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公开(公告)号：DE102016104507A1
公开(公告)日：2017-09-14
申请号：DE102016104507
申请日：2016-03-11
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： FÖRSTER JÜRGEN , RECCIUS CHRISTIAN , GOLLER KLAUS
IPC: H01L27/08 , C23C14/06 , C23C14/34 , H01L21/203 , H01L21/283 , H01L21/3205 , H01L29/43 , H01L29/86
Abstract: Ein Halbleiterbauelement, das eine Tantalnitridwiderstandsstruktur umfasst, die eine Tantalnitridschicht mit einem Flächenwiderstand von mehr als 100 Ω/Quadrat aufweist.
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