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    Elektronische Schalt- und Schutzschaltung
    1.
    发明专利
    Elektronische Schalt- und Schutzschaltung 未知

    公开(公告)号：DE102017107523A1

    公开(公告)日：2017-11-02

    申请号：DE102017107523

    申请日：2017-04-07

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： DJELASSI CHRISTIAN ,  ILLING ROBERT ,  JANSSON DAVID ,  LADURNER MARKUS

    IPC: H02H3/08 ,  H02H3/02

    Abstract: Ein Beispiel einer elektronischen Schaltung umfasst einen elektronischen Schalter, der eine Laststrecke aufweist, eine erste Schutzschaltung, die dazu ausgebildet ist, basierend auf einer Strom-Zeit-Charakteristik eines Laststroms durch die Laststrecke des elektronischen Schalters ein erstes Schutzsignal zu erzeugen, und eine Ansteuerschaltung, die dazu ausgebildet ist, den elektronischen Schalter basierend auf dem ersten Schutzsignal anzusteuern. Die erste Schutzschaltung umfasst einen Analog-Digital-Wandler (ADC), der dazu ausgebildet ist, ein ADC-Eingangssignal zu erhalten, das den Laststrom repräsentiert, das ADC-Eingangssignal einmal in jedem von mehreren aufeinanderfolgenden Abtastperioden abzutasten, und ein ADC-Ausgangssignal auszugeben, das eine Folge von Werten derart aufweist, das jeder dieser Werte einen jeweiligen Abtastwert des ADC-Eingangssignals repräsentiert. Der ADC ist dazu ausgebildet, in jeder Abtastperiode einen Abtastzeitpunkt pseudozufällig auszuwählen.

    Leistungsschaltvorrichtung
    4.
    发明专利
    Leistungsschaltvorrichtung 未知

    公开(公告)号：DE102016100498B4

    公开(公告)日：2022-06-23

    申请号：DE102016100498

    申请日：2016-01-13

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： DJELASSI CHRISTIAN ,  AUER BERNHARD ,  ILLING ROBERT ,  KREUTER HANS-PETER ,  LADURNER MARKUS ,  MAYER ALEXANDER ,  PETRUZZI LUCA ,  ZANARDI ALBERTO

    IPC: H03K17/08 ,  H02H3/08 ,  H02H7/22

    Abstract: Vorrichtung, umfassend:einen Schalter,eine Überlastdetektionsschaltung, die dem Schalter zugeordnet ist, undeine Steuerung, wobei die Steuerung eingerichtet ist, den Schalter zu öffnen, wenn von der Überlastdetektionsschaltung ein Überlastzustand detektiert wird, wenn der Schalter geschlossen sein soll,wobei die Steuerung ferner eingerichtet ist, bei Detektion der Überlast wiederholt erneut zu versuchen, den Schalter gemäß einem ersten Neuversuchsschema zu schließen, wobei das erste Neuversuchsschema eine erste maximale Anzahl an Schließversuchen umfasst, wobei die erste maximale Anzahl größer als eins ist und wobei zwischen den Schließversuchen des ersten Neuversuchsschemas erste Zeitintervalle liegen,wenn ein Überlastzustand an einem Ende des ersten Neuversuchsschemas anhält, wiederholt zu versuchen, den Schalter gemäß zumindest einem zweiten Neuversuchsschema zu schließen, das sich vom ersten Neuversuchsschema unterscheidet, wobei das zweite Neuversuchsschema ein Abwarten über eine zweite vorbestimmte Zeit nach dem ersten Neuversuchsschema vor einem nächsten Schließen des Schalters und eine zweite maximale Anzahl an Schließversuchen umfasst, wobei die zweite maximale Anzahl größer als eins ist, umfasst, undwenn ein Überlastzustand an einem Ende von zumindest dem zweiten Neuversuchsschema anhält, den Schalter zu deaktivieren.

