公开(公告)号：DE102010038727A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：DE102010038727

申请日：2010-07-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KIRSCH OLAF ,  STOLZE THILO ,  ROEHRIG ANDRE ,  KANSCHAT PETER DR

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/049

Abstract: Die Erfindung betrifft Leistungshalbleitermodule mit einem Gehäuseelement (40), in das Anschlusslaschen (3) eingesteckt sind. Die Anschlusslaschen (3) weisen Fußbereiche (31) auf, auf deren Oberseiten 31t Bondverbindungen herstellt werden sollen. Um die Fußbereiche (31) zu fixieren, sind Anpresselemente (42) vorgesehen, die gegen das Ende (35) der Anschlusslasche (3) pressen.

公开(公告)号：DE102010000908B4

公开(公告)日：2015-07-16

申请号：DE102010000908

申请日：2010-01-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： TSCHIRBS ROMAN ,  KANSCHAT PETER DR

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/049 ,  H01L25/07

Abstract: Leistungshalbleitermodul mit – einem Gehäuse (1); – einem Leistungshalbleiterchip (2), der in dem Gehäuse (1) angeordnet ist; – einem Isolationssubstrat (9), das auf seiner dem Modulinneren zugewandten Oberseite mit einer Metallisierung versehen ist, die zu Leiterbahnen und/oder Leiterflächen strukturiert ist und mittels der der Leistungshalbleiterchip (2) elektrisch verschaltet ist; – einer Anschlusslasche (3, 4) zur externen elektrischen Kontaktierung des Leistungshalbleitermoduls (100), die im Inneren des Gehäuses (1) elektrisch leitend an dem Leistungshalbleiterchip (2) angeschlossen ist, und die sich bis zur Außenseite des Gehäuses (1) erstreckt und dort einen Anschraubbereich (35, 45) zum Herstellen einer externen elektrischen Verbindung des Leistungshalbleitermoduls (100) aufweist; – einem Federelement (6, 7), das zumindest teilweise außerhalb des Gehäuses (1) angeordnet ist; wobei das Federelement (6, 7) zwei Kontaktzungen (61, 62, 71, 72) mit jeweils einem Kontaktbereich (61t, 62t, 71t, 72t) aufweist und so ausgebildet ist, dass es nach dem Verschrauben eines vom Leistungshalbleitermodul (100) unabhängigen, modulexternen Anschlussleiters (201, 202) mit dem Anschraubbereich (35, 45) einen ersten elektrischen Druckkontakt mit dem Anschlussleiter (201, 202) ausbildet, der dadurch entsteht, dass zwischen dem Anschlussleiter (201, 202) und dem Kontaktbereich (61t, 62t, 71t, 72t) einer jeder der Kontaktzungen (61, 62, 71, 72) ein Druckkontakt besteht, wobei das Federelement (6, 7) unabhängig von dem Druckkontakt zwischen den Kontaktbereichen (61t, 62t, 71t, 72t) und dem Anschlussleiter (201, 202) in einem zwischen dem Leistungshalbleiterchip (2) und dem Anschraubbereich (35, 45) befindlichen Abschnitt der Anschlusslasche (3, 4) elektrisch leitend mit der Anschlusslasche (3, 4) verbunden ist.

公开(公告)号：DE102008059130B4

公开(公告)日：2022-08-11

申请号：DE102008059130

申请日：2008-11-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KANSCHAT PETER DR ,  SCHULZ MARTIN DR

IPC: H05K1/18 ,  G01R15/04 ,  H01C1/14 ,  H01R43/02 ,  H05K3/30

Abstract: Anordnung umfassendeinen Shuntwiderstand (10) mit wenigstens einem elektrisch leitenden ersten Anschlussbein (11), einem elektrisch leitenden zweiten Anschlussbein (12), sowie einem Widerstandsbereich (15), der mit dem wenigstens einen elektrisch leitenden ersten Anschlussbein (11) und mit dem elektrisch leitenden zweiten Anschlussbein (12) elektrisch leitend verbunden ist;einen Schaltungsträger (50) mit einer ersten Metallisierung (51) und mit einer zweiten Metallisierung (52); wobeidas wenigstens eine elektrisch leitende erste Anschlussbein (11) mit der ersten Metallisierung (51) verbunden ist und wobei das elektrisch leitende zweite Anschlussbein (12) mit der zweiten Metallisierung (52) verbunden ist; undwobei der Widerstandsbereich (15) den Schaltungsträger (50) unmittelbar kontaktiert und/oder wobei ein wärmeleitendes Füllmaterial (30), das eine Wärmeleitfähigkeit (A) von mehr als 1 W·K-1·m-1aufweist, zwischen dem Schaltungsträger (50) und dem Widerstandsbereich (15) angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102010038727B4

