公开(公告)号：DE102006043163B4

公开(公告)日：2016-03-31

申请号：DE102006043163

申请日：2006-09-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KOBLINSKI CARSTEN VON DR ,  KRÖNER FRIEDRICH DR ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  KRAFT DANIEL DR ,  HELLMUND OLIVER DR

IPC: H01L29/417 ,  H01L21/288 ,  H01L23/482 ,  H01L29/739

Abstract: Halbleiterschaltungsanordnung mit einem Halbleitersubstrat (1); zumindest einem Halbleiterbauelement (2), das im Halbleitersubstrat (1) ausgebildet ist; einer Isolierschicht (4), die über dem Halbleitersubstrat (1) ausgebildet ist; und einer Vertiefung (V), die zumindest in der Isolierschicht (4) ausgebildet ist, wobei die Vertiefung (V) mit einem Verbundwerkstoff (VW) aufgefüllt ist, der eine Vielzahl von elektrisch leitenden Fasern (W1), die lose aufeinander liegen, und eine Verbindungsstruktur zum mechanischen und elektrischen Verbinden der Vielzahl von lose aufeinander liegenden Fasern (W1) aufweist, wobei die Verbindungsstruktur aus einem galvanisch abgeschiedenen elektrisch leitenden Werkstoff (W2) gebildet ist, der in durch die Vielzahl von Fasern (W1) gebildeten Hohlräumen angeordnet ist.