公开(公告)号：JP2000307560A

公开(公告)日：2000-11-02

申请号：JP2000065505

申请日：2000-03-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOEHLER RAINER ,  VON BORCKE MATHIAS

IPC: G06F1/10 ,  H03K5/00 ,  H03K5/13 ,  H03K5/135 ,  H03L7/00 ,  H03L7/081 ,  H03L7/10 ,  H03L7/107 ,  H04L7/02 ,  H04L7/04

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To avoid the instability of a counter value owing to the inactivation of a counter control signal by delaying a control signal and holding the delayed control signal for prescribed time with the rise edge of a counter clock signal. SOLUTION: A delay circuit 15 delays a clock signal. The clock signal and a signal obtained by delaying the clock signal have same frequencies and the delayed clock signal is delayed and generated. The delayed clock signals are supplied to transmission gates 16 and 17 opened by logic '0' and '1'. The gate 17 is installed in the signal line of a control signal and an output side is connected to an inverter 20 through an NOR gate 18 or through the transmission gate 16 and an inverter 19, The delayed control signal is obtained in the output side. The control signal is transparently switched to the delayed control signal while the delayed clock signal is logic '1' or high. While the delayed clock signal is logic '0' or low, the delayed clock signal is used for holding the delayed control signal for prescribed time.

公开(公告)号：DE102008063208A1

公开(公告)日：2009-07-09

申请号：DE102008063208

申请日：2008-12-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： VON BORCKE MATHIAS ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L23/62

Abstract: A semiconductor device includes a semiconductor substrate having at least a pn-junction arranged in the semiconductor substrate. At least a field electrode is arranged at least next to a portion of the pn-junction, wherein the field electrode is insulated from the semiconductor substrate. A switching device is electrically connected to the field electrode and adapted to apply selectively and dynamically one of a first electrical potential and a second electrical potential, which is different to the first electrical potential, to the field electrode to alter the avalanche breakdown characteristics of the pn-junction.

公开(公告)号：DE102008063208B4

公开(公告)日：2016-09-22

申请号：DE102008063208

申请日：2008-12-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： VON BORCKE MATHIAS ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L23/62

Abstract: Halbleiterbauelement, aufweisend: – ein Halbleitersubstrat (2, 81); – mindestens einen in dem Halbleitersubstrat (2, 81) angeordneten pn-Übergang (36, 89); – mindestens eine mindestens neben einem Teil des pn-Übergangs (36, 89) angeordnete Feldelektrode (22, 90), wobei die Feldelektrode (22, 90) von dem Halbleitersubstrat (2, 81) isoliert ist; und – ein elektrisch mit der Feldelektrode (22, 90) verbundenes Schaltelement (60, 93), das dafür ausgelegt ist, selektiv und dynamisch ein erstes elektrisches Potential oder ein zweites elektrisches Potential, das von dem ersten elektrischen Potential verschieden ist, an die Feldelektrode (22, 90) anzulegen, um Lawinendurchbrucheigenschaften des pn-Übergangs zu verändern, – wobei das Schaltelement (60, 93) einen mit der Feldelektrode (22, 90) verbundenen Ausgangsanschluss (63, 91), einen ersten Eingangsanschluss (61, 94) zum Verbinden mit dem ersten elektrischen Potential und einen zweiten Eingangsanschluss (62, 95) zum Verbinden mit dem zweiten elektrischen Potential aufweist.