公开(公告)号：DE102004011175B4

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：DE102004011175

申请日：2004-03-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM DR ,  HILLE FRANK ,  RUPP THOMAS DR

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/331

Abstract: Verfahren zur Aktivierung implantierter Dotierungsatome, bei dem zunächst in einem oberflächennahen Bereich (7) eines Halbleiterkörpers (1) durch Implantation Dotierstoff mit einer bestimmten Dosis eingebracht wird und bei dem danach der Halbleiterkörper (1) einer Ausheilbehandlung bei einer vorgegebenen Temperatur unterworfen wird, dadurch gekennzeichnet, – dass als oberflächennaher Bereich (7) der p-dotierte Emitter eines IGBTs oder Thyristors verwendet wird, – dass der oberflächennahe Bereich (7) in der Rückseite des Halbleiterkörpers (1) vorgesehen wird, – dass die vorgegebene Temperatur 350°C bis 450°C beträgt, – dass als Dotierstoff geladene BF2-Teilchen verwendet werden, und – dass der Dotierstoff mit einer Dosis von wenigstens 5 × 1014 Teilchen cm–2 in den Halbleiterkörper (1) eingebracht wird.