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    Waferanordnung aufweisend einen Wafer und einen Wafer-Haltering
    1.
    发明专利
    Waferanordnung aufweisend einen Wafer und einen Wafer-Haltering 未知

    公开(公告)号：DE102015115914B4

    公开(公告)日：2021-07-15

    申请号：DE102015115914

    申请日：2015-09-21

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： LACKNER GERALD ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  UNTERWEGER JOSEF

    IPC: H01L21/687

    Abstract: Waferanordnung (200), aufweisend:einen Wafer (201); undeinen Wafer-Haltering (202),wobei der Wafer (201) und der Wafer-Haltering (202) so konfiguriert sind, dass sie in loslösbarer Weise aneinander angebracht werden können,wobei der Wafer-Haltering (202) eine Vielzahl von krallenartigen Vorsprüngen aufweist, die umlaufend um den Wafer-Haltering (202) gebildet sind und winkelförmig voneinander beabstandet sind, undwobei der Wafer (201) eine Vielzahl von Eingriffsvorsprüngen aufweist, in welche die krallenartigen Vorsprünge eingreifen können, wobei die Eingriffsvorsprünge umlaufend um den Wafer (201) gebildet sind und winkelförmig voneinander beabstandet sind.

    VERFAHREN ZUM BILDEN EINES HALBLEITERBAUELEMENTS UND HALBLEITERBAUELEMENT
    2.
    发明专利
    VERFAHREN ZUM BILDEN EINES HALBLEITERBAUELEMENTS UND HALBLEITERBAUELEMENT 未知

    公开(公告)号：DE102015112649B4

    公开(公告)日：2021-02-04

    申请号：DE102015112649

    申请日：2015-07-31

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： RUPP ROLAND ,  LEHNERT WOLFGANG ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

    IPC: H01L21/30 ,  H01L21/20 ,  H01L21/28 ,  H01L21/302 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L21/66

    Abstract: Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements, umfassend:- Bereitstellen eines Waferstapels (40), der einen Trägerwafer (20), der Graphit aufweist, und einen Bauelementwafer (1, 2) aufweist, der ein Halbleitermaterial mit breiter Bandlücke aufweist, wobei der Bauelementwafer (1, 2) eine erste Seite (21) und gegenüber der ersten Seite (21) eine zweite Seite (22) aufweist, wobei die zweite Seite (22) an dem Trägerwafer (20) befestigt ist;- Definieren von Bauelementregionen (D) des Waferstapels (40);- teilweises Entfernen des Trägerwafers (20), sodass Öffnungen (25) in dem Trägerwafer (20) gebildet werden, die in jeweiligen Bauelementregionen (D) angeordnet sind, und sodass der Bauelementwafer (1, 2) von einem Rest (20') des Trägerwafers (20) gestützt wird; und- Weiterbearbeiten des Bauelementwafers (1, 2), während der Bauelementwafer (1, 2) von dem Rest (20') des Trägerwafers (20) gestützt bleibt.

    Verfahren zur Verarbeitung einer Halbleitervorrichtung und Halbleitervorrichtung
    6.
    发明专利
    Verfahren zur Verarbeitung einer Halbleitervorrichtung und Halbleitervorrichtung 未知

    公开(公告)号：DE102015108183B4

    公开(公告)日：2019-01-17

    申请号：DE102015108183

    申请日：2015-05-22

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： HÄRTL ANDREAS ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHLÖGL DANIEL ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  STEGNER ANDRE RAINER

    IPC: H01L21/283 ,  H01L29/43

    Abstract: Verfahren (100) zur Verarbeitung einer Halbleitervorrichtung, welches folgende Schritte aufweist:Abscheiden eines ersten Metallisierungsmaterials über einem Halbleiterkörper (102),Ausführen eines Erwärmungsprozesses, um wenigstens ein Gebiet im Halbleiterkörper zu bilden, welches ein Eutektikum des ersten Metallisierungsmaterials und des Materials des Halbleiterkörpers aufweist (104), undAbscheiden eines zweiten Metallisierungsmaterials über der Halbleiterschicht, um die Halbleiterschicht über das wenigstens eine Gebiet in der Halbleiterschicht zu kontaktieren (106), wobei Reste des ersten Metallisierungsmaterials von oberhalb des Halbleiterkörpers entfernt werden, nachdem der Erwärmungsprozess ausgeführt wurde und bevor das zweite Metallisierungsmaterial abgeschieden wird.

    Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
    7.
    发明专利
    Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102014108986B4

    公开(公告)日：2018-09-20

    申请号：DE102014108986

    申请日：2014-06-26

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： MÜLLER MATTHIAS ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHLÖGL DANIEL ,  SCHMIDT GERHARD

    IPC: H01L29/06 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

    Abstract: Leistungshalbleiterbauelement, das Folgendes umfasst:- einen Halbleiterkörper (90) mit einer aktiven Zone (55) und einer Peripheriezone (50) seitlich beieinander, wobei die Peripheriezone die aktive Zone seitlich umgibt,- eine Metallisierungsschicht (26) auf der vorderen Oberfläche des Halbleiterkörpers (90), mit der aktiven Zone (55) verbunden,- eine erste Barrierenschicht (24), umfassend ein hochschmelzendes Metall oder eine hochschmelzende Legierung, zwischen der aktiven Zone (55) und der Metallisierungsschicht (26) angeordnet,- eine zweite Barrierenschicht (25), die mindestens einen Teil der Peripheriezone (50) bedeckt, wobei die zweite Barrierenschicht ein amorphes halbisolierendes Material umfasst,- wobei die erste Barrierenschicht (24) und die zweite Barrierenschicht (25) teilweise überlappen und eine Überlappungszone (52) bilden, wobei sich die Überlappungszone über einen ganzen Umfang der aktiven Zone (55) erstreckt, und wobei die erste Barrierenschicht (24) und die zweite Barrierenschicht (25) eine kontinuierliche Barriere bilden.

    Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers und Schichtstapel
    8.
    发明专利
    Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers und Schichtstapel 未知

    公开(公告)号：DE102016112976A1

    公开(公告)日：2018-01-18

    申请号：DE102016112976

    申请日：2016-07-14

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER

    IPC: H01L21/30 ,  H01L21/67 ,  H01L29/66

    Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers Folgendes aufweisen: Bilden (200a) eines Schichtstapels (251), welcher eine Stützschicht (202) und eine Nutzschicht aufweist sowie zwischen diesen einen Opferbereich (206), welcher gegenüber einem Bearbeitungsfluid eine geringere mechanische und/oder chemische Beständigkeit aufweist als die Stützschicht (202) und als die Nutzschicht; Bilden (200b) einer Vertiefung (208) durch die Stützschicht (202) hindurch oder zumindest in diese hinein, welche den Opferbereich (206) freilegt; Bilden (200c) zumindest eines Kanals (210) in dem freigelegten Opferbereich (206) mittels des Bearbeitungsfluids, wobei der Kanal (210) die Vertiefung (208) mit einem Äußeren des Schichtstapels (251) verbindet.

    Halbleitervorrichtung und Herstellung davon
    9.
    发明专利
    Halbleitervorrichtung und Herstellung davon 未知

    公开(公告)号：DE102016108125A1

    公开(公告)日：2017-11-02

    申请号：DE102016108125

    申请日：2016-05-02

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BRANDT PHILIP ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  STEGNER ANDRÉ RAINER ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  PFAFFENLEHNER MANFRED ,  AUER THOMAS ,  PFIRSCH FRANK

    IPC: H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/739 ,  H01L29/74

    Abstract: Eine Halbleitervorrichtung weist einen Halbleiterkörper (40) auf, der eine erste Seite (101), einen Rand (41), der den Halbleiterkörper (40) in einer zu der ersten Seite (101) parallelen Richtung begrenzt, einen aktiven Bereich (110), einen peripheren Bereich (120), der zwischen dem aktiven Bereich (110) und dem Rand (41) angeordnet ist, ein erstes Halbleitergebiet (1) eines ersten Leitfähigkeitstyps, das sich von dem aktiven Bereich (110) in den peripheren Bereich (120) erstreckt, ein zweites Halbleitergebiet (2) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, das einen pn-Übergang (12) mit dem ersten Halbleitergebiet (1) bildet, ein erstes Randabschlussgebiet (4) des zweiten Leitfähigkeitstyps, das an das erste Halbleitergebiet (1) angrenzt und an der ersten Seite (101) und zwischen dem zweiten Halbleitergebiet (2) und dem Rand (41) angeordnet ist, und ein zweites Randabschlussgebiet (5) des ersten Leitfähigkeitstyps, das an der ersten Seite (101) und zwischen dem ersten Randabschlussgebiet (4) und dem Rand (41) angeordnet ist, auf. Das zweite Randabschlussgebiet (5) weist eine variierende Konzentration von Dotierstoffen des ersten Leitfähigkeitstyps auf, die mit zunehmender Entfernung von dem ersten Randabschlussgebiet (4) mindestens neben dem ersten Randabschlussgebiet (4) im Wesentlichen linear zunimmt.

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