公开(公告)号：DE102004011175B4

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：DE102004011175

申请日：2004-03-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM DR ,  HILLE FRANK ,  RUPP THOMAS DR

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/331

Abstract: Verfahren zur Aktivierung implantierter Dotierungsatome, bei dem zunächst in einem oberflächennahen Bereich (7) eines Halbleiterkörpers (1) durch Implantation Dotierstoff mit einer bestimmten Dosis eingebracht wird und bei dem danach der Halbleiterkörper (1) einer Ausheilbehandlung bei einer vorgegebenen Temperatur unterworfen wird, dadurch gekennzeichnet, – dass als oberflächennaher Bereich (7) der p-dotierte Emitter eines IGBTs oder Thyristors verwendet wird, – dass der oberflächennahe Bereich (7) in der Rückseite des Halbleiterkörpers (1) vorgesehen wird, – dass die vorgegebene Temperatur 350°C bis 450°C beträgt, – dass als Dotierstoff geladene BF2-Teilchen verwendet werden, und – dass der Dotierstoff mit einer Dosis von wenigstens 5 × 1014 Teilchen cm–2 in den Halbleiterkörper (1) eingebracht wird.

公开(公告)号：DE10349582B4

公开(公告)日：2008-09-25

申请号：DE10349582

申请日：2003-10-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON DR-ING ,  HILLE FRANK ,  VYTLA RAJEEV KRISHNA ,  FALCK ELMAR ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  STRACK HELMUT

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/26 ,  H01L21/329 ,  H01L29/32

公开(公告)号：DE102016104788A1

公开(公告)日：2017-09-21

申请号：DE102016104788

申请日：2016-03-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JOSHI RAVI KESHAV ,  ROTH ROMAN ,  SCHULZE HOLGER ,  HILLE FRANK ,  LASKA THOMAS ,  UMBACH FRANK ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHÄFFER CARSTEN ,  MÜLLER MATTHIAS ,  FUGGER MICHAEL ,  STEINBRENNER JÜRGEN ,  HUMBEL OLIVER

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

Abstract: Ein Ausführungsbeispiel einer Halbleitervorrichtung umfasst eine Metallstruktur, die elektrisch mit einem Halbleiterkörper verbunden ist. Eine Metalladhäsions- und Barrierestruktur ist zwischen der Metallstruktur und dem Halbleiterkörper. Die Metalladhäsions- und Barrierestruktur umfasst eine Schicht, die Titan und Wolfram aufweist, und eine Schicht, die Titan, Wolfram und Stickstoff aufweist, auf der Schicht, die Titan und Wolfram aufweist.

公开(公告)号：DE102005004354A1

公开(公告)日：2006-08-17

申请号：DE102005004354

申请日：2005-01-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LASKA THOMAS ,  SCHAEFFER CARSTEN ,  UMBACH FRANK ,  PFIRSCH FRANK ,  HILLE FRANK ,  GRIEBL ERICH ,  PFAFFENLEHNER MANFRED

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: Semiconductor device has a semiconductor body between front and rear side contacts with front and rear side surfaces. Control electrodes are embedded against base areas (3) in trenches, such that current flow between emitter areas (9) and drift areas is controllable by the electrodes. A floating area (5) has a penetration depth in the drift areas, where the depth corresponds to another two penetration depths of the base areas and the trenches.

公开(公告)号：DE10261424B3

公开(公告)日：2004-07-01

申请号：DE10261424

申请日：2002-12-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  HILLE FRANK ,  PFAFFENLEHNER MANFRED

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L21/265 ,  H01L21/329 ,  H01L21/332

Abstract: Production of an emitter with a good ohmic contact to a metallic contact layer for a semiconductor component comprises introducing an emitter into a surface region of a semiconductor body (10) by doping in three steps, in which the last doping step is ion implantation. The defects formed by ion implantation weaken the emitter degree of action by raising the recombination rate and thus reducing the charge carrier service life and simultaneously deliver a further active doping.

公开(公告)号：DE102016015777A1

公开(公告)日：2017-12-21

申请号：DE102016015777

申请日：2016-05-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KOERNER HEINRICH ,  ENGL REIMUND ,  MAHLER JOACHIM ,  VELLEI ANTONIO ,  HILLE FRANK ,  GATTERBAUER JOHANN ,  RUEHLE BRIGITTE ,  KANERT WERNER ,  DANGELMAIER JOCHEN ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  HUETTINGER MICHAEL ,  BAUER MICHAEL

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/18 ,  H01L23/26 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

Abstract: Bei diversen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Bilden eines elektrischen Kontakts bereitgestellt. Das Verfahren kann das Einrichten einer Metallkontaktstruktur über oder auf einer Metalloberfläche, das Metallisieren einer Metallschicht auf der Metalloberfläche und auf der Metallkontaktstruktur, wodurch die Metallkontaktstruktur auf der Metalloberfläche fixiert wird und ein elektrischer Kontakt zwischen der Metallkontaktstruktur und der Metalloberfläche gebildet wird oder ein existierender elektrischer Kontakt zwischen der Metallkontaktstruktur und der Metalloberfläche verstärkt oder verdickt wird, aufweisen.

