公开(公告)号：DE102015212464B4

公开(公告)日：2019-05-23

申请号：DE102015212464

申请日：2015-07-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHWAGMANN ANDRE ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  FALCK ELMAR

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Halbleiterbauelement (1) mit einem ersten Lastanschluss (11), einem zweiten Lastanschluss (12) und einem Halbleiterkörper (10), wobei der Halbleiterkörper (10) eine Aktivregion (13) umfasst, die ausgebildet ist zum Führen eines Laststroms zwischen dem ersten Lastanschluss (11) und dem zweiten Lastanschluss (12), sowie eine die Aktivregion (13) umgebende Übergangsabschlussregion (14), wobei der Halbleiterkörper (10) beinhaltet- eine Driftschicht (101), die sowohl in der Aktivregion (13) und in der Übergangsabschlussregion (14) angeordnet ist, und die Dotierstoffe eines ersten Leitfähigkeitstyps bei einer Driftschicht-Dotierstoffkonzentration von weniger als 10cmaufweist;- ein Bodygebiet (16), das in der Aktivregion (13) angeordnet ist und das Dotierstoffe eines zweiten Leitfähigkeitstyps, der komplementär zum ersten Leitfähigkeitstyp ist, aufweist, und das die Driftschicht (101) von dem ersten Lastanschluss (11) isoliert;- ein Schutzgebiet (17), das in der Übergangsabschlussregion (14) angeordnet ist und das Dotierstoffe des zweiten Leitfähigkeitstyps umfasst, und das ausgebildet ist, eine Verarmungsregion, die durch einen Übergang zwischen der Driftschicht (101) und dem Bodygebiet (16) gebildet wird, zu vergrößern;- ein Feldstoppgebiet (18-1), das benachbart zum Schutzgebiet (17) angeordnet ist, wobei das Feldstoppgebiet Dotierstoffe des ersten Leitfähigkeitstyps bei einer Feldstoppgebiet-Dotierstoffkonzentration aufweist, die um wenigstens einen Faktor von 2 größer ist als die Driftschicht-Dotierstoffkonzentration; und- ein Niedrigdotiergebiet (18-2), das benachbart zum Feldstoppgebiet (18-1) angeordnet ist, wobei das Niedrigdotiergebiet (18-2) Dotierstoffe des ersten Leitfähigkeitstyps bei einer Dotierstoffkonzentration aufweist, die um wenigstens einen Faktor von 1,5 niedriger ist als die Driftschicht-Dotierstoffkonzentration, und wobei das Bodygebiet (16), das Schutzgebiet (17), das Feldstoppgebiet (18-1) und das Niedrigdotiergebiet (18-2) derart im Halbleiterkörper (10) angeordnet sind, dass sie einen gemeinsamen Tiefenerstreckungsbereich (DR) von wenigstens 1 µm entlang einer vertikalen Erstreckungsrichtung (Z) aufweisen.

公开(公告)号：DE102015105016A1

公开(公告)日：2016-10-06

申请号：DE102015105016

申请日：2015-03-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FALCK ELMAR ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  VOSS STEPHAN ,  PFIRSCH FRANK

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/328 ,  H01L21/336 ,  H01L23/58 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Ein vertikales Halbleiterbauteil (1) umfasst ein Substrat (2) mit einer Oberseite (11) und einer Unterseite (12), ein im Substrat (2) angeordnetes aktives Gebiet (AA) mit einem Driftgebiet (22), das mit einem ersten Dotiersubstanztyp dotiert ist, ein Randabschlussgebiet (ER), das das aktive Gebiet (AA) an den Seiten umgibt, ein an der Oberseite vorgesehenes und im Randabschlussgebiet (ER) angeordnetes Kanalstopper-Abschlussgebiet (40) und einen ersten Trenngraben (50), der an einer Seite des Kanalstopper-Abschlussgebiets (40) in Richtung des aktiven Gebiets (AA) angeordnet ist und angrenzend an das Kanalstopper-Abschlussgebiet (40) vorgesehen ist. Weiterhin wird ein Herstellungsverfahren für solch ein Halbleiterbauteil vorgesehen.

