公开(公告)号：DE102004059389B4

公开(公告)日：2012-02-23

申请号：DE102004059389

申请日：2004-12-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAYERER REINHOLD DR

IPC: H01L23/485

Abstract: Halbleiterbauelement mit einem eine erste Kontaktfläche (41) aufweisenden Halbleiterkörper (40) und einem eine zweite Kontaktfläche (52) aufweisenden Anschlusselement (50, 50a, 50b, 50c, 50d), wobei das Anschlusselement (50, 50a, 50b, 50c, 50d) als Bonddraht oder als Anschlussclip oder als Leiterbahn ausgebildet ist, die erste Kontaktfläche (41) und die zweite Kontaktfläche (52) in einer vertikalen Richtung (v) voneinander beabstandet sind, die erste Kontaktfläche (41) in einer horizontalen Richtung (r, r1, r2) einen ersten Rand (411) und die zweite Kontaktfläche (52) in der horizontalen Richtung (r, r1, r2) einen zweiten Rand aufweist, zwischen der ersten Kontaktfläche (41) und der zweiten Kontaktfläche (52) eine Ausgleichsmetallisierung (10) angeordnet ist, die zum Ausgleich thermomechanischer Spannungen dient, und die die erste Kontaktfläche (41) mechanisch und elektrisch leitend mit der zweiten Kontaktfläche (52) verbindet, die Ausgleichsmetallisierung (10) in der horizontalen Richtung (r) vollständig innerhalb der horizontalen Begrenzungen der ersten Kontaktfläche (41) angeordnet ist...

公开(公告)号：DE102007046349B4

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：DE102007046349

申请日：2007-09-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAYERER REINHOLD DR ,  LICHT THOMAS DR

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/15 ,  H01L23/473

Abstract: Anordnung zum Kühlen eines Leistungshalbleitermoduls, wobei das Leistungshalbleitermodul ein Substrat mit einer Keramikplatte umfasst, die eine Metallisierung aufweist, wobei die Anordnung folgendes umfasst: einen Behälter für den Eintritt eines Kühlmittels, umfassend eine wärmeleitende Platte; wobei die wärmeleitende Platte zwei Seiten aufweist, eine mit der Metallisierung des Substrats verbundene Seite und die andere Seite, die mit dem Kühlmittel in Kontakt steht; wobei die wärmeleitende Platte aus Materialien hergestellt ist, die ein Metallmatrix-Verbundwerkstoff-(MMC Metal Matrix Composite)-Material mit einem Füllgehalt derart umfassen, dass die Wärmeausdehnung der wärmeleitenden Platte im Bereich von 11 bis 16 ppm/K liegt.

公开(公告)号：DE102010003367A1

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：DE102010003367

申请日：2010-03-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAYERER REINHOLD DR

IPC: H01R13/41

Abstract: Es wird ein Pressverbindungselement zum Einpressen in eine erste Kontaktöffnung eines ersten Anschlusselementes und eine zweite Kontaktöffnung eines zweiten Anschlusselementes offenbart. Das Pressverbindungselement weist auf: einen langgestreckten Grundkörper zum Durchführen durch die zweite Kontaktöffnung des zweiten Anschlusselementes bis hin zur ersten Kontaktöffnung des ersten Anschlusselementes; eine erste Einpresszone zur kraftschlüssigen Kontaktierung der ersten Kontaktöffnung; und eine in Längsrichtung von der ersten Einpresszone beabstandete zweite Einpresszone zur kraftschlüssigen Kontaktierung der zweiten Kontaktöffnung.

