公开(公告)号：DE102007012154B4

公开(公告)日：2014-05-08

申请号：DE102007012154

申请日：2007-03-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OTREMBA RALF DIPL PHYS DIPL ING

IPC: H01L25/04 ,  H01L21/60 ,  H01L23/28 ,  H01L23/48 ,  H01L23/495

Abstract: Halbleitermodul aufweisend: – mindestens zwei Halbleiterchips (4, 5) mit – wenigstens einer ersten und einer zweiten Elektrode (12, 13) auf ihren ersten Seiten (15) und – jeweils einer dritten Elektrode (14) auf ihren zweiten Seiten (16), wobei die Halbleiterchips (4, 5) derart innerhalb des Halbleitermoduls (1) angeordnet sind, dass die Elektroden (12, 13) auf den ersten Seiten (15) der Halbleiterchips (4, 5) zu einer zweiten Seite (17) des Halbleitermoduls (1) und die dritten Elektroden (14) auf den zweiten Seiten (16) der Halbleiterchips (4, 5) zu einer ersten Seite (18) des Halbleitermoduls (1) ausgerichtet sind, – Außenanschlüsse (19, 20) auf der zweiten Seite (17) des Halbleitermoduls (1), mit denen die Elektroden (12, 13) der ersten Seiten (15) gekoppelt sind, – Verbindungselemente (22), welche die dritten Elektroden (14) mit den Außenanschlüssen (21) auf der zweiten Seite (17) des Halbleitermoduls (1) elektrisch koppeln, wobei die Elektroden (12, 13) der ersten Seite (15) Flipchipkontakte aufweisen, die auf elektrisch voneinander getrennten Außenkontaktblöcken (23) angeordnet sind und wobei die Außenanschlüsse (21) der Verbindungselemente (22) auf den Außenkontaktblöcken (23) angeordnet sind und wobei die Außenkontaktblöcke (23) mit oberflächenmontierbaren Außenkontaktflächen (24) versehen sind und diese Außenkontaktflächen (24) auf der zweiten Seite (17) des Halbleitermoduls (1) frei zugänglich sind und in einem Halbleitermodulgehäuse (26) fixiert sind und wobei das Halbleitermodulgehäuse (26) eine Kunststoffgehäusemasse (31) aufweist, in welche die Halbleiterchips (4, 5), die Verbindungselemente (22) und die Außenanschlüsse (19, 20, 21) unter Freilassung der Außenkontaktflächen (24) eingebettet sind.

公开(公告)号：DE102007022428B4

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：DE102007022428

申请日：2007-05-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OTREMBA RALF DIPL PHYS DIPL ING ,  SCHIESS KLAUS DIPL ING

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/50 ,  H01L25/18

Abstract: Elektronisches Bauelement, das zwei vertikale, in einem Stapel angeordnete Halbleiterleistungstransistoren umfasst, wobei – ein erster vertikaler Halbleiterleistungstransistor einen Halbleiterkörper umfasst, der eine erste Seite und eine zweite Seite und Vorrichtungsstrukturen, mindestens eine erste auf der ersten Seite angeordnete Elektrode und mindestens eine zweite auf der zweiten Seite angeordnete Elektrode aufweist, wobei der Halbleiterkörper weiterhin mindestens eine elektrisch leitfähige Durchkontaktierung umfasst, die Durchkontaktierung sich von der ersten Seite zu der zweiten Seite des Halbleiterkörpers erstreckt und galvanisch von den Vorrichtungsstrukturen des Halbleiterkörpers und von der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode isoliert ist, und – ein zweiter vertikaler Halbleiterleistungstransistor einen Halbleiterkörper umfasst, der eine erste Seite und eine zweite Seite und Vorrichtungsstrukturen, mindestens eine erste Elektrode und mindestens eine Steueredestens eine auf der zweiten Seite angeordnete zweite Elektrode aufweist, und wobei der zweite vertikale Halbleiterleistungstransistor auf die zweite Seite des ersten...

