公开(公告)号：DE102010001290B4

公开(公告)日：2015-03-12

申请号：DE102010001290

申请日：2010-01-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BOECK JOSEF ,  MEISTER THOMAS ,  SCHÄFER HERBERT ,  LIEBL WOLFGANG

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/06 ,  H01L29/73

Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Bipolartransistors mit einer reduzierten Basis-Kollektor-Kapazität innerhalb eines Halbleiterkörpers (100), das aufweist: Herstellen eines Kollektorgebiets das ein aktives Kollektorgebiet (104; 408) umfasst und das einen ersten Leitfähigkeitstyp besitzt und wenigstens eines lateralen Isolationsgebiets (110; 410) um das aktive Kollektorgebiet (104; 408); Herstellen einer Basis-Kollektor-Dielektrikumsschicht (120; 412) oberhalb des Kollektorgebiets; Herstellen wenigstens eines ersten Basisanschlussgebietes (114; 504) oberhalb der Basis-Kollektor-Dielektrikumsschicht (120; 412), wobei das wenigstens eine Basisanschlussgebiet (114; 504) einen zu dem Leitfähigkeitstyp des Kollektorgebiets (104; 408) entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp besitzt; Selektives Ätzen der Basis-Kollektor-Dielektrikumsschicht (120; 412) um einen unterschnittenen Bereich unterhalb einer Kante des wenigstens einen ersten Basisanschlussgebiets (114; 504) herzustellen; Herstellen wenigstens eines selektiven zweiten Basisanschlussgebiets (118; 702) in dem unterschnittenen Bereich, wobei das wenigstens eine selektive zweite Basisanschlussgebiet (118; 702) eine Dicke aufweist, die geringer ist als eine Höhe des unterschnittenen Bereichs; Selektives isotropes Ätzen der Basis-Kollektor-Dielektrikumsschicht (120; 412), um eine Kavität zwischen dem wenigstens einen ersten Basisanschlussgebiet (114; 504) und dem Kollektorgebiet (104; 408) herzustellen, wobei das selektive isotrope Ätzen das Entfernen eines Teils des wenigstens einen lateralen Isolationsgebiets (110; 410) umfasst; Selektives Herstellen eines aktiven Basisgebiets (116; 1102) in der Kavität, das das wenigstens eine erste Basisanschlussgebiet (114; 504) und das Kollektorgebiet (104; 408) aneinander koppelt, wobei das selektive Herstellen des aktiven Basisgebiets (116; 1102) die Kavität in eine oder mehrere gasgefüllte Isolationskavitäten (112; 1104) unterteilt, die zwischen dem wenigstens einen ersten Basisanschlussgebiet (114; 504) und dem Kollektorgebiet (104; 408) angeordnet sind; und Herstellen eines strukturierten Emittergebiets (122; 1302), das vom selben Leitfähigkeitstyp wie das Kollektorgebiet (104; 408) ist, oberhalb des aktiven Basisgebiets (116; 1102).