公开(公告)号：DE102005028951B4

公开(公告)日：2018-05-30

申请号：DE102005028951

申请日：2005-06-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LASKA THOMAS ,  STECHER MATTHIAS DR ,  BELLYNCK GREGORY ,  HOSSEINI KHALIL DR ,  MAHLER JOACHIM DR

IPC: H01L23/49 ,  H01L25/07 ,  H01R4/02 ,  H01R43/02

Abstract: Verbindungsanordnung zwischen einer Halbleiter-Schaltungsanordnung (1) und einer äusseren Kontakteinrichtung (3), bei der die Unterseite (12) der Halbleiter-Schaltungsanordnung (1) und die Oberseite (31) der äusseren Kontakteinrichtung (3) gegenüber zueinander vorgesehen sind und eine elektrische Verbindung zwischen einem inneren Kontaktanschluss (4) auf der zur Unterseite gegenüberliegenden Oberseite (11) der Halbleiter-Schaltungsanordnung (1) und einem äusseren Kontaktanschluss (5) auf der Oberfläche der äusseren Kontakteinrichtung (3) aus einem elektrisch leitenden Draht (6) besteht, wobei auf der Oberfläche mindestens des inneren Kontaktanschlusses (4) und auf der Oberfläche des Drahtes (6) eine zusätzliche metallische Schicht (7, 72) angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die metallische Schicht (7) aus Zn-Keimen (71), einer Ni-Legierungsschicht (72), einer Pd-Schicht (73) und einer Au-Schicht (74) besteht.

公开(公告)号：DE102005034485B4

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：DE102005034485

申请日：2005-07-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KRUMREY JOACHIM DIPL PHYS ,  NOEBAUER GERHARD ,  HOSSEINI KHALIL DR ,  MAHLER JOACHIM DR

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861

Abstract: Verbindungselement (1) eines Halbleiterbauelements, wobei das Verbindungselement zur Anordnung auf einer großflächigen Verbindungsfläche (10) eines Halbleiterbauelements vorgesehen ist, wobei das Verbindungselement (1) mehrere auf der Verbindungsfläche (10) gebondete Bonddrähte (28) mit in fixierten Positionen (12, 14, 16) angeordneten Bonddrahtstücken (6, 7, 8) und ein auf der Verbindungsfläche (10) angeordnetes und die gesamte Verbindungsfläche (10) bedeckendes, elektrisch leitendes Material (9) umfasst, wobei die Bonddrahtstücke (6, 7, 8) auf der großflächigen Verbindungsfläche (10) gleichmäßig nebeneinander verteilt angeordnet sind, wobei die großflächige Verbindungsfläche (10) die Source-Elektrode (S) eines Leistungstransistors oder die Kathode einer Leistungsdiode aufweist, und wobei die Bonddrahtstücke (6, 7, 8) gemeinsam in das elektrisch leitende Material (9) eingebettet sind und wobei das elektrisch leitende Material (9) eine Metallpaste ist und diese zu einer elektrisch leitfähigen Paste zusammengesintert ist.

公开(公告)号：DE102005001151B4

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：DE102005001151

申请日：2005-01-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OTREMBA RALF ,  HOSSEINI KHALIL DR ,  STRACK HELMUT DR

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/48 ,  H01L29/78

Abstract: Bauelementanordnung, die folgende Merkmale aufweist: – einen Halbleiterchip (10), der einen auf einer ersten Seite (31) des Halbleiterchips (10) angeordneten ersten Lastanschluss (11), einen auf einer der ersten Seite (31) gegenüberliegenden zweiten Seite (32) angeordneten zweiten Lastanschluss (12) und einen Steueranschluss (13) aufweist, – einen Chipträger (21), auf dem der Halbleiterchip (10) angeordnet ist und der elektrisch und thermisch leitend mit dem ersten Lastanschluss (11) des Halbleiterkörpers (10) verbunden ist, – ein Kontaktstück (22), das auf dem zweiten Lastanschluss (12) angeordnet und elektrisch und thermisch leitend mit diesem verbunden ist und auf seiner dem Halbleiterchip (10) abgewandten Seite eine Frontfläche (221) aufweist, – eine dielektrische Masse, mit der der Halbleiterchip (10), der Chipträger (21) und das Kontaktstück (22) umspritzt oder vergossen sind und die ein Gehäuse (30) bildet, wobei der Chipträger (21) an einer ersten Seite (31) des Gehäuses (30) freiliegt, das Kontaktstück (22) an einer...

