公开(公告)号：DE102009008504A1

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：DE102009008504

申请日：2009-02-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SMORODIN TOBIAS ,  STECHER MATTHIAS

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: A semiconductor device and method is disclosed. One embodiment provides an active region in a semiconductor substrate, including a first terminal region and a second terminal region. wherein the active region is interrupted by an inactive region, wherein an electrical power dissipation in the inactive region is zero or smaller than an electrical power dissipation in the active region; and a metallization layer arranged with respect to the active region on a surface of the semiconductor device and at least partly overlapping the active area, wherein the metallization layer is divided into a first part, in electrical contact to the first terminal region, and a second part, in electrical contact to the second terminal region, wherein the first and the second part are separated by a gap; and wherein the gap and the inactive region are mutually arranged so that an electrical power dissipation below the gap is reduced compared to an electrical power dissipation below the first part and the second part of the metallization layer.

公开(公告)号：DE102009008504B4

公开(公告)日：2014-07-10

申请号：DE102009008504

申请日：2009-02-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SMORODIN TOBIAS ,  STECHER MATTHIAS

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L23/482 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739

Abstract: Halbleiterbauelement (100), das folgende Merkmale aufweist: eine aktive Region (30) in einem Halbleitersubstrat (32), die eine erste Anschlussregion und eine zweite Anschlussregion aufweist, wobei die aktive Region (30) durch eine inaktive Region (34) unterbrochen ist, wobei eine Dissipation elektrischer Leistung in der inaktiven Region (34) null beträgt oder geringer als eine Dissipation elektrischer Leistung in der aktiven Region (30) ist; und eine Metallisierungsschicht (10), die bezüglich einer aktiven Region (30) an einer Oberfläche des Halbleiterbauelements (100) angeordnet ist und den aktiven Bereich (30) zumindest zum Teil überlappt, wobei die Metallisierungsschicht (10) in einen ersten Teil, der sich in elektrischem Kontakt mit der ersten Anschlussregion befindet, und einen zweiten Teil unterteilt ist, der sich in elektrischem Kontakt mit der zweiten Anschlussregion befindet, wobei der erste und der zweite Teil durch einen Zwischenraum (9) getrennt sind; und wobei der Zwischenraum (9) und die inaktive Region (34) zueinander so angeordnet sind, dass eine Dissipation elektrischer Leistung unterhalb des Zwischenraums (9) verglichen mit einer Dissipation elektrischer Leistung unterhalb des ersten Teils und des zweiten Teils der Metallisierungsschicht (10) verringert ist.

公开(公告)号：DE102008047378B4

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：DE102008047378

申请日：2008-09-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SMORODIN TOBIAS ,  STECHER MATTHIAS

IPC: H01L29/417 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Leistungsbauelement (1), das folgende Merkmale aufweist: einen aktiven Bereich (5) mit einer elektrischen Leistungsdissipationscharakteristik; einen Metallisierungsschichtabschnitt (10), der so angeordnet ist, dass die elektrische Leistungsdissipationscharakteristik des aktiven Bereichs (5) zu einer Erwärmung des Metallisierungsschichtabschnitts (10) führt, wobei der Metallisierungsschichtabschnitt (10) als eine verbundene Region gebildet ist, wobei der Metallisierungsschichtabschnitt (10) zumindest ein Loch (20) aufweist, das sich vollständig durch die Metallschicht erstreckt und ein Dielektrikum (15) aufweist; und wobei das zumindest eine Loch (20) so angeordnet ist, dass jede Position des Metallisierungsschichtabschnitts (10) über das Metallisierungsmaterial des Metallisierungsschichtabschnitts (10) elektrisch mit jeder anderen Position verbunden ist.

公开(公告)号：DE102008047378A1

公开(公告)日：2009-04-23

申请号：DE102008047378

申请日：2008-09-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SMORODIN TOBIAS ,  STECHER MATTHIAS

IPC: H01L29/417 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L29/78

Abstract: A power device with improved reliability and a method for producing the same is disclosed. One embodiment provides an active area having an electrical power dissipation characteristic, a metallization layer portion configured with respect to the active area so that the dissipation characteristic of the active area results in heating the metallization layer portion, the metallization layer portion being formed as a connected region. The metallization layer portion has at least one hole, fully extending through the metal layer and having a dielectric. The at least one hole is arranged so that each location of the metal layer portion is connected electrically to each other location via the metallization material of the metal layer portion.