公开(公告)号：DE102008049193B4

公开(公告)日：2014-09-25

申请号：DE102008049193

申请日：2008-09-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAYERER REINHOLD DR

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: Eine Leistungshalbleiteranordnung umfassend ein Keramiksubstrat (20), das wenigstens eine strukturierte Metallisierungsschicht (21) aufweist; eine erste Anschlusslasche (31), die ein erstes Set mit wenigstens zwei steckerartigen Elementen (41) umfasst; eine zweite Anschlusslasche (32), die ein zweites Set mit wenigstens zwei steckerartigen Elementen (42) umfasst; einen Leistungshalbleiterchip (1, 2), der auf der Metallisierungsschicht (21) angeordnet ist und der wenigstens einen ersten Lastanschluss und wenigstens einen zweiten Lastanschluss aufweist, wobei der erste Lastanschluss mit dem ersten Set steckerartiger Elemente (41) verbunden ist, und wobei der zweite Lastanschluss mit dem zweiten Set steckerartiger Elemente (42) verbunden ist; eine weitere elektronische Komponente (110), die wenigstens einen ersten Lastanschluss und wenigstens einen zweiten Lastanschluss aufweist, wobei der erste Lastanschluss mit einem dritten Set steckerartiger Elemente (45) verbunden ist und wobei der zweite Lastanschluss mit einem vierten Set steckerartiger Elemente (44) verbunden ist; ein erster schichtförmiger und aus Metall bestehender Metallstreifenleiter (11), der ein erstes Set von Öffnungen (51) aufweist, die das erste Set steckerartiger Elemente (41) aufnehmen, und ein drittes Set von Öffnungen (51), die das dritte Set steckerartiger Elemente (45) aufnehmen; ein zweiter schichtförmiger und aus Metall bestehender Metallstreifenleiter (12), der ein zweites Set von Öffnungen (52) aufweist, die das zweite Set steckerartiger Elemente (42) aufnehmen, und ein viertes Set von Öffnungen (52), die das vierte Set steckerartiger Elemente (44) aufnehmen; wobei die Öffnungen (51, 52) in den Metallstreifenleitern (11, 12) und die steckerartigen Elemente (41, 42, 44, 45) eine Press-Fit Verbindung ausbilden; und die Metallstreifenleiter (11, 12) parallel so zueinander angeordnet sind, dass wenn sie mit Strömen beaufschlagt werden, die betreffenden Ströme in den Metallstreifenleitern in entgegengesetzte Richtungen fließen.

公开(公告)号：DE102008049677B4

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：DE102008049677

申请日：2008-09-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAYERER REINHOLD DR ,  KANSCHAT PETER DR ,  JANSEN UWE

IPC: H03K17/00

Abstract: Schaltungsanordnung mit einem ersten Halbleiterschaltelement (1), das eine Laststrecke und einen Ansteueranschluss aufweist und das als Leistungs-MOSFET oder Leistungs-IGBT ausgebildet ist, mit einer Spannungsversorgungsschaltung (2), die aufweist: eine Induktivität (21), die in Reihe zu der Laststrecke des ersten Halbleiterschaltelements (21) geschaltet ist; eine parallel zu der Induktivität (21) geschaltete kapazitive Ladungsspeicheranordnung (20) mit einer ersten und einer zweiten Ausgangsklemme zum Bereitstellen einer Versorgungsspannung (V2), die eine erste Reihenschaltung mit einem ersten Gleichrichterelement (22) und einem ersten kapazitiven Speicherelement (23) und eine zweite Reihenschaltung mit einem zweiten Gleichrichterelement (52) und einem zweiten kapazitiven Speicherelement (53) aufweist, wobei die erste Reihenschaltung und die zweite Reihenschaltung jeweils parallel zu der Induktivität (21) geschaltet sind und das erste Gleichrichterelement (22) gegenüber dem zweiten Gleichrichterelement (52) verpolt ist, so dass das erste kapazitive Speicherelement (23) dazu ausgebildet ist, eine bezogen auf einen Laststreckenanschluss des ersten Halbleiterschaltelements (1) positive Spannung bereitzustellen und das zweite kapazitive Speicherelement (53) dazu ausgebildet ist, eine bezogen auf den Laststreckenanschluss des ersten Halbleiterschaltelements (1) negative Spannung bereitzustellen; eine Anlaufschaltung (55, 56; 61, 62), die zwischen eine Klemme für ein Last-Versorgungspotential und das erste kapazitive Speicherelement (23) geschaltet ist, und mit einer Ansteuerschaltung (4), die Spannungsversorgungsklemmen (41, 42), die an die Ausgangsklemmen der Spannungsversorgungsschaltung (2) angeschlossen sind, und einen Ansteuerausgang, der an den Ansteueranschluss des Halbleiterschaltelements (1) angeschlossen ist, aufweist.

