER

IPC: H01L21/265

Abstract: Es werden eine Vorrichtung und ein Verfahren für das Implantieren von Ionen offenbart. Bei einer Ausführungsform enthält die Vorrichtung eine Aufnahme, die konfiguriert ist zum Stützen des Wafers, eine Dotierstoffquelle, die konfiguriert ist zum selektiven Liefern von Dotierstoffen an ein Implantationsgebiet des Wafers, und eine Strahlungsquelle, die konfiguriert ist zum selektiven Bestrahlen des Implantationsgebiets.