公开(公告)号：DE10330571B8

公开(公告)日：2007-03-08

申请号：DE10330571

申请日：2003-07-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  RUETHING HOLGER ,  MILLER GERHARD ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  BAUER JOSEF GEORG ,  FALCK ELMAR

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/40 ,  H01L29/417 ,  H01L29/861

Abstract: A vertical power semiconductor component, e.g. a diode or an IGBT, in which there are formed, on the rear side of a substrate, a rear side emitter or a cathode emitter and, over that, a rear side metal layer that at least partly covers the latter, is defined by the fact that, in the edge region of the component, provision is made of injection attenuation means for reducing the charge carrier injection from the rear side emitter or the cathode emitter into said edge section.

公开(公告)号：DE102017130928A1

公开(公告)日：2019-06-27

申请号：DE102017130928

申请日：2017-12-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FALCK ELMAR ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/266 ,  H01L21/324 ,  H01L29/06

Abstract: In einem an einen Sägespurbereich (800) anschließenden Randbereich eines Bauteilbereichs (600) wird ein Kanalstopper-Gebiet (191) ausgebildet, das sich von einer ersten Hauptfläche (701) aus in eine Bauteilschicht (710) von einem ersten Leitfähigkeitstyp erstreckt. Danach wird im Bauteilbereich (600) ein dotiertes Gebiet (120) ausgebildet, das sich von der ersten Hauptfläche (701) aus in die Bauteilschicht (710) erstreckt. Das Kanalstopper-Gebiet (191) wird mittels eines fotolithographischen Verfahrens ausgebildet, das vor einem ersten fotolithographischen Verfahren zum Einbringen von Dotierstoffen in einen Abschnitt des Bauteilbereichs (600) außerhalb des Kanalstopper-Gebiets (191) ausgeführt wird.

公开(公告)号：DE102015105859B4

公开(公告)日：2018-10-11

申请号：DE102015105859

申请日：2015-04-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FALCK ELMAR ,  FELSL HANS-PETER ,  RÖSNER WOLFGANG ,  STEGNER ANDRE

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Halbleiterbauelement, das aufweist:einen Halbleiterkörper (100), der eine Unterseite (102), eine der Unterseite (102) entgegengesetzte Oberseite (101) und eine laterale Oberfläche (103) aufweist;eine in dem Halbleiterkörper (100) ausgebildete aktive Halbleiterregion (110);eine Randregion (120), die die aktive Halbleiterregion (110) umgibt;eine erste Halbleiterzone (121), die in der Randregion (120) ausgebildet ist, wobei die erste Halbleiterzone (121) einen ersten Leitungstyp (n) aufweist; undeine Randabschlussstruktur, die in der Randregion (120) ausgebildet ist und die wenigstens N Feldbegrenzungsstrukturen (50) aufweist, wobei jede der Feldbegrenzungsstrukturen (50) einen Feldring (10) aufweist, sowie einen in dem Halbleiterkörper (100) ausgebildeten Separationsgraben (20), wobei:- N ≥ 1;- jeder der Feldringe (10) einen zum ersten Leitungstyp (n) komplementären zweiten Leitungstyp (p) aufweist und mit der ersten Halbleiterzone (121) einen pn-Übergang (25) bildet;- jeder der Feldringe (10) die aktive Halbleiterregion (110) umgibt; und- für jede der Feldbegrenzungsstrukturen (50) der Separationsgraben (20) dieser Feldbegrenzungsstruktur (50) zwischen dem Feldring (10) dieser Feldbegrenzungsstruktur (50) und der aktiven Halbleiterregion (110) angeordnet ist; und- ein Abstand (d2) zwischen einem der Separationsgräben (20) und dem nächstgelegenen der Feldringe (10), den der eine der Separationsgräben (20) umgibt, größer ist als ein Abstand (d1) zwischen dem einen der Separationsgräben (20) und dem nächstgelegenen der Feldringe (10), die den einen der Separationsgräben (20) umgeben.

