公开(公告)号：DE102023133256B3

公开(公告)日：2025-03-27

申请号：DE102023133256

申请日：2023-11-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GROENER MARKUS ,  WEYERS JOACHIM ,  MAHMOUD AHMED

IPC: H10D1/43 ,  G01K7/01 ,  H10D8/00

Abstract: Die Offenbarung betrifft ein Halbleiter-Die, das Folgendes umfasst: eine erste Diodenkette mit einer Anzahl n1von in Reihe geschalteten Diodenübergängen, wobei n1≥ 1; eine zweite Diodenkette mit einer Anzahl n2von in Reihe geschalteten Diodenübergängen, wobei n2≥ 1, wobei die erste Diodenkette und die zweite Diodenkette als ein Temperatursensor mit dem gleichen Strom vorgespannt werden, wobei sich die erste Diodenkette und die zweite Diodenkette in ihrer jeweiligen Anzahl n1, n2von Übergängen und/oder in einer Dotierungskonzentration von mindestens einem der Übergänge unterscheiden.