公开(公告)号：DE102014108913A1

公开(公告)日：2015-12-31

申请号：DE102014108913

申请日：2014-06-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SANDOW CHRISTIAN ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  VAN TREEK VERA

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: Eine Bipolartransistorvorrichtung 100 mit isoliertem Gate umfasst ein Halbleitersubstrat, das einen Driftbereich 112 einer Bipolartransistorstruktur mit isoliertem Gate umfasst. Ferner umfasst die Bipolartransistorvorrichtung 100 mit isoliertem Gate eine erste Nanodrahtstruktur 120 und eine erste Gatestruktur 130. Die erste Nanodrahtstruktur 120 der Bipolartransistorstruktur mit isoliertem Gate ist mit dem Driftbereich 112 verbunden. Ferner erstreckt sich die erste Gatestruktur 130 der Bipolartransistorstruktur mit isoliertem Gate entlang wenigstens eines Abschnitts der ersten Nanodrahtstruktur 120.

公开(公告)号：DE102015107103A1

公开(公告)日：2015-11-19

申请号：DE102015107103

申请日：2015-05-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BABURSKE ROMAN ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  PFIRSCH FRANK DIETER ,  VAN TREEK VERA

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: Ein Halbleiterbauelement wird nachstehend beschrieben. Gemäß einem Beispiel der Erfindung umfasst das Halbleiterbauelement einen Halbleiterkörper, der eine obere und eine untere Oberfläche aufweist. Eine Bodyregion, welche mit Dotierstoffen eines zweiten Dotierstofftyps dotiert ist, ist an der oberen Oberfläche des Halbleiterkörpers angeordnet. Eine Driftregion ist unter der Bodyregion angeordnet und dotiert mit Dotierstoffen eines ersten Dotierstofftyps, der zu dem zweiten Dotierstofftyp komplementär ist. Es wird daher ein pn-Übergang zwischen der Bodyregion und der Driftregion gebildet. Eine Feldstoppregion ist unter der Driftregion angeordnet und grenzt an die Driftregion an. Die Feldstoppregion ist mit Dotierstoffen des gleichen Dotierstofftyps dotiert wie die Driftregion. Die Dotierstoffkonzentration in der Feldstoppregion ist jedoch höher als die Dotierstoff-konzentration in der Driftregion. Zumindest ein Paar Halbleiterschichten, zusammengesetzt aus einer ersten und einer zweiten Halbleiterschicht, ist in der Driftregion angeordnet. Die erste Halbleiterschicht erstreckt sich im Wesentlichen parallel zu der oberen Oberfläche des Halbleiterkörpers und ist mit Dotierstoffen des ersten Dotierstofftyps dotiert, jedoch mit einer höheren Dotierstoffkonzentration als die Driftregion. Die zweite Halbleiterschicht ist benachbart zu der ersten Halbleiterschicht oder an diese angrenzend angeordnet und mit Dotierstoffen des zweiten Dotierstofftyps dotiert. Des Weiteren ist die zweite Halbleiter-schicht mit Öffnungen derart strukturiert, dass ein vertikaler Strompfad durch die Driftregion ohne zwischenliegenden pn-Übergang bereitgestellt wird.

公开(公告)号：DE102014108913B4

公开(公告)日：2021-09-30

申请号：DE102014108913

申请日：2014-06-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SANDOW CHRISTIAN ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  VAN TREEK VERA

IPC: H01L29/739

Abstract: Bipolartransistorvorrichtung (100) mit isoliertem Gate, die Folgendes umfasst:ein Halbleitersubstrat, das einen Driftbereich (112) einer Bipolartransistorstruktur mit isoliertem Gate umfasst;eine erste Nanodrahtstruktur (120) der Bipolartransistorstruktur mit isoliertem Gate, die mit dem Driftbereich (112) verbunden ist;eine erste Gatestruktur (130) der Bipolartransistorstruktur mit isoliertem Gate, die sich entlang wenigstens eines Abschnitts der ersten Nanodrahtstruktur (120) erstreckt;eine zweite Nanodrahtstruktur (220) der Bipolartransistorstruktur mit isoliertem Gate, die mit dem Driftbereich (112) verbunden ist; undeine zweite Gatestruktur (230) der Bipolartransistorstruktur mit isoliertem Gate, die sich entlang wenigstens eines Abschnitts der zweiten Nanodrahtstruktur (220) erstreckt,wobei die zweite Gatestruktur (230) eingerichtet ist, in einem eingeschalteten Zustand der Bipolartransistorvorrichtung eine Leitung von Ladungsträgern eines ersten Leitfähigkeitstyps und eines zweiten Leitfähigkeitstyps durch die zweite Nanodrahtstruktur (220) vollständig zu unterdrücken und während eines Ausschaltens der Bipolartransistorvorrichtung die Leitung von Ladungsträgern des zweiten Leitfähigkeitstyps durch die zweite Nanodrahtstruktur (220) zu ermöglichen.

公开(公告)号：DE102019128394A1

公开(公告)日：2021-04-22

申请号：DE102019128394

申请日：2019-10-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： VAN TREEK VERA ,  JÄGER CHRISTIAN ,  PHILIPPOU ALEXANDER ,  MÜLLER CHRISTIAN ROBERT ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  PFIRSCH FRANK DIETER ,  BABURSKE ROMAN ,  SPECHT JUDITH

IPC: H01L23/482 ,  H01L29/739 ,  H01L29/45

Abstract: Ein Halbleiter-Die (510) enthält einen Halbleiterkörper (100). Der Halbleiterkörper (100) enthält einen ersten aktiven Bereich (191) und einen zweiten aktiven Bereich (192). Der erste aktive Bereich (191) enthält erste Sourcegebiete (111). Der zweite aktive Bereich (192) enthält zweite Sourcegebiete (112). Eine Gatestruktur (150) erstreckt sich von einer ersten Oberfläche (101) in den Halbleiterkörper (100). Die Gatestruktur (150) hat eine longitudinale Gate-Ausdehnung (lg) entlang einer ersten lateralen Richtung (291). Ein erstes Last-Pad (311) und die ersten Sourcegebiete (111) sind elektrisch verbunden. Ein zweites Last-Pad (312) und die zweiten Sourcegebiete (112) sind elektrisch verbunden. Eine Lücke (230) trennt das erste Last-Pad (311) und das zweite Last-Pad (312) lateral. Eine laterale longitudinale Ausdehnung der Lücke (230) ist parallel zur ersten Richtung (291) oder weicht von der ersten Richtung (291) um nicht mehr als 60 Grad ab. Eine Verbindungsstruktur (390) verbindet das erste Last-Pad (311) und das zweite Last-Pad (312) elektrisch. Die Verbindungsstruktur (390) ist in einer Vertiefung, die sich von der ersten Oberfläche (101) in den Halbleiterkörper (100) erstreckt, und/oder in einer auf der ersten Oberfläche (101) ausgebildeten Verdrahtungsschicht ausgebildet.