公开(公告)号：DE102019128394A1

公开(公告)日：2021-04-22

申请号：DE102019128394

申请日：2019-10-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： VAN TREEK VERA ,  JÄGER CHRISTIAN ,  PHILIPPOU ALEXANDER ,  MÜLLER CHRISTIAN ROBERT ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  PFIRSCH FRANK DIETER ,  BABURSKE ROMAN ,  SPECHT JUDITH

IPC: H01L23/482 ,  H01L29/739 ,  H01L29/45

Abstract: Ein Halbleiter-Die (510) enthält einen Halbleiterkörper (100). Der Halbleiterkörper (100) enthält einen ersten aktiven Bereich (191) und einen zweiten aktiven Bereich (192). Der erste aktive Bereich (191) enthält erste Sourcegebiete (111). Der zweite aktive Bereich (192) enthält zweite Sourcegebiete (112). Eine Gatestruktur (150) erstreckt sich von einer ersten Oberfläche (101) in den Halbleiterkörper (100). Die Gatestruktur (150) hat eine longitudinale Gate-Ausdehnung (lg) entlang einer ersten lateralen Richtung (291). Ein erstes Last-Pad (311) und die ersten Sourcegebiete (111) sind elektrisch verbunden. Ein zweites Last-Pad (312) und die zweiten Sourcegebiete (112) sind elektrisch verbunden. Eine Lücke (230) trennt das erste Last-Pad (311) und das zweite Last-Pad (312) lateral. Eine laterale longitudinale Ausdehnung der Lücke (230) ist parallel zur ersten Richtung (291) oder weicht von der ersten Richtung (291) um nicht mehr als 60 Grad ab. Eine Verbindungsstruktur (390) verbindet das erste Last-Pad (311) und das zweite Last-Pad (312) elektrisch. Die Verbindungsstruktur (390) ist in einer Vertiefung, die sich von der ersten Oberfläche (101) in den Halbleiterkörper (100) erstreckt, und/oder in einer auf der ersten Oberfläche (101) ausgebildeten Verdrahtungsschicht ausgebildet.