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公开(公告)号：DE102013203929B4
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：DE102013203929
申请日：2013-03-07
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： LADURNER MARKUS , ILLING ROBERT
IPC: H03K17/082
Abstract: Verfahren zur Ansteuerung eines Halbleiterbauelements (3), das einen Halbleiterkörper (35) aufweist, sowie einen monolithisch in den Halbleiterkörper (35) integrierten Transistor (3);wobei der Transistor (3) einen ersten Teiltransistor (1) und einen zweiten Teiltransistor (2) aufweist;wobei der erste Teiltransistor (1) einen ersten Lastkontakt (11), einen zweiten Lastkontakt (12), eine zwischen dem ersten Lastkontakt (11) und dem zweiten Lastkontakt (12) des ersten Teiltransistors (1) ausgebildete erste Laststrecke aufweist, sowie einen ersten Steuerkontakt (13) zur Steuerung eines elektrischen Stroms durch die erste Laststrecke;wobei der zweite Teiltransistor (2) einen ersten Lastkontakt (21), einen zweiten Lastkontakt (22), eine zwischen dem ersten Lastkontakt (21) und dem zweiten Lastkontakt (22) des zweiten Teiltransistors (2) ausgebildete zweite Laststrecke aufweist, sowie einen zweiten Steuerkontakt (23) zur Steuerung eines elektrischen Stroms durch die zweite Laststrecke;wobei der erste Lastkontakt (11) des ersten Teiltransistors (1) mit dem ersten Lastkontakt (21) des zweiten Teiltransistors (2) elektrisch leitend verbunden ist;wobei der zweite Lastkontakt (12) des ersten Teiltransistors (1) mit dem zweiten Lastkontakt (22) des zweiten Teiltransistors (2) elektrisch leitend verbunden ist;wobei der erste Teiltransistor (1) in einem eingeschalteten Zustand einen ersten Widerstand (R1ON) aufweist, sowie in einem ausgeschalteten Zustand einen höheren zweiten Widerstand; undwobei der zweite Teiltransistor (2) in einem eingeschalteten Zustand einen dritten Widerstand (R2ON) aufweist, sowie in einem ausgeschalteten Zustand einen höheren vierten Widerstand;wobei das Verfahren umfasst:Einschalten des ersten Teiltransistors (1) zur einem ersten Zeitpunkt (t1);Einschalten des zweiten Teiltransistors (2) zu einem dem ersten Zeitpunkt (t1) nachfolgenden zweiten Zeitpunkt (t2),wobei der erste Teiltransistor (1) über den ersten Steuerkontakt (13) und der zweite Teiltransistor (2) über den zweiten Steuerkontakt (23) gesteuert wird, wobei das Steuern durch einen Steuerschaltkreis (4) erfolgt und wobei der Steuerschaltkreis (4) einen bidirektionalen Schalter (7) aufweist, der zwischen den ersten Steuerkontakt (13) und den zweiten Steuerkontakt (23) geschaltet ist.
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公开(公告)号：DE102017107520A1
公开(公告)日：2017-11-02
申请号：DE102017107520
申请日：2017-04-07
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： DJELASSI CHRISTIAN , JANSSON DAVID , LADURNER MARKUS , ILLING ROBERT
Abstract: Ein Beispiel einer elektronischen Schaltung umfasst einen elektronischen Schalter, der eine Laststrecke aufweist, eine erste Schutzschaltung, die dazu ausgebildet ist, basierend auf einer Strom-Zeit-Charakteristik eines Laststroms durch die Laststrecke des elektronischen Schalters ein erstes Schutzsignal zu erzeugen, und eine Ansteuerschaltung, die dazu ausgebildet ist, den elektronischen Schalter basierend auf dem ersten Schutzsignal anzusteuern. Die erste Schutzschaltung umfasst einen logarithmischen Analog-Digital-Wandler (ADC), der dazu ausgebildet ist, ein ADC-Eingangssignal zu erhalten, das den Laststrom repräsentiert, und ein ADC-Ausgangssignal auszugeben, das ein Folge von Werten derart aufweist, dass jeder der Werte einen entsprechenden Abtastwert des ADC-Eingangssignals repräsentiert, ein Filter, das dazu ausgebildet ist, das ADC-Ausgangssignal zu filtern und ein Filterausgangssignal auszugeben, und eine Komparatorschaltung, die dazu ausgebildet ist, das erste Schutzsignal basierend auf einem Vergleichen des Filterausgangssignal mit einer vordefinierten Schwelle zu erzeugen.