公开(公告)号：DE102004012818B3

公开(公告)日：2005-10-27

申请号：DE102004012818

申请日：2004-03-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HILLE FRANK ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/263 ,  H01L21/266 ,  H01L21/28 ,  H01L29/32 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861

公开(公告)号：DE102016101801B4

公开(公告)日：2021-01-14

申请号：DE102016101801

申请日：2016-02-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ROTH ROMAN ,  HILLE FRANK ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L23/49 ,  H01L21/60 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

Abstract: Leistungshalbleiterbauelement (1), das Folgendes umfasst:- eine erste Lastanschlussstruktur (11) und eine zweite Lastanschlussstruktur (12), die getrennt von der ersten Lastanschlussstruktur (11) angeordnet ist;- eine Halbleiterstruktur (10), die elektrisch mit sowohl der ersten Lastanschlussstruktur (11) als auch der zweiten Lastanschlussstruktur (12) gekoppelt ist und die dazu konfiguriert ist, einen Laststrom zu führen, wobei die erste Lastanschlussstruktur (11) Folgendes umfasst:- eine leitfähige Schicht (111), die sich in Kontakt mit der Halbleiterstruktur (10) befindet;- einen Bonding-Block (112), der dazu konfiguriert ist, von einem Ende (31) wenigstens eines Bonddrahtes (3) kontaktiert zu werden und wenigstens einen Teil des Laststroms von dem wenigstens einen Bonddraht (3) und/oder der leitfähigen Schicht (111) zu empfangen;- einen Verstärkungsblock (113), der eine Härte aufweist, die größer als sowohl die Härte der leitfähigen Schicht (111) als auch des Bonding-Blocks (112) ist, wobei der Bonding-Block (112) mittels des Verstärkungsblocks (113) auf der leitfähigen Schicht (111) montiert ist; wobei- in der leitfähigen Schicht (111) und/oder in dem Verstärkungsblock (113) Stickstoffatome eingebracht sind, wobei:- sowohl der Bonding-Block (112) als auch die leitfähige Schicht (111) Kupfer umfassen;- eine Dicke der leitfähigen Schicht (111) und/oder die Dicke des Verstärkungsblocks (113) in einer Richtung parallel zur Richtung des Laststroms kleiner ist/sind als ein Zehntel von der Dicke des Bonding-Blocks (112) in dieser Richtung.

公开(公告)号：DE102016104788B4

公开(公告)日：2019-06-19

申请号：DE102016104788

申请日：2016-03-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JOSHI RAVI KESHAV ,  ROTH ROMAN ,  SCHULZE HOLGER ,  HILLE FRANK ,  LASKA THOMAS ,  UMBACH FRANK ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHÄFFER CARSTEN ,  MÜLLER MATTHIAS ,  FUGGER MICHAEL ,  STEINBRENNER JÜRGEN ,  HUMBEL OLIVER

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

Abstract: Halbleitervorrichtung (100, 200, 300), die aufweist:eine Metallstruktur (105, 205, 305), die elektrisch mit einem Halbleiterkörper (106, 206, 306) verbunden ist,eine Metalladhäsions- und Barrierestruktur (107, 207, 307) zwischen der Metallstruktur (105, 205, 305) und dem Halbleiterkörper (106, 206, 306), wobei die Metalladhäsions- und Barrierestruktur (107, 207, 307) eine Schicht, die Titan und Wolfram aufweist, und auf der Schicht, die Titan und Wolfram aufweist, eine Schicht, die Titan, Wolfram und Stickstoff aufweist, umfasst, sowie eine Wolframschicht auf der Titan, Wolfram und Stickstoff aufweisenden Schicht.

公开(公告)号：DE102017102127A1

公开(公告)日：2018-08-09

申请号：DE102017102127

申请日：2017-02-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HILLE FRANK ,  SCHLÖGL DANIEL ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  BROCKMEIER ANDRE ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/22 ,  H01L21/308 ,  H01L21/331 ,  H01L21/334 ,  H01L21/782 ,  H01L29/36 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Epitaxietröge werden in einem Halbleitersubstrat gebildet, wobei ein Matrixabschnitt des Halbleitersubstrats die Epitaxietröge lateral trennt und ein erstes Halbleitermaterial aufweist. Kristalline Epitaxiegebiete eines zweiten Halbleitermaterials werden in den Epitaxietrögen gebildet, wobei das zweite Halbleitermaterial sich von dem ersten Halbleitermaterial in Porosität und/oder Verunreinigungsgehalt unterscheidet. Aus den Epitaxiegebieten werden zumindest Hauptkörperbereiche von Halbleiterkörpern der Halbleitervorrichtungen gebildet.