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公开(公告)号:DE102016103714A1
公开(公告)日:2017-09-07
申请号:DE102016103714
申请日:2016-03-02
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: KOSITZA JÜRGEN , HUBER HARALD , LENZ MICHAEL , GIETLER HERBERT
Abstract: Ein Leistungshalbleiterpackage enthält einen Referenzspannungsanschluss, einen Versorgungsspannungsanschluss, einen Phasenanschluss, einen ersten Leistungstransistor und einen zweiten Leistungstransistor. Der erste Leistungstransistor und der zweite Leistungstransistor sind in Reihe geschaltet und bilden einen Low-Side-Schalter und einen High-Side-Schalter einer Halbbrückenschaltung.
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2.
公开(公告)号:DE102016103714B4
公开(公告)日:2021-09-30
申请号:DE102016103714
申请日:2016-03-02
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: KOSITZA JÜRGEN , HUBER HARALD , LENZ MICHAEL , GIETLER HERBERT
Abstract: Leistungshalbleiterpackage, umfassend:einen Referenzspannungsanschluss (2);einen Versorgungsspannungsanschluss (4);einen Phasenanschluss (6);einen ersten Leistungstransistor (8) mit einer Gate-Elektrode;einen zweiten Leistungstransistor (10) mit einer Gate-Elektrode,wobei der Versorgungsspannungsanschluss (4) elektrisch an den ersten Leistungstransistor (8) gekoppelt ist, der Referenzspannungsanschluss (2) elektrisch an den zweiten Leistungstransistor (10) gekoppelt ist, der Phasenanschluss (6) elektrisch zwischen den ersten Leistungstransistor (8) und den zweiten Leistungstransistor (10) geschaltet ist, der Versorgungsspannungsanschluss (4), der erste Leistungstransistor (8), der Phasenanschluss (6), der zweite Leistungstransistor (10) und der Referenzspannungsanschluss (2) nacheinander in Reihe geschaltet sind und der erste Leistungstransistor (8) und der zweite Leistungstransistor (10) einen Low-Side-Schalter und einen High-Side-Schalter einer Halbbrückenschaltung bilden;einen ersten Controller (12), der konfiguriert ist zum Steuern der Gate-Elektrode des ersten Leistungstransistors (8); undeinen zweiten Controller (14), der konfiguriert ist zum Steuern der Gate-Elektrode des zweiten Leistungstransistors (10), wobeider erste Controller (12) zwischen die Gate-Elektrode des ersten Leistungstransistors (8) und den Referenzspannungsanschluss (2) geschaltet ist, undder zweite Controller (14) zwischen die Gate-Elektrode des zweiten Leistungstransistors (10) und den Versorgungsspannungsanschluss (4) geschaltet ist.
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