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公开(公告)号：DE102016120944A1
公开(公告)日：2017-05-04
申请号：DE102016120944
申请日：2016-11-03
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： ILLING ROBERT , KARTAL VELI , LU-RUHBACH FANG
IPC: H03K17/082
Abstract: Eine erste Ausführungsform betrifft eine Vorrichtung, welche Folgendes umfasst: einen ersten Halbleiterschalter, einen integrierten Sensor zum Bestimmen eines Stroms, der durch den ersten Halbleiterschalter fließt, und einen Anschluss, dem ein Signal bereitgestellt wird, falls der Strom eine vorgegebene Bedingung erfüllt. Auch werden ein System, das eine solche Vorrichtung umfasst, und ein Betriebsverfahren vorgeschlagen.
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公开(公告)号：DE102016101151A1
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：DE102016101151
申请日：2016-01-22
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： ILLING ROBERT , MAYER ALEXANDER
IPC: H03K17/00
Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Schaltungsanordnung (100) bereitgestellt werden, die Folgendes umfasst: eine Treiberschaltung (101), die konfiguriert ist zum Bereitstellen eines Schaltsignals (106) an einen Leistungsschalter (104), so dass der Leistungsschalter (104) einen Laststrom steuert, eine Gate-Rückregelungsschaltung (103), die selektiv mit der Treiberschaltung (101) und dem Laststrom verbunden ist, und eine Diagnoseschaltung (102), die konfiguriert ist zum Bereitstellen eines Freigabesignals (111), das gestattet, dass die Gate-Rückregelungsschaltung (103) aktiv wird; wobei das Freigabesignal (111) mindestens teilweise von einer Bedingung unabhängig von dem Laststrom abhängt.
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公开(公告)号：DE102015104567A1
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：DE102015104567
申请日：2015-03-26
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： DJELASSI CHRISTIAN , ILLING ROBERT , KREUTER HANS-PETER , LADURNER MARKUS
IPC: H03K17/08
Abstract: Eine Leistungsschaltung ist beschrieben, die einen Schalter, der mit einer ohmschen-induktiven-kapazitiven Last gekoppelt ist, und einen Treiber, der mit dem Schalter gekoppelt ist, umfasst. Der Treiber ist konfiguriert, eine Notsituation in der Leistungsschaltung zu detektieren. Nachdem die Notsituation in der Leistungsschaltung detektiert wurde, ist der Treiber ferner konfiguriert, einen gesteuerten Notausschaltvorgang des Schalters durchzuführen, um die maximale Temperatur des Schalters während der detektierten Notsituation und des Ausschaltvorgangs zu minimieren.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102012018926A1
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：DE102012018926
申请日：2012-09-25
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： DIPPOLD GEBHART , ILLING ROBERT , PIDUTTI ALBINO
IPC: B60Q1/38
Abstract: Eine Blinkerschaltung (100) zur Steuerung eines Blinkers in einem Fahrzeug umfasst einen ersten Anschluss (101) zur Verbindung mit einem Versorgungspannungsanschluss (500), einen zweiten Anschluss (102) zur Verbindung mit einem Leuchtmittel (300) eines Blinkers und einem Blinkerschalter (200), einen dritten Anschluss (103) zur Verbindung mit einem Kondensator (600). Die Blinkerschaltung (100) ist dazu ausgebildet, dem Blinker während eines An-Zustandes einen Strom bereitzustellen und während eines Aus-Zustandes keinen Strom bereitzustellen. Die Dauer des An-Zustandes und die Dauer des Aus-Zustandes sind durch die Größe des Kondensators (600) bestimmt. Der Kondensator (600) wird während des An-Zustandes im Wesentlichen konstant entladen und während des Aus-Zustandes im Wesentlichen konstant geladen.
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公开(公告)号：DE102009028412A1
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：DE102009028412
申请日：2009-08-10
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： LADURNER MARKUS , ILLING ROBERT
IPC: H02H5/04
Abstract: A semiconductor switch, is provided that comprises a semiconductor element having a control terminal and two load terminals forming switching contacts of the semiconductor switch, a temperature measuring device for measuring the temperatures of the semiconductor element at two measurement locations spaced apart from one another, and also a control circuit connected between the temperature measuring device and the control terminal of the semiconductor element and having a control input forming the control contact of the semiconductor element, wherein provision is made for: measuring the temperatures of the semiconductor element at two measurement locations spaced apart from one another; providing a signal representing the difference between the two temperatures; driving a driving current of specific intensity into the control terminal of the semiconductor element if a corresponding signal is present at the control input in order to control the semiconductor element in the conducting state between its load terminals; increasing the intensity of the driving current if the semiconductor element is controlled in the conducting state and the temperature difference exceeds a first limit value.
