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    Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltung
    2.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltung 未知

    公开(公告)号：DE112006002971B4

    公开(公告)日：2014-03-13

    申请号：DE112006002971

    申请日：2006-11-08

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SCHROEDER UWE-PAUL

    IPC: H01L21/768 ,  G03F7/00 ,  H01L21/033

    Abstract: Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltung mit den Schritten: Belichten eines Negativs (205) einer Struktur (805) in einer Resistschicht; Ablösen unbelichteter Teilbereiche der Resistschicht zum Freilegen einer ersten Schicht (210, 305); Ätzen der ersten Schicht (210) zum Entfernen freiliegender Teilbereiche der ersten Schicht (210), die nicht durch das Negativ (205) der Struktur (805) bedeckt sind, und zum Freilegen einer zweiten Schicht (215), wobei die zweite Schicht (215) eine Hartmaskenschicht ist, die aus Siliziumoxid oder Siliziumnitrid ausgewählt ist; Aushärten durch Implantieren von Stickstoff in freiliegende Teilbereich der zweiten Schicht (505), die nicht durch die erste Schicht (305) bedeckt sind zum Realisieren einer Struktur-Umkehr; Ablösen des Negativs (205, 305) der Struktur und nicht ausgehärteter Teilbereiche der zweiten Schicht (215) zum Freilegen einer dritten Schicht (220); Ätzen der dritten Schicht (220) zum Freilegen einer oberen Oberfläche eines Halbleitersubstrats (225); Ablösen der zweiten Schicht (505); und Abscheiden eines Materials, das für die Struktur (805) verwendet wird.

    3.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102007040140A1

    公开(公告)日：2008-05-29

    申请号：DE102007040140

    申请日：2007-08-24

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： OSTERMAYR MARTIN ,  SCHROEDER UWE-PAUL

    IPC: H01L27/11 ,  G11C11/40

    Abstract: An SRAM includes an SRAM cell with a semiconductor substrate material, and a capacitor. The capacitor includes a first electrode adjacent the substrate material, a thin oxide adjacent the first electrode and a second electrode adjacent the thin oxide.

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