公开(公告)日：2015-07-16

申请号：DE102010038727

申请日：2010-07-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KIRSCH OLAF ,  STOLZE THILO ,  ROEHRIG ANDRE ,  KANSCHAT PETER DR

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/049

Abstract: Leistungshalbleitermodul (101) mit: – einem Gehäuseelement (40), das einen Einschubkanal (45) aufweist; – einer in den Einschubkanal (45) eingeschobenen, elektrisch leitenden Anschlusslasche (3), die einen länglichen Schaft (30) umfasst, sowie einen Fußbereich (31) mit einer Unterseite (31b) und einer der Unterseite (31b) abgewandten Oberseite (31t), der sich bis zu einem ersten, dem Modulinneren zugewandten ersten Ende (35) der Anschlusslasche (3) erstreckt, und der um einen vorgegebenen Biegewinkel (&phgr;1) gegenüber dem Schaft (30) umgebogen ist; wobei – das Gehäuseelement (40) zumindest ein der Anschlusslasche (3) zugeordnetes Anpresselement (42) aufweist; und – der Fußbereich (35) dadurch in dem Gehäuseelement (40) eingespannt ist, dass jedes der Anschlusslasche (3) zugeordnete Anpresselement (42) eine Anpresskraft auf das erste Ende (35) der Anschlusslasche (31) ausübt.

公开(公告)号：DE102008049677B4

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：DE102008049677

申请日：2008-09-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAYERER REINHOLD DR ,  KANSCHAT PETER DR ,  JANSEN UWE

IPC: H03K17/00

Abstract: Schaltungsanordnung mit einem ersten Halbleiterschaltelement (1), das eine Laststrecke und einen Ansteueranschluss aufweist und das als Leistungs-MOSFET oder Leistungs-IGBT ausgebildet ist, mit einer Spannungsversorgungsschaltung (2), die aufweist: eine Induktivität (21), die in Reihe zu der Laststrecke des ersten Halbleiterschaltelements (21) geschaltet ist; eine parallel zu der Induktivität (21) geschaltete kapazitive Ladungsspeicheranordnung (20) mit einer ersten und einer zweiten Ausgangsklemme zum Bereitstellen einer Versorgungsspannung (V2), die eine erste Reihenschaltung mit einem ersten Gleichrichterelement (22) und einem ersten kapazitiven Speicherelement (23) und eine zweite Reihenschaltung mit einem zweiten Gleichrichterelement (52) und einem zweiten kapazitiven Speicherelement (53) aufweist, wobei die erste Reihenschaltung und die zweite Reihenschaltung jeweils parallel zu der Induktivität (21) geschaltet sind und das erste Gleichrichterelement (22) gegenüber dem zweiten Gleichrichterelement (52) verpolt ist, so dass das erste kapazitive Speicherelement (23) dazu ausgebildet ist, eine bezogen auf einen Laststreckenanschluss des ersten Halbleiterschaltelements (1) positive Spannung bereitzustellen und das zweite kapazitive Speicherelement (53) dazu ausgebildet ist, eine bezogen auf den Laststreckenanschluss des ersten Halbleiterschaltelements (1) negative Spannung bereitzustellen; eine Anlaufschaltung (55, 56; 61, 62), die zwischen eine Klemme für ein Last-Versorgungspotential und das erste kapazitive Speicherelement (23) geschaltet ist, und mit einer Ansteuerschaltung (4), die Spannungsversorgungsklemmen (41, 42), die an die Ausgangsklemmen der Spannungsversorgungsschaltung (2) angeschlossen sind, und einen Ansteuerausgang, der an den Ansteueranschluss des Halbleiterschaltelements (1) angeschlossen ist, aufweist.