    Verpolungsschutz für High-Side-Schalter in n-Substrat
    5.
    发明专利
    Verpolungsschutz für High-Side-Schalter in n-Substrat 未知

    公开(公告)号：DE102013218670B4

    公开(公告)日：2022-01-27

    申请号：DE102013218670

    申请日：2013-09-18

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： AUER BERNHARD ,  DEL CROCE PAOLO ,  LADURNER MARKUS ,  PETRUZZI LUCA

    IPC: H02H3/18 ,  H01L23/62

    Abstract: Ein Halbleiterbauelement, das Folgendes aufweist:einen Halbleiterchip umfassend ein Substrat (10);einen ersten Versorgungsanschluss (SUP), der elektrisch mit dem Substrat (10) gekoppelt ist, um dem Substrat ein erstes Versorgungspotential (Vs) und einen Laststrom zuzuführen;einen zweiten Versorgungsanschluss (GND), dem im Betrieb ein zweites Versorgungspotential (VGND) zugeführt ist;einen ersten vertikalen Transistor (T1), der im Halbleiterchip integriert ist und elektrisch zwischen den Versorgungsanschluss (SUP) und einen Ausgangsanschluss (OUT1) gekoppelt ist, wobei der vertikale Transistor (T1) dazu ausgebildet ist, einen Strompfad für den Laststrom zu dem Ausgangsanschluss (OUT1) nach Maßgabe eines Steuersignals zur Verfügung zu stellen, welches einer Gateelektrode des ersten vertikalen Transistors (T1) zugeführt ist;eine Steuerschaltungsanordnung, die in den Halbleiterchip integriert ist und mit dem ersten vertikalen Transistor (T1) gekoppelt und dazu ausgebildet ist, das Steuersignal zu erzeugen, um den ersten vertikalen Transistor (T1) ein- und auszuschalten, wobei die Steuerschaltungsanordnung eine Verpolschutzschaltung umfasst, welche Folgendes aufweist:einen ersten, in Serie mit einer ersten Diode (DA) geschalteten MOS-Transistor (MPA), wobei der MOS-Transistor (MPA) und die Diode (DA) in Serie zwischen den ersten und den zweiten Versorgungsanschluss gekoppelt ist; undeinen ersten Schalt-Schaltkreis, der mit dem ersten MOS-Transistor (MPA) gekoppelt und elektrisch zwischen den ersten und den zweiten Versorgungsanschluss geschaltet ist, wobei der erste Schalt-Schaltkreis dazu ausgebildet ist, den MOS-Transistor (MPA) zu aktivieren, wenn das zweite Versorgungspotential das erste Versorgungspotential um mehr als einen bestimmten Schwellwert überschreitet,wobei die Steuerschaltungsanordnung aufweist:eine Gatetreiber-Ausgangsstufe umfassend einen n-Kanal-MOS-Transistor (MN1), der zwischen die Gateelektrode des ersten vertikalen Transistors (T1) und einem ersten Schaltungsknoten (C) geschaltet ist, welcher elektrisch mit dem Ausgangsanschluss (OUT1) über einen Widerstand (R) verbunden ist; undwobei die Verpolschutzschaltung weiter aufweist:einen zweiten vertikalen Transistor (Tc), der in den Halbleiterchip integriert und elektrisch zwischen den ersten Versorgungsanschluss und den ersten Schaltungsknoten (C) gekoppelt ist, wobei der zweite vertikale Transistor (Tc) dazu ausgebildet ist, einen Strompfad zwischen dem ersten Versorgungsanschluss und dem ersten Schaltungsknoten (C) bereitzustellen, sofern dieser aktiviert ist.

