公开(公告)号：DE102012111910B4

公开(公告)日：2019-03-14

申请号：DE102012111910

申请日：2012-12-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRLER FRANZ ,  GLASER ULRICH ,  LENZHOFER CHRISTIAN

IPC: H01L27/06 ,  H01L23/60 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (100), aufweisend:ein erstes Halbleiterelement (101), das einen ersten pn-Übergang zwischen einem ersten Anschluss (102) und einem zweiten Anschluss (103) aufweist;ein zweites Halbleiterelement (104), das einen zweiten pn-Übergang zwischen einem dritten Anschluss (105) und einem vierten Anschluss (106) aufweist;einen Halbleiterkörper (110), der das erste Halbleiterelement (101) und das zweite Halbleiterelement (104) monolithisch integriert aufweist; und wobeider erste und der dritte Anschluss (102, 105) elektrisch mit einem ersten Vorrichtungsanschluss (107) gekoppelt sind;der zweite und der vierte Anschluss (103, 106) elektrisch mit einem zweiten Vorrichtungsanschluss (108) gekoppelt sind; undein Temperaturkoeffizient αeiner Durchbruchsspannung Vdes ersten pn-Übergangs und ein Temperaturkoeffizient αeiner Durchbruchsspannung Vdes zweiten pn-Übergangs dasselbe Vorzeichen haben und 0,6 × α

公开(公告)号：DE102012111910A1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：DE102012111910

申请日：2012-12-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRLER FRANZ ,  GLASER ULRICH ,  LENZHOFER CHRISTIAN

IPC: H01L27/06 ,  H01L23/60 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung weist ein erstes Halbleiterelement auf, das einen ersten pn-Übergang zwischen einem ersten Anschluss und einem zweiten Anschluss aufweist. Die Halbleitervorrichtung weist des Weiteren ein zweites Halbleiterelement auf, das einen zweiten pn-Übergang zwischen einem dritten Anschluss und einem vierten Anschluss aufweist. Die Halbleitervorrichtung weist des Weiteren einen Halbleiterkörper auf, der das erste Halbleiterelement und das zweite Halbleiterelement aufweist, wobei die Halbleiterelemente monolithisch integriert sind. Der erste und dritte Anschluss sind elektrisch mit einem ersten Vorrichtungsanschluss gekoppelt. Der zweite und der vierte Anschluss sind elektrisch mit einem zweiten Vorrichtungsanschluss gekoppelt. Ein Temperaturkoeffizient α1 einer Durchbruchsspannung Vbr1 des ersten pn-Übergangs und ein Temperaturkoeffizient α2 einer Durchbruchsspannung Vbr2 des zweiten pn-Übergangs haben das gleiche Vorzeichen und erfüllen die Ungleichung 0,6 × α1