公开(公告)号：DE102015111997A1

公开(公告)日：2016-02-18

申请号：DE102015111997

申请日：2015-07-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FALCK ELMAR ,  BUCHHOLZ KARIN ,  DAINESE MATTEO ,  SCHMIDT GERHARD ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  UMBACH FRANK

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/739 ,  H01L29/772 ,  H01L29/861

Abstract: Ein Halbleiterbauelement besitzt einen Halbleiterkörper (100), der entgegengesetzte Unterseiten (102) und Oberseiten (101) aufweist, eine Oberfläche (103), die den Halbleiterkörper (100) umgibt, ein aktives Halbleitergebiet (101), das in dem Halbleiterkörper (100) ausgebildet ist, ein Randgebiet, das das aktive Halbleitergebiet (110) umgibt, eine erste Halbleiterzone (121) von einem ersten Leitungstyp (n), das in dem Randgebiet (120) ausgebildet ist, und eine Randabschlussstruktur (20), die in dem Randgebiet (120) an der Oberseite (101) ausgebildet ist, und eine Abschirmstruktur (40, 50), die auf der der Unterseite (102) abgewandten Seite der Randabschlussstruktur (20) angeordnet ist. Die Abschirmstruktur (40, 50) besitzt eine Anzahl von N1 ≥ 2 ersten Segmenten (40), und eine Anzahl von N2 ≥ 1 zweiten Segmenten (50). Ein jedes der ersten Segmente (40) ist mit jedem der anderen ersten Segmente (40) und mit jedem der zweiten Segmente (50) elektrisch verbunden, und jedes der zweiten Segmente (50) besitzt einen spezifischen elektrischen Widerstand, der höher ist, als ein spezifischer elektrischer Widerstand eines jeden der ersten Segmente (40).

公开(公告)号：DE102015101124A1

公开(公告)日：2015-07-30

申请号：DE102015101124

申请日：2015-01-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FALCK ELMAR ,  HÄRTL ANDREAS ,  PFAFFENLEHNER MANFRED ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHLÖGL DANIEL ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  STEGNER ANDRE RAINER ,  LAVEN JOHANNES GEORG

IPC: H01L29/36 ,  H01L21/26 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (100) umfasst einen Halbleiterkörper (105) mit entgegengesetzten ersten und zweiten Seiten (107, 108). Die Halbleitervorrichtung (100) umfasst weiterhin eine Driftzone (114) in dem Halbleiterkörper (105) zwischen der zweiten Seite (108) und einem pn-Übergang. Ein Profil einer Nettodotierung der Driftzone (114) zwischen den ersten und zweiten Seiten (107, 108) ist unduliert bzw. wellenförmig und umfasst Dotierungsspitzenwerte zwischen 1 × 1013 cm–3 und 5 × 1014 cm–3. Eine Vorrichtungssperrspannung Vbr ist definiert durch eine Durchbruchspannung des pn-Übergangs zwischen der Driftzone (114) und einem Halbleiterbereich (112) eines entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps, der elektrisch mit der ersten Seite (107) des Halbleiterkörpers (105) gekoppelt ist.

公开(公告)号：DE102004005775B4

公开(公告)日：2009-10-22

申请号：DE102004005775

申请日：2004-02-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  FALCK ELMAR ,  PFIRSCH FRANK ,  SCHMIDT GERHARD ,  HIRLER FRANZ

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

公开(公告)号：DE10223951B4

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：DE10223951

申请日：2002-05-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KARTAL VELI ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  MAUDER ANTON ,  FALCK ELMAR

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/265 ,  H01L21/328 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36

公开(公告)号：DE102005047102B3

公开(公告)日：2007-05-31

申请号：DE102005047102

申请日：2005-09-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FALCK ELMAR ,  PAIRITSCH HERBERT ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/762

Abstract: A semiconductor component with a pn junction comprises a semiconductor body comprising a front side and an edge region. A pn junction is formed fashion in curved fashion in the edge region of the semiconductor body. An edge structure comprising depressions is also provided in the edge region of the semiconductor body. The depressions may comprise, for example, a number of capillaries which extend into the semiconductor body proceeding from the front side of the semiconductor body. In one suitable embodiment, the capillaries may be filled with a dielectric