公开(公告)号：DE102006038875B4

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：DE102006038875

申请日：2006-08-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOSSEINI KHALIL DR ,  WOWRA THOMAS DR

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/49 ,  H01L23/495

Abstract: Herstellungsverfahren für ein elektronisches Bauelement, umfassend mindestens ein auf einem Träger (7), der als ein Kupfer aufweisendes Leadframe ausgebildet ist, befestigtes Halbleiterelement (5), mit einer Drahtbond-Verbindung zwischen dem Halbleiterelement und dem Träger, mit folgenden Schritten: – Aufbringen mindestens einer leitfähigen erhabenen metallischen und mit einer verjüngten Deckfläche ausgebildeten Kontaktschwelle (11) aus Aluminium oder einer Aluminiumlegierung auf dem Träger, – Ausführen eines Drahtbond-Kontaktierens zwischen der Kontaktschwelle und einem Bond-Pad (6a) auf dem Halbleiterelement mittels eines Gold-Bonddrahts (12).

公开(公告)号：DE102006044691B4

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：DE102006044691

申请日：2006-09-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOSSEINI KHALIL DR ,  STECHER MATTHIAS DR

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/482 ,  H01L23/50

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Anschlussleitstruktur eines Bauelements (400), umfassend die Schritte: Aufbringen einer ersten Maske (34) auf ein integriertes Bauelement (10), Galvanisieren einer elektrisch leitfahigen ersten Schicht (44), wobei die erste Schicht (44) besteht aus oder enthält Kupfer oder eine Kupferlegierung, Abscheiden einer zweiten Schicht (50, 52) nach dem Galvanisieren, wobei die zweite Schicht (50, 52) besteht aus oder enthält Aluminium oder eine Aluminiumlegierung, oder wobei die zweite Schicht besteht aus oder enthält ein Metall der vierten bis sechsten Nebengruppe, oder wobei die zweite Schicht besteht aus oder enthält ein Metall und Phosphor, Strukturieren der zweiten Schicht (50, 52) mit einer weiteren Maske (54). wobei beim Aufbringen der weiteren Maske (54) die erste Maske (34) noch an dem Bauelement (10) angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102006060484B4

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：DE102006060484

申请日：2006-12-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOSSEINI KHALIL DR ,  KOENIGSBERGER ALEXANDER ,  OTREMBA RALF DIPL PHYS DIPL ING ,  SCHIESS KLAUS DIPL ING

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Halbleiterbauelement, aufweisend: – einen Halbleiterbauelementtrager (3) mit Außenanschlussstreifen (4); – einen Halbleiterchip (5) mit einer ersten Elektrode (6) und einer Steuerelektrode (7) auf seiner Oberseite (8) und einer zweiten Elektrode (9) auf seiner Rückseite (10); wobei – der Halbleiterchip (5) mit seiner Oberseite (8) in Flip-Chip-Anordnung (11) auf einem ersten und einem zweiten Außenanschlussstreifen (12, 13) fur die erste Elektrode (6) und die Steuerelektrode (7) fixiert ist und wobei – die zweite Elektrode (9) über mindestens ein Bondband (14) mit wenigstens einem dritten Außenanschlussstreifen (15) elektrisch in Verbindung steht, wobei die Außenanschlussstreifen (12, 13, 15) auf zwei gegenüberliegenden Randseiten (17, 19) des Halbleiterbauelements (1) frei zugänglich sind und sich jeweils ein Außenanschlussstreifen (12, 13, 15) auf der Unterseite (16) des Halbleiterbauelements (1) von einer Randsseite (17) zu einer gegenüberliegenden Randseite (19) erstreckt und die Außenanschlussstreifen (12, 13, 15) auf der Unterseite (16) des Halbleiterbauelements...