    Elektrische Schalt- und Schutzschaltung mit mehreren Betriebsarten
    6.
    发明专利
    Elektrische Schalt- und Schutzschaltung mit mehreren Betriebsarten 未知

    公开(公告)号：DE102017107521A1

    公开(公告)日：2017-10-12

    申请号：DE102017107521

    申请日：2017-04-07

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： DJELASSI CHRISTIAN ,  ILLING ROBERT ,  JANSSON DAVID ,  LADURNER MARKUS ,  MARINELLI BERNHARD ,  MAYER ALEXANDER ,  TRIPOLT MARIO

    IPC: H02H3/08 ,  H02H3/02

    Abstract: Ein Beispiel einer elektronischen Schaltung umfasst einen elektronischen einen elektronischen Schalter, der eine Laststrecke aufweist, und eine Steuerschaltung, die dazu ausgebildet ist, den elektronischen Schalter anzusteuern. Die Steuerschaltung ist dazu ausgebildet ist, in einem von wenigstens zwei Betriebsarten zu arbeiten. Die wenigstens zwei Betriebsarten umfassen eine erste Betriebsart und eine zweite Betriebsart. Die Steuerschaltung ist in der zweiten Betriebsart dazu ausgebildet ist, einen Satz von Grundfunktionen auszuführen, und in der ersten Betriebsart dazu ausgebildet ist, den Satz von Grundfunktionen und wenigstens eine zusätzliche Funktion auszuführen. Die wenigstens eine zusätzliche Funktion umfasst das Erzeugen eines Schutzsignals basierend auf einer Strom-Zeit-Charakteristik eines Laststroms des elektronischen Schalters und das Ansteuern des elektronischen Schalters basierend auf dem ersten Schutzsignal.

    VERFAHREN ZUR ANSTEUERUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS
    8.
    发明专利
    VERFAHREN ZUR ANSTEUERUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS 未知

    公开(公告)号：DE102013203929A1

    公开(公告)日：2013-10-02

    申请号：DE102013203929

    申请日：2013-03-07

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： LADURNER MARKUS ,  ILLING ROBERT

    IPC: H03K17/082

    Abstract: Ein monolithisch in einen Halbleiterkörper (35) integrierter Transistor (3) umfasst einen ersten Teiltransistor (1) und einen zweiten Teiltransistor (2), die jeweils einen ersten (11, 21) und einen zweiten (12, 22) Lastkontakt aufweisen, sowie einen Steuerkontakt (13, 23) zur Steuerung eines elektrischen Stroms durch eine zwischen dem ersten (11, 21) und zweiten (12, 22) Lastkontakt ausgebildete Laststrecke. Der erste Lastkontakt (11) des ersten Teiltransistors (1) ist elektrisch leitend mit dem ersten Lastkontakt (21) des zweiten Teiltransistors (2) verbunden, und der zweite Lastkontakt (12) des ersten Teiltransistors (1) ist elektrisch leitend mit dem zweiten Lastkontakt (22) des zweiten Teiltransistors (2) verbunden. Ein Steuerschaltkreis (4) ist dazu ausgebildet, den ersten Teiltransistor (1) an einem ersten Zeitpunkt (t1) von einem ersten Zustand in einen zweiten Zustand zu schalten, und den zweiten Teiltransistor (2) an einem dem ersten Zeitpunkt (t1) nachfolgenden zweiten Zeitpunkt (t2) von dem ersten Zustand in den zweiten Zustand zu schalten.

    Circuit with load transistor with current limiting arrangement has source providing voltage between measurement, load transistor control connections depending on load connection voltage
    9.
    发明专利
    Circuit with load transistor with current limiting arrangement has source providing voltage between measurement, load transistor control connections depending on load connection voltage 未知

    公开(公告)号：DE10119261C1

    公开(公告)日：2002-12-05

    申请号：DE10119261

    申请日：2001-04-20

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： LADURNER MARKUS

    IPC: H03K17/082 ,  H02H9/02

    Abstract: The device has a load transistor, a current limiting arrangement with a measurement transistor with a current measurement arrangement, a controllable resistance controlled by the current measurement arrangement's drive signal and a variable voltage source that provides a voltage between the control connections of the measurement and load transistors depending on the voltage between a measurement transistor load connection and the load transistor. The device has a load transistor (TL) with first and second load path connections and a control connection and a current limiting arrangement (ILIM) with a measurement transistor (TS) with a current measurement arrangement (10), a controllable resistance (R) controlled by the current measurement arrangement's drive signal and a variable voltage source (30) that provides a voltage between the control connections of the measurement and load transistors depending on the voltage between a measurement transistor load connection and the load transistor.

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