公开(公告)号：DE102012102154A1

公开(公告)日：2012-09-20

申请号：DE102012102154

申请日：2012-03-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAYERER REINHOLD DR ,  LUNIEWSKI PIOTR TOMASZ

IPC: H03K17/16 ,  H01L25/16 ,  H02M1/08

Abstract: Eine Halbleiteranordnung umfasst einen ersten Transistor, einen mit dem ersten Transistor parallel geschalteten zweiten Transistor und eine erste parasitäre Induktivität zwischen einem Emitter des ersten Transistors und einem Emitter des zweiten Transistors. Die Halbleiteranordnung umfasst eine erste Schaltung, die dazu ausgebildet ist, dem ersten Transistor auf der Basis eines gemeinsamen Treibersignals ein erstes Gatetreibersignal zuzuführen, und eine zweite Schaltung, die dazu ausgebildet ist, dem zweiten Transistor auf der Basis des gemeinsamen Treibersignals ein zweites Gatetreibersignal zuzuführen. Die erste Schaltung und die zweite Schl an der ersten parasitären Induktivität dergestalt zu kompensieren, dass das erste Gatetreibersignal und das zweite Gatetreibersignal mit dem gemeinsamen Treibersignal phasengleich sind und denselben Betrag wie dieses aufweisen.

公开(公告)号：DE102008036112B4

公开(公告)日：2021-09-30

申请号：DE102008036112

申请日：2008-08-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAYERER REINHOLD DR

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L23/16 ,  H01L23/34

Abstract: Leistungshalbleitermodul (1) miteinem Mehrschichtsubstrat (3), das mehrere Metallschichten (11, 12, 13) und mehrere Keramikschichten (21, 22) aufweist, wobei eine Keramikschicht (21, 22) zwischen zwei Metallschichten (11, 12, 13) angeordnet ist;einem oder mehreren auf dem Mehrschichtsubstrat (3) angeordneten Halbleiterchips (40);einem elektrischen Stromkreis, der mindestens einen Leistungshalbleiterchip (40) aufweist;einer Gehäuseabdeckung (4), die eine Seitenwand (4d) aufweist, wobei die Seitenwand (4d) eine zum Mehrschichtsubstrat (3) gewandte untere Oberfläche (4f) aufweist; undeinem elastischen Füllmittel (7),wobeidas Mehrschichtsubstrat (3) eine Bodenplatte des Leistungshalbleitermoduls (1) bildet, so dass das Leistungshalbleitermodul (1) mit dem Mehrschichtsubstrat (3) direkt gegen einen Kühlkörper (9) gedrückt werden kann,die mehreren Metallschichten (11, 12, 13) mindestenseine erste Metallschicht (11), eine zweite Metallschicht (12) und eine dritte Metallschicht (13) aufweisen,die mehreren Keramikschichten (21, 22) mindestens eineerste Keramikschicht (21) und eine zweite Keramikschicht (22)aufweisen, unddas elastische Füllmittel (7) zumindest teilweise zwischen der unteren Oberfläche der Seitenwand (4d) und der oberen Oberfläche der zweiten Keramikschicht (22) angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102010003367B4

公开(公告)日：2015-06-25

申请号：DE102010003367

申请日：2010-03-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAYERER REINHOLD DR