公开(公告)号：DE102007025248B4

公开(公告)日：2012-07-19

申请号：DE102007025248

申请日：2007-05-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OTREMBA RALF DIPL PHYS DIPL ING

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/50 ,  H01L23/34 ,  H01L23/48

Abstract: Elektronisches Bauelement, umfassend: – mindestens zwei vertikale Halbleiterleistungsbauteile (2, 3), wobei jedes vertikale Halbleiterbauteil (2, 3) eine erste Seite (11, 17) und eine zweite der ersten Seite (11, 17) gegenüber liegende Seite (12, 18) umfasst, wobei mindestens eine erste Lastelektrode (13, 19) auf der ersten Seite (11, 17) angeordnet ist und mindestens eine zweite Lastelektrode (14, 21) auf der zweiten Seite (12, 18) angeordnet ist, – eine elektrisch leitfähige Anschlussklemme (7), wobei die Anschlussklemme (7) einen flachen Teilbereich (23) umfasst und mindestens einen peripheren Randzonenbereich (24), der sich von einem Kantenbereich des flachen Teilbereichs (23) in einer Richtung in Richtung der unteren Seite (25) des flachen Teilbereichs (23) erstreckt, – eine Vielzahl von oberflachenmontierbaren außeren Anschlussoberflächen (10), – einen Tragerstreifen (4), der eine untere Oberfläche (9) umfasst, die die oberflächenmontierbaren äußeren Anschlussoberflächen (10) vorsieht und eine obere Oberfläche (8), die mindestens zwei Chipaufnahmebereiche (5, 6) vorsieht,...

公开(公告)号：DE102006060484B4

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：DE102006060484

申请日：2006-12-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOSSEINI KHALIL DR ,  KOENIGSBERGER ALEXANDER ,  OTREMBA RALF DIPL PHYS DIPL ING ,  SCHIESS KLAUS DIPL ING

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Halbleiterbauelement, aufweisend: – einen Halbleiterbauelementtrager (3) mit Außenanschlussstreifen (4); – einen Halbleiterchip (5) mit einer ersten Elektrode (6) und einer Steuerelektrode (7) auf seiner Oberseite (8) und einer zweiten Elektrode (9) auf seiner Rückseite (10); wobei – der Halbleiterchip (5) mit seiner Oberseite (8) in Flip-Chip-Anordnung (11) auf einem ersten und einem zweiten Außenanschlussstreifen (12, 13) fur die erste Elektrode (6) und die Steuerelektrode (7) fixiert ist und wobei – die zweite Elektrode (9) über mindestens ein Bondband (14) mit wenigstens einem dritten Außenanschlussstreifen (15) elektrisch in Verbindung steht, wobei die Außenanschlussstreifen (12, 13, 15) auf zwei gegenüberliegenden Randseiten (17, 19) des Halbleiterbauelements (1) frei zugänglich sind und sich jeweils ein Außenanschlussstreifen (12, 13, 15) auf der Unterseite (16) des Halbleiterbauelements (1) von einer Randsseite (17) zu einer gegenüberliegenden Randseite (19) erstreckt und die Außenanschlussstreifen (12, 13, 15) auf der Unterseite (16) des Halbleiterbauelements...

公开(公告)号：DE102006050291B4

公开(公告)日：2015-04-02

申请号：DE102006050291

申请日：2006-10-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OTREMBA RALF DIPL PHYS DIPL ING

