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公开(公告)号:DE102010041714A1
公开(公告)日:2011-08-25
申请号:DE102010041714
申请日:2010-09-30
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: SCHULZ MARTIN DR
IPC: H01L23/42 , H01L23/40 , H01L23/46 , H01L23/473 , H05K7/20
Abstract: Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleitermodul mit einem Schaltungsträger (2) und einer Bodenplatte (8). Der Schaltungsträger (2) umfasst einen flachen Isolationsträger (20), auf den eine mit einem Leistungshalbleiterchip (1) bestückte obere Metallisierung (21) aufgebracht ist. Die Bodenplatte (8) weist eine hermetisch dichte Kammer (80) auf, in der sich ein Kühlfluid (85) befindet. Mit seiner der oberen Metallisierung (21) abgewandten Unterseite ist der Schaltungsträger (2) stoffschlüssig mit der Bodenplatte (8) fest verbunden.
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公开(公告)号:DE102008059130B4
公开(公告)日:2022-08-11
申请号:DE102008059130
申请日:2008-11-26
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: KANSCHAT PETER DR , SCHULZ MARTIN DR
Abstract: Anordnung umfassendeinen Shuntwiderstand (10) mit wenigstens einem elektrisch leitenden ersten Anschlussbein (11), einem elektrisch leitenden zweiten Anschlussbein (12), sowie einem Widerstandsbereich (15), der mit dem wenigstens einen elektrisch leitenden ersten Anschlussbein (11) und mit dem elektrisch leitenden zweiten Anschlussbein (12) elektrisch leitend verbunden ist;einen Schaltungsträger (50) mit einer ersten Metallisierung (51) und mit einer zweiten Metallisierung (52); wobeidas wenigstens eine elektrisch leitende erste Anschlussbein (11) mit der ersten Metallisierung (51) verbunden ist und wobei das elektrisch leitende zweite Anschlussbein (12) mit der zweiten Metallisierung (52) verbunden ist; undwobei der Widerstandsbereich (15) den Schaltungsträger (50) unmittelbar kontaktiert und/oder wobei ein wärmeleitendes Füllmaterial (30), das eine Wärmeleitfähigkeit (A) von mehr als 1 W·K-1·m-1aufweist, zwischen dem Schaltungsträger (50) und dem Widerstandsbereich (15) angeordnet ist.
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