公开(公告)号：DE102012102154A1

公开(公告)日：2012-09-20

申请号：DE102012102154

申请日：2012-03-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAYERER REINHOLD DR ,  LUNIEWSKI PIOTR TOMASZ

IPC: H03K17/16 ,  H01L25/16 ,  H02M1/08

Abstract: Eine Halbleiteranordnung umfasst einen ersten Transistor, einen mit dem ersten Transistor parallel geschalteten zweiten Transistor und eine erste parasitäre Induktivität zwischen einem Emitter des ersten Transistors und einem Emitter des zweiten Transistors. Die Halbleiteranordnung umfasst eine erste Schaltung, die dazu ausgebildet ist, dem ersten Transistor auf der Basis eines gemeinsamen Treibersignals ein erstes Gatetreibersignal zuzuführen, und eine zweite Schaltung, die dazu ausgebildet ist, dem zweiten Transistor auf der Basis des gemeinsamen Treibersignals ein zweites Gatetreibersignal zuzuführen. Die erste Schaltung und die zweite Schl an der ersten parasitären Induktivität dergestalt zu kompensieren, dass das erste Gatetreibersignal und das zweite Gatetreibersignal mit dem gemeinsamen Treibersignal phasengleich sind und denselben Betrag wie dieses aufweisen.

公开(公告)号：DE102008056846A1

公开(公告)日：2009-06-04

申请号：DE102008056846

申请日：2008-11-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LUNIEWSKI PIOTR TOMASZ

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/62 ,  H01L25/07

Abstract: A power semiconductor module with temperature measurement is disclosed. One embodiment provides a conductor having a first end and a second end. The second end is thermally coupled at a substrate. A device including temperature sensor is thermally coupled at the first end and configured to determine a temperature at the second end using the temperature sensor.