IPC: H01R12/58 ,  H01R13/633

Abstract: Verbindungssystem für Elektronikmodule, das aufweist: ein Elektronikmodul (10), das zumindest ein erstes Anschlusselement (11, 12, 13, 14) mit zumindest einer ersten Kontaktöffnung (11') aufweist, zumindest ein externes Anschlusselement (20, 20') mit einer zweiten Kontaktöffnung; zumindest ein Pressverbindungselement (30, 30') umfassend einen langgestreckten Grundkörper (33) zum Durchführen durch die zweite Kontaktöffnung des externen Anschlusselementes (20, 20') bis in die erste Kontaktöffnung (11') des ersten Anschlusselementes (11, 12, 13, 14) des Elektronikmoduls (10), wobei das Pressverbindungselement (30, 30') eine erste Einpresszone (A) zur kraftschlüssigen Kontaktierung der ersten Kontaktöffnung (11') und eine in Längsrichtung von der ersten Einpresszone (A) beabstandete zweite Einpresszone (B) zur kraftschlüssigen Kontaktierung der zweiten Kontaktöffnung umfasst; und zumindest ein Trägerelement (35, 36), an dem das zumindest eine Pressverbindungselement (30, 30') derart angeordnet und befestigt ist, dass das Trägerelement (35, 36) bei eingepresstem Pressverbindungselement (30, 30') an dem externen Anschlusselement (20, 20') anliegt, wobei an dem Trägerelement (36) zumindest ein Hebel (37) angelenkt ist, mit dem bei eingepresstem Pressverbindungselement (30, 30') eine Kraft auf das externe Anschlusselement(20, 20') ausgeübt werden kann, welche in Längsrichtung des Pressverbindungselements (30, 30') wirkt und ein Herausziehen des Pressverbindungselementes (30, 30') aus der ersten Kontaktöffnung (11') des ersten Anschlusselementes 12, 13, 14) des Elektronikmoduls (10) ermöglicht.

公开(公告)号：DE102007046021B4

公开(公告)日：2012-09-13

申请号：DE102007046021

申请日：2007-09-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SIEPE DIRK ,  BAYERER REINHOLD DR

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/15 ,  H01L23/373 ,  H01L23/488

Abstract: Halbleiteranordnung mit einem Siliziumkörper mit einer ersten Oberfläche und einer zweiten Oberfläche, wobei auf einer Oberfläche des Siliziumkörpers s eines Leistungshalbleiterchips (11) – eine dicke Metallschicht (47) aus Kupfer oder einer Kupferlegierung mit einer Dicke von mindestens 10 Mikrometer (μm); und – eine Bondstelle, an der ein Kupferbonddraht (42) mit einem Durchmesser von 300 μm bis 1 mm an die dicke Metallschicht (47) gebondet ist, aufeinanderfolgend angeordnet sind, wobei – eine dünne stromleitende Haftschicht (49a) zwischen der dicken Metallschicht (47) und dem Siliziumkörper auf der Oberfläche des Siliziumkörpers abgeschieden ist; – eine Barriereschicht (49b) zur Unterdrückung einer Diffusion von Metall aus der dicken Metallschicht (47) in den Siliziumkörper zwischen der dicken Metallschicht (47) und dem Siliziumkörper angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102006014582B4

公开(公告)日：2011-09-15

申请号：DE102006014582

申请日：2006-03-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAYERER REINHOLD DR ,  STROTMANN GUIDO ,  FROEBUS DIRK ,  SPANKE REINHOLD

IPC: H01L23/48 ,  H01L25/07

Abstract: Halbleitermodul mit mindestens einem Leistungshalbleiterbauelement und mindestens einem metallischen Stromverbindungselement (100; 100a, 100b), welches für einen Stromanschluss zum Äußeren (A) des Halbleitermoduls und mit Schaltungsträgern (130, 131) und/oder Leiterbahnen im Inneren des Halbleitermoduls oder zur direkten Verbindung mit dem mindestens einen Leistungshalbleiterbauelement eingerichtet und von einem zum Äußeren (A) des Halbleitermoduls führenden äußeren Verbindungsabschnitt (111) bis zu einem oder mehreren modulinternen Kontaktabschnitten (101, 102, 103; 110) geführt ist und das wenigstens einen verformbaren Dehnungsbogen (D) aufweist, um den einen oder die mehreren modulinternen Kontaktabschnitte von auf das Halbleitermodul im Betrieb und/oder bei dessen Montage einwirkenden mechanischen Kräften zu entlasten, dadurch gekennzeichnet, dass – das Stromverbindungselement (100, 100a, 100b) als mehrlagiges Metallband ausgeführt ist, dessen Metalllagen (1, 2, 3, ..., n) wenigstens über einen Teil seiner Länge von dem äußeren Verbindungsabschnitt (111) bis zu dem einen oder den mehreren modulinternen Kontaktabschnitt(en) (101, 102, 103; 110) entweder direkt oder...