公开(公告)号：DE102012207147A1

公开(公告)日：2013-10-31

申请号：DE102012207147

申请日：2012-04-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KANSCHAT PETER DR ,  JASBERG HARTMUT ,  SCHWARZER ULRICH MICHAEL GEORG ,  ARENS ANDRE

IPC: H03K17/16

Abstract: Es wird ein Verfahren beschrieben zur Ansteuerung eines mit seiner Kollektor-Emitter-Strecke zwischen ein erstes und ein zweites Versorgungspotential geschalteten steuerbaren Leistungshalbleiterschalters, welcher einen Gate-Anschluss aufweist. Das Verfahren umfasst das Einstellen der Steilheit von Ausschaltflanken eines Kollektorstromes und einer Kollektor-Emitter-Spannung des Leistungshalbleiterschalters mittels einer Spannungsquellenanordnung, die mit dem Gate-Anschluss des Leistungshalbleiterschalters verbunden ist und das Einstellen der Steilheit von Einschaltflanken des Kollektorstromes und der Kollektor-Emitter-Spannung des Leistungshalbleiterschalters mittels einer steuerbaren Stromquellenanordnung, die mit dem Gate-Anschluss des Leistungshalbleiterschalters verbunden ist und einen Gateansteuerstrom erzeugt, wobei in der Phase ab dem Beginn des Stromanstieges eines Kollektor-Emitter-Stromes durch den Leistungshalbleiterschalter bis zum Ende der Abnahme der Kollektor-Emitter-Spannung der Verlauf des einstellbaren Gateansteuerstromes maximal innerhalb eines vorgegebenen Toleranzbandes von einem Schaltvorgang zu einem der folgenden Schaltvorgänge variiert wird.

公开(公告)号：DE102008058003B4

公开(公告)日：2012-04-05

申请号：DE102008058003

申请日：2008-11-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KANSCHAT PETER DR ,  PAUL INDRAJIT

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls, welches ein mit einer Metallisierung versehenes Substrat (5) und mindestens ein als flaches Plättchen ausgebildetes Halbleiterbauelement (1) aufweist, welches an seiner Unterseite eine untere elektrische Anschlussfläche und an seiner Oberseite eine obere elektrische Anschlussfläche (3) aufweist, wobei das Halbleiterbauelement (1) einen Hauptstromzweig aufweist, welcher zwischen der elektrischen Anschlussfläche an der Unterseite und der elektrischen Anschlussfläche (3) an der Oberseite des Halbleiterbauelements (1) durch eine in einem gesperrtenne verläuft, bezüglich des Stromflusses im Hauptstromzweig seitliche Ränder der Sperrschichtzone mit seitlichen, zwischen Oberseite und Unterseite befindlichen Randbereichen des Halbleiterbauelements (1) zusammenfallen, und wobei das Herstellverfahren die folgenden Schritte umfasst: Verbinden der Metallisierung des Substrates (5) mit der unteren Anschlussfläche an der Unterseite des Halbleiterbauelements (1), Verfüllen des Raumes seitlich des Halur Oberseite des Halbleiterbauelements (1) mit einer isolierenden Masse...

公开(公告)号：DE102010000908A1

公开(公告)日：2011-07-21

申请号：DE102010000908

申请日：2010-01-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： TSCHIRBS ROMAN ,  KANSCHAT PETER DR

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/049 ,  H01L25/16

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleitermodul (100). Dieses weist ein Gehäuse (1) auf, in dem ein Leistungshalbleiterchip (2) angeordnet ist. Zur externen elektrischen Kontaktierung des Leistungshalbleitermoduls (100) ist eine Anschlusslasche (3, 4) vorgesehen, die im Inneren des Gehäuses (1) elektrisch leitend an dem Leistungshalbleiterchip (2) angeschlossen ist, die sich bis zur Außenseite des Gehäuses (1) erstreckt und dort einen Anschraubbereich (35, 45) zum Herstellen einer externen elektrischen Verbindung des Leistungshalbleitermoduls (100) aufweist. Ein Federelement (6, 7) ist zumindest teilweise außerhalb des Gehäuses (1) angeordnet und in einem zwischen dem Leistungshalbleiterchip (2) und dem Anschraubbereich (35, 45) befindlichen Abschnitt der Anschlusslasche (3, 4) elektrisch leitend mit dieser verbunden. Das Federelement (6, 7) ist so ausgebildet, dass es nach dem Verschrauben eines vom Leistungshalbleitermodul (100) unabhängigen, modulexternen Anschlussleiters (201, 202) mit dem Anschraubbereich (35, 45) einen ersten elektrischen Druckkontakt mit dem Anschlussleiter (201, 202) ausbildet. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Leistungshalbleitermodulsystem, welches ein derartiges Leistungshalbleitermodul umfasst, sowie einen Anschlussleiter (201, 202), und eine Leistungshalbleitermodulanordnung, bei der ein Anschlussleiter (201, 202) mit dem Anschraubbereich (35, 45) verschraubt ist. Außerdem wird bei einem Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitermodulanordnung der Anschlussleiter (201, 202) ein es vorgenannten Leistungshalbleitermodulsystems mechanisches und elektrisch leitend mit dem Anschraubbereich (35, 45) verbunden.