公开(公告)号：DE102015122521A1

公开(公告)日：2017-06-22

申请号：DE102015122521

申请日：2015-12-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAZIC DARIA ,  BRUGGER FLORIAN ,  MOTZ MARIO

IPC: G05F3/16

Abstract: Eine Spannungsreferenzschaltung (10) umfasst eine Stromquellenschaltung mit einem ersten Feldeffekttransistor (130), einen ersten Strompfad (104) mit einem zweiten Feldeffekttransistor (150), der bauartgleich zu dem ersten Feldeffekttransistor (130) ist, einen zweiten Strompfad (105) mit einem zweiten Feldeffekttransistor (160) der bauartgleich zu dem ersten Feldeffekttransistor (130) und zweiten Feldeffekttransistor (150) ist, und eine Diode (170). Weiterhin ist eine Stromspiegelschaltung (111, 112, 113, 114, 115) vorgesehen, welche einen Strom durch den ersten Feldeffekttransistor (130) in den ersten Strompfad (104), den zweiten Strompfad (105) und die Diode (170) spiegelt. Die Stromquellenschaltung betreibt den ersten Feldeffekttransistor (130) in starker Inversion und im linearen Bereich, mit einer Source-Drain-Spannung des ersten FETs proportional zur absoluten Temperatur. Der zweite Feldeffekttransistor (130) wird in Sättigung zu betrieben. Der dritte Feldeffekttransistor (160) wird in einer gegenüber dem zweiten Feldeffekttransistor (150) stärkeren Sättigung betrieben. Eine Ausgangsspannung der Spannungsreferenzschaltung (10) basiert auf einer Spannung (Vpn) über die Diode (170) und einer Differenz einer Drain-Source-Spannung (V2) des dritten Feldeffekttransistors (160) zu einer Drain-Source-Spannung (V1) des zweiten Feldeffekttransistors (150).

公开(公告)号：DE102015122521B4

公开(公告)日：2021-03-04

申请号：DE102015122521

申请日：2015-12-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAZIC DARIA ,  BRUGGER FLORIAN ,  MOTZ MARIO

IPC: G05F3/16

Abstract: Spannungsreferenzschaltung (10; 11; 12; 13; 13'; 14; 15; 16), umfassend:eine Stromquellenschaltung mit einem ersten Feldeffekttransistor (130),einen ersten Strompfad (104) mit einem zweiten Feldeffekttransistor (150), der bauartgleich zu dem ersten Feldeffekttransistor (130) ist;einen zweiten Strompfad (105) mit einem dritten Feldeffekttransistor (160), der bauartgleich zu dem ersten Feldeffekttransistor (130) und zweiten Feldeffekttransistor (150) ist;eine Diode (170); undeine Stromspiegelschaltung (111, 112, 113, 114, 114', 115, 116, 117, 118, 119), welche dazu ausgestaltet ist, einen Strom durch den ersten Feldeffekttransistor (130) in den ersten Strompfad (104), den zweiten Strompfad (105) und die Diode (170) zu spiegeln,wobei die Stromquellenschaltung dazu ausgestaltet ist, den ersten Feldeffekttransistor (130) in starker Inversion und im linearen Bereich, mit einer Source-Drain-Spannung des ersten Feldeffekttransistors (130) proportional zur absoluten Temperatur zu betreiben;wobei der erste Strompfad (104) dazu ausgestaltet ist, den zweiten Feldeffekttransistor (150) in Sättigung zu betreiben;wobei der zweite Strompfad (105) dazu ausgestaltet ist, den dritten Feldeffekttransistor (160) in einer gegenüber dem zweiten Feldeffekttransistor (150) stärkeren Sättigung zu betreiben; undwobei eine Ausgangsspannung der Spannungsreferenzschaltung (10; 11; 12; 13; 13'; 14; 15; 16) auf einer Spannung über die Diode (170) und einer Differenz einer Drain-Source-Spannung des dritten Feldeffekttransistors (160) zu einer Drain-Source-Spannung des zweiten Feldeffekttransistors (150) basiert.