公开(公告)号：DE102007015295B4

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：DE102007015295

申请日：2007-03-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WEYERS JOACHIM ,  STECHER MATTHIAS DR

IPC: H01L25/18 ,  H01L21/336 ,  H01L23/34 ,  H01L23/62 ,  H01L27/04 ,  H01L27/115 ,  H01L29/78

Abstract: Leistungshalbleiterbauelement (50) mit Temperatursensor (1), mit folgenden Merkmalen: einem Halbleitersubstrat (10) mit dem Leistungshalbleiterbauelement (50), wobei sich benachbart zu einer Hauptoberfläche (12) des Halbleitersubstrats ein Dissipationsgebiet (14) des Leistungshalbleiterbauelements befindet; einer Doppel-Polysiliziumschicht, die über dem Dissipationsgebiet des Leistungshalbleiterbauelements angeordnet ist, mit einer ersten und einer zweiten Polysiliziumschicht (16, 18) und mit einer dazwischen liegenden Isolationsschicht (20) zur galvanischen Trennung derselben, wobei die erste und zweite Polysiliziumschicht und die Isolationsschicht eine Schichtstruktur auf der Hauptoberfläche oberhalb des Dissipationsgebiets bilden, wobei die Schichtstruktur eine Dicke in einem Bereich von 50 bis 500 nm aufweist; und einem Temperatursensorelement (22), das in der zweiten Polysiliziumschicht (18) angeordnet ist, wobei die zweite Polysiliziumschicht (18) Messanschlüsse (34) für das Temperatursensorelement (22) aufweist, wobei das Temperatursensorelement (22) eine temperaturabhängige Charakteristik aufweist und mit dem Dissipationsgebiet thermisch gekoppelt ist, und wobei das Temperatursensorelement (22) ausgebildet ist, um entsprechend seiner temperaturabhängigen Charakteristik auf eine elektrische Anregung...

公开(公告)号：DE102023133256B3

公开(公告)日：2025-03-27

申请号：DE102023133256

申请日：2023-11-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GROENER MARKUS ,  WEYERS JOACHIM ,  MAHMOUD AHMED

IPC: H10D1/43 ,  G01K7/01 ,  H10D8/00

Abstract: Die Offenbarung betrifft ein Halbleiter-Die, das Folgendes umfasst: eine erste Diodenkette mit einer Anzahl n1von in Reihe geschalteten Diodenübergängen, wobei n1≥ 1; eine zweite Diodenkette mit einer Anzahl n2von in Reihe geschalteten Diodenübergängen, wobei n2≥ 1, wobei die erste Diodenkette und die zweite Diodenkette als ein Temperatursensor mit dem gleichen Strom vorgespannt werden, wobei sich die erste Diodenkette und die zweite Diodenkette in ihrer jeweiligen Anzahl n1, n2von Übergängen und/oder in einer Dotierungskonzentration von mindestens einem der Übergänge unterscheiden.

公开(公告)号：DE102017108047A1

公开(公告)日：2018-10-18

申请号：DE102017108047

申请日：2017-04-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WEYERS JOACHIM ,  MAUDER ANTON ,  GAMERITH STEFAN ,  HIRLER FRANZ

IPC: H01L23/60 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst einen Halbleiterkörper mit einer ersten Oberfläche und einer der ersten Oberfläche gegenüberliegenden zweiten Oberfläche. In dem Halbleiterkörper ist eine Transistorstruktur ausgebildet. Eine Grabenstruktur erstreckt sich von der ersten Oberfläche in den Halbleiterkörper. Eine Struktur zum Schutz gegen elektrostatische Entladung ist in der Grabenstruktur untergebracht. Die Struktur zum Schutz gegen elektrostatische Entladung umfasst ein erstes Anschlussgebiet und ein zweites Anschlussgebiet. Eine Source-Kontaktstruktur an der ersten Oberfläche ist mit Sourcegebieten der Transistorstruktur und mit dem ersten Anschlussgebiet elektrisch verbunden. Eine Gate-Kontaktstruktur an der ersten Oberfläche ist mit einer Gateelektrode der Transistorstruktur und mit dem zweiten Anschlussgebiet elektrisch verbunden.

公开(公告)号：DE102012112332A1

公开(公告)日：2013-06-20

申请号：DE102012112332

申请日：2012-12-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WEYERS JOACHIM ,  MAUDER ANTON ,  HIRLER FRANZ ,  MEISER ANDREAS ,  GLASER ULRICH

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/872

Abstract: Ein Ausführungsbeispiel einer integrierten Schaltung umfasst einen Halbleiterkörper. In dem Halbleiterkörper erstreckt sich ein erster Trenchbereich (104) in den Halbleiterkörper von einer ersten Oberfläche (105) aus. Die integrierte Schaltung umfasst weiterhin eine Diode (100) mit einem Anodenbereich (106) und einem Kathodenbereich (102). Ein Bereich aus dem Anodenbereich (106) und dem Kathodenbereich (102) ist wenigstens teilweise in dem ersten Trenchbereich (104) angeordnet. Der andere Bereich aus dem Anodenbereich (106) und dem Kathodenbereich (102) umfasst einen ersten Halbleiterbereich, der an den einen Bereich aus dem Anodenbereich (106) und dem Kathodenbereich (102) von der Außenseite des ersten Trenchbereiches (104) angrenzt.

公开(公告)号：DE102007015295A1

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：DE102007015295

申请日：2007-03-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WEYERS JOACHIM ,  STECHER MATTHIAS

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/62 ,  H01L25/18