公开(公告)号：DE102015105859A1

公开(公告)日：2015-11-05

申请号：DE102015105859

申请日：2015-04-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FALCK ELMAR ,  FELSL HANS-PETER ,  RÖSNER WOLFGANG ,  STEGNER ANDRE

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/86

Abstract: Ein Halbleiterbauelement weist einen Halbleiterkörper (100) mit einer Unter- und Oberseite (102, 101) und einer lateralen Oberfläche (103) auf. In dem Halbleiterkörper (100) ist eine aktive Halbleiterregion (110) ausgebildet und eine Randregion (120) umgibt die die aktive Halbleiterregion (110). Eine erste Halbleiterzone (121) von einem ersten Leitungstyp (n) ist in der Randregion (120) ausgebildet. Eine Randabschlussstruktur, die wenigstens N Feldbegrenzungsstrukturen (50) aufweist, ist in der Randregion (120) ausgebildet. Jede der Feldbegrenzungsstrukturen (50) weist einen Feldring (10) auf, sowie einen in dem Halbleiterkörper (100) ausgebildeten Separationsgraben (20), wobei N wenigstens gleich eins ist. Jeder der Feldringe (10) weist einen zweiten Leitungstyp (p) auf, bildet mit der ersten Halbleiterzone (121) einen pn-Übergang (25) und umgibt die aktive Halbleiterregion (110). Für jede der Feldbegrenzungsstrukturen (50) ist der Separationsgraben (20) dieser Feldbegrenzungsstruktur (50) zwischen dem Feldring (10) dieser Feldbegrenzungsstruktur (50) und der aktiven Halbleiterregion (110) angeordnet.

公开(公告)号：DE102015105859B4

公开(公告)日：2018-10-11

申请号：DE102015105859

申请日：2015-04-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FALCK ELMAR ,  FELSL HANS-PETER ,  RÖSNER WOLFGANG ,  STEGNER ANDRE

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Halbleiterbauelement, das aufweist:einen Halbleiterkörper (100), der eine Unterseite (102), eine der Unterseite (102) entgegengesetzte Oberseite (101) und eine laterale Oberfläche (103) aufweist;eine in dem Halbleiterkörper (100) ausgebildete aktive Halbleiterregion (110);eine Randregion (120), die die aktive Halbleiterregion (110) umgibt;eine erste Halbleiterzone (121), die in der Randregion (120) ausgebildet ist, wobei die erste Halbleiterzone (121) einen ersten Leitungstyp (n) aufweist; undeine Randabschlussstruktur, die in der Randregion (120) ausgebildet ist und die wenigstens N Feldbegrenzungsstrukturen (50) aufweist, wobei jede der Feldbegrenzungsstrukturen (50) einen Feldring (10) aufweist, sowie einen in dem Halbleiterkörper (100) ausgebildeten Separationsgraben (20), wobei:- N ≥ 1;- jeder der Feldringe (10) einen zum ersten Leitungstyp (n) komplementären zweiten Leitungstyp (p) aufweist und mit der ersten Halbleiterzone (121) einen pn-Übergang (25) bildet;- jeder der Feldringe (10) die aktive Halbleiterregion (110) umgibt; und- für jede der Feldbegrenzungsstrukturen (50) der Separationsgraben (20) dieser Feldbegrenzungsstruktur (50) zwischen dem Feldring (10) dieser Feldbegrenzungsstruktur (50) und der aktiven Halbleiterregion (110) angeordnet ist; und- ein Abstand (d2) zwischen einem der Separationsgräben (20) und dem nächstgelegenen der Feldringe (10), den der eine der Separationsgräben (20) umgibt, größer ist als ein Abstand (d1) zwischen dem einen der Separationsgräben (20) und dem nächstgelegenen der Feldringe (10), die den einen der Separationsgräben (20) umgeben.