IPC: H01L21/52 ,  H01L25/18 ,  H01L23/31 ,  H01L23/49 ,  H01L23/495

Abstract: Elektronische Baugruppe, die nachfolgendes umfasst: einen Trägerstreifen, der ein Chipfeld und eine Vielzahl von Leitungen umfasst, wobei jede Leitung einen inneren Teil und einen äußeren Teil aufweist, wobei sich mindestens eine Leitung vom Chipfeld erstreckt, wodurch eine Ausgangsleitung zur Verfügung gestellt wird und wobei die übrigen Leitungen durch einen Abstand vom Chipfeld getrennt sind und mindestens eine Eingangsleitung und eine Steuerungsleitung zur Verfügung stellen; einen Halbleiterleistungsschalter, der eine obere Seite und eine untere Seite umfasst, wobei die untere Seite des Halbleiterleistungsschalters auf das Chipfeld montiert ist, ein Steuerungskontakt und ein Eingangskontakt auf der oberen Seite des Halbleiterleistungsschalters angeordnet sind, und ein Ausgangskontakt auf der unteren Seite des Halbleiterleistungsschalters angeordnet ist; eine Halbleiterdiode, die eine obere Seite und eine untere Seite umfasst, wobei die obere Seite einen Kathodenkontakt umfasst und die untere Seite einen Anodenkontakt umfasst, wobei der Anodenkontakt auf dem Eingangskontakt des Halbleiterleistungsschalters angeordnet und elektrisch mit diesem verbunden ist, und wobei der Kathodenkontakt elektrisch mit dem Ausgangskontakt des Leistungshalbleiterschalters verbunden ist; mindestens einen ersten elektrischen Leiter, der sich zwischen dem Steuerungskontakt des Halbleiterleistungsschalters und der Steuerungsleitung des Trägerstreifens erstreckt und diese elektrisch verbindet; mindestens einen zweiten elektrischen Leiter, der sich zwischen dem Eingangskontakt des Halbleiterleistungsschalters und der Eingangsleitung des Trägerstreifens erstreckt und diese elektrisch verbindet; und ein elektrisch isolierendes plastisches Material, das zumindest die Halbleiterdiode, den Halbleiterleistungsschalter, die ersten und zweiten elektrischen Leiter und die inneren Teile der Leitungen verkapselt, wobei ein elektrisch leitfähiger Abstandshalter auf dem Anodenkontakt der Halbleiterdiode angeordnet ist, wobei der elektrisch leitfähige Abstandshalter einen Abstand zwischen dem Anodenkontakt und dem Eingangskontakt des Halbleiterleistungsschalters zur Verfügung stellt und wobei der elektrisch leitfähige Abstandshalter seitlich kleiner ist als der Anodenkontakt der ...

公开(公告)号：DE102007027378B4

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：DE102007027378

申请日：2007-06-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOEGLAUER JOSEF DIPL ING ,  OTREMBA RALF DIPL PHYS DIPL ING ,  SCHLOEGEL XAVER DIPL ING ,  STECHER MATTHIAS DR ING

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/445 ,  H01L21/58 ,  H01L23/12 ,  H01L23/482 ,  H01L29/78 ,  H05K1/18

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements, umfassend – einen vertikalen Halbleiterchip (2), der eine erste Hauptoberfläche (5) und eine zweite Hauptoberfläche (6) umfasst, die der ersten Hauptoberfläche (5) gegenüber liegt, – eine elektrisch leitfähige Anschlussklemme (4), die eine obere Oberfläche, einen peripheren Randzonenbereich (16) und eine untere Oberfläche (17) umfasst, wobei mindestens ein Teil der unteren Oberfläche (17) zeigend in Richtung der und in einem Abstand (d) beabstandet von der zweiten Hauptoberfläche (6) angeordnet ist, um eine erste Aussparung (14) zur Verfügung zu stellen, – einen elektrisch leitfähigen Chipträger (3), der Seitenflächen und eine obere Oberfläche (9) umfasst, wobei mindestens einen Teil der oberen Oberfläche (9) zeigend in Richtung der und in einem Abstand (d) beabstandet von der ersten Hauptoberfläche (5) angeordnet ist, um eine zweite Aussparung (14) zur Verfügung zu stellen, wobei sich eine zweite galvanisch aufgebrachte metallische Schicht (23) zwischen der zweiten Hauptoberfläche (6) und...