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公开(公告)号：DE102019121795B4
公开(公告)日：2022-01-20
申请号：DE102019121795
申请日：2019-08-13
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BERNARDONI MIRKO , ILLING ROBERT
IPC: H03K17/082 , H02H3/087
Abstract: Verfahren, das aufweist:Bereitstellen einer gemessenen Wellenform, die den durch eine Last fließenden Laststrom über der Zeit repräsentiert;Berechnen einer Zeit-Strom-Kennlinie der Last basierend auf der gemessenen Wellenform;Berechnen von zwei oder mehr Zeitkonstanten (τ1, τ2, τ3) abhängig von der Zeit-Strom-Kennlinie der Last; undVerwenden der berechneten Zeitkonstanten (τ1, τ2, τ3) in einer integrierten Schaltung die folgendes aufweist:einen Leistungstransistor (2), der zwischen einen Versorgungs-Pin (SUP) und einen Ausgangs-Pin (OUT) gekoppelt ist;eine Stromerfassungsschaltung, die mit dem Leistungstransistor (2) gekoppelt und dazu ausgebildet ist, ein Stromerfassungssignal (CS), das auf den durch den Leistungstransistor (2) fließenden Laststrom (iL) schließen lässt, zu erzeugen;eine Überwachungsschaltung (4), die dazu ausgebildet ist, das Stromerfassungssignal (CS) zu empfangen und ein Schutzsignal (OC) basierend auf dem Stromerfassungssignal (CS) und einem Schwellenwert (dTR) bereitzustellen;wobei die Überwachungsschaltung (4) ein Filter (42) enthält, das dazu ausgebildet ist, ein Filtereingangssignal, das von dem Stromerfassungssignal (CS) abhängt, zu empfangen, wobei das Filter (42) eine Übertragungskennlinie mit zwei oder mehr Zeitkonstanten (τ1, τ2, τ3) aufweist.
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公开(公告)号：DE102011078204B4
公开(公告)日：2020-03-12
申请号：DE102011078204
申请日：2011-06-28
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： LADURNER MARKUS , ILLING ROBERT , DEL CROCE PAOLO , AUER BERNHARD
Abstract: Verfahren zum Steuern eines Leistungsschalters, das aufweist:Überwachen einer lokalen Temperatur des Leistungsschalters (204), der in einem Halbleiterchip integriert ist;Überwachen einer Referenztemperatur des Halbleiterchips beabstandet zu dem Leistungsschalter;Vergleichen der lokalen Temperatur mit der Referenztemperatur;Vergleichen der lokalen Temperatur mit einer Übertemperaturschwelle;wenn die lokale Temperatur die Referenztemperatur um mehr als eine Differenztemperatur-Schwelle übersteigt und die Übertemperaturschwelle nicht übersteigt, Aus- und Einschalten des Leistungsschalters gemäß einer Differenztemperatur-Hysterese; undwenn die lokale Temperatur die Übertemperaturschwelle übersteigt,(a) Ausschalten des Leistungsschalters und(b) Deaktivieren des Aus- und Einschaltens gemäß der Differenztemperatur-Hysterese.
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公开(公告)号：DE102010064253B4
公开(公告)日：2020-03-12
申请号：DE102010064253
申请日：2010-12-28
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： ZANARDI ALBERTO , SCHEIKL ERICH , ILLING ROBERT , HOPFGARTNER HERBERT
Abstract: Ein Halbleiterbauelement, das aufweist:einen Halbleiterchip umfassend einen aktiven Bereich, der durch einen Laststrompfad eines im Halbleiterchip integrierten Halbleiterschalters (T) gebildet wird;eine Temperatursensoranordnung (10), die ein Messsignal (S) abhängig von einer Temperatur (T) in oder nahe dem aktiven Bereich bereitstellt;eine Auswerteschaltung (20), die dazu ausgebildet ist, das Messsignal (S) mit einem ersten Schwellenwert zu vergleichen und eine Übertemperatur zu signalisieren, wenn das Messsignal (S) den ersten Schwellenwert überschreitet, und die weiter dazu ausgebildet ist, die Anzahl der Überschreitungen des ersten Schwellenwerts zu zählen und zu signalisieren, wenn eine maximale Anzahl von Überschreitungen erreicht ist; undeine Steuerschaltung (30), die dazu ausgebildet ist:ein Treibersignal (VG) zu generieren, um den Schaltzustand des Halbleiterschalters (Ts) nach Maßgabe eines Eingangssignals (IN) einzustellen,den Halbleiterschalter (Ts) zu deaktivieren oder dessen Aktivierung zu verhindern, solange die Auswerteschaltung (20) eine Übertemperatur signalisiert, undden Halbleiterschalter (Ts) zu deaktivieren oder dessen Aktivierung zu verhindern, wenn die Auswerteschaltung (20) signalisiert, dass die maximale Anzahl von Überschreitungen des ersten Schwellenwerts erreicht ist.
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