公开(公告)号：JP2012119711A

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：JP2012015456

申请日：2012-01-27

Applicant: Infineon Technologies Ag ,  インフィネオン テクノロジーズ アーゲーInfineon Technologies Ag

Inventor： HIRLER FRANZ ,  WALTER RIEGER ,  SCHMALZBAUER UWE ,  ZELSACHER RUDOLF ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/743 ,  H01L23/535 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7811 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To resolve a problem that the reliability risk in an actual device may be increased because edge regions of a chip are frequently subjected to a specific burden known and described as a TC stress during a temperature cycle because of different expansion coefficients, and these edge regions are especially likely to be subjected to the TC stress, which may cause various failures in the same region.SOLUTION: An anchoring structure 200 for a metal structure 210 of a semiconductor device includes an anchoring recess structure 220 including at least one overhang-shaped side wall 230. The metal structure 210 is arranged at least partially in the anchoring recess structure 220.

Abstract translation: 要解决的问题：为了解决由于芯片的边缘区域经常遭受已知的并且在温度循环期间由于不同的TC应力而被描述为TC应力的特定负载，因此可能增加实际设备中的可靠性风险的问题 膨胀系数和这些边缘区域特别容易受到TC应力的影响，这可能导致同一区域的各种故障。 解决方案：用于半导体器件的金属结构210的锚固结构200包括具有至少一个悬垂形侧壁230的锚固凹槽结构220.金属结构210至少部分地布置在锚定凹陷结构220中 （C）2012年，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2009027139A

公开(公告)日：2009-02-05

申请号：JP2008116553

申请日：2008-04-28

Applicant: Infineon Technologies Ag ,  インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト

Inventor： HIRLER FRANZ ,  WALTER RIEGER ,  SCHMALZBAUER UWE ,  ZELSACHER RUDOLF ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/743 ,  H01L23/535 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7811 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an anchoring structure and an intermeshing structure which prevent metal lines from being lifted off from a surface of a chip to come off the chip in a temperature cycling (TC) reliability test for a semiconductor device. SOLUTION: The anchoring structure for a metal structure 210 of the semiconductor device includes an anchoring recess structure 220 having at least one overhanging side wall 230. The metal structure 210 is at least partly arranged within the anchoring recess structure 220. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种锚固结构和啮合结构，其防止在半导体器件的温度循环（TC）可靠性测试中金属线从芯片的表面脱离以脱离芯片。 解决方案：用于半导体器件的金属结构210的锚固结构包括具有至少一个悬垂侧壁230的锚固凹部结构220.金属结构210至少部分地布置在锚定凹部结构220内。

版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2009099954A

公开(公告)日：2009-05-07

申请号：JP2008225837

申请日：2008-09-03

Applicant: Infineon Technologies Ag ,  インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト

Inventor： WEBER HANS MARTIN ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L21/301

CPC classification number: H01L21/78

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To highly reliably and cost-effectively divide a semiconductor substrate, by accurately, reliably and cost-effectively thinning a semiconductor substrate to a desired thickness, then dividing the thinned layer using a simple and mechanical method.
SOLUTION: The method for dividing the semiconductor substrate 10 involves the process of providing the semiconductor substrate 10. At least one separating trench 15 is produced at a front side of the semiconductor substrate 10. At least one layer 20 is produced at the bottom of the at least one separating trench 15. The semiconductor substrate 10 is thinned at a rear side of the semiconductor substrate 10 at least as far as the layer 20 at the bottom of the at least one separating trench 15. The layer 20 is severed in order to divide the semiconductor substrate 10 into individual pieces.
COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：为了将半导体衬底准确可靠且成本有效地薄化到期望的厚度，将半导体衬底高度可靠且经济地划分，然后使用简单且机械的方法分割薄层。 解决方案：用于分割半导体衬底10的方法包括提供半导体衬底10的工艺。在半导体衬底10的前侧产生至少一个分离沟槽15.至少一个层20在 至少一个分离沟槽15的底部。半导体衬底10在半导体衬底10的后侧至少与在至少一个分离沟槽15的底部的层20一样薄。层20被切断 以便将半导体衬底10分成单独的部分。 版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

公开(公告)号：DE102015105005B4

公开(公告)日：2021-09-23

申请号：DE102015105005

申请日：2015-03-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L23/58 ,  H01L27/06 ,  H01L29/78

Abstract: Halbleitervorrichtung (100), umfassend:ein Trenchtransistorzellarray (101) in einem Halbleiterkörper (102),einen Randabschlussbereich (103) des Trenchtransistorzellarrays (101),wenigstens zwei erste Hilfstrenchstrukturen (1051, 1052), die sich in den Halbleiterkörper (102) von einer ersten Seite (107) erstrecken und nacheinander längs einer lateralen Richtung (x) angeordnet sind, wobeider Randabschlussbereich (103) längs der lateralen Richtung (x) zwischen dem Trenchtransistorzellarray (101) und den wenigstens zwei ersten Hilfstrenchstrukturen (1051, 1052) angeordnet ist,erste Hilfselektroden (117) in den wenigstens zwei ersten Hilfstrenchstrukturen (1051, 1052) elektrisch miteinander verbunden und elektrisch von Elektroden (1091, 1092) in Trenches (110) des Trenchtransistorzellarrays (101) entkoppelt sind, und wobei die ersten Hilfselektroden (117) elektrisch mit einem Drainkontakt (L2) des Trenchtransistorzellarrays (101), oder einem elektrisch mit einem Halbeitersubstrat des Halbleiterkörpers (102) verbundenen Substratkontakt (S), oder mit einem Kontakt (RS) an einer zweiten Seite des Halbleiterkörpers entgegengesetzt zu der ersten Seite (107) verbunden sind.

公开(公告)号：DE102013108585B4

公开(公告)日：2021-09-02

申请号：DE102013108585

申请日：2013-08-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NELLE PETER ,  SCHMALZBAUER UWE ,  HOLZMÜLLER JÜRGEN ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L23/29 ,  H01L21/31 ,  H01L29/40

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (500), die aufweist:einen Hauptkörper (100), der einen einkristallinen Halbleiterkörper (120) aufweist;eine Schichtstruktur (200), die direkt an einen zentralen Bereich (610) einer flachen Hauptoberfläche (101) des Hauptkörpers (100) angrenzt und eine harte dielektrische Schicht aufweist, die ein erstes dielektrisches Material mit einem Young-Modul von mehr als 10 GPa aufweist, wobei die Schichtstruktur (200) in einem Randbereich (690) zwischen dem zentralen Bereich (610) und einem äußeren Rand (103) des Hauptkörpers (100) fehlt, undeine dielektrische Entspannungsschicht (300), die gegenüber dem Hauptkörper (100) direkt an die Schichtstruktur (200) angrenzt, sich bis über einen äußeren Rand (203) der Schichtstruktur (200) hinaus erstreckt und zumindest in einem inneren Randbereich (691), der direkt an den zentralen Bereich (610) der flachen Hauptoberfläche (101) angrenzt, die flache Hauptoberfläche (101) bedeckt.

公开(公告)号：DE102013108946B4

公开(公告)日：2020-11-19

申请号：DE102013108946

申请日：2013-08-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  MEISER ANDREAS ,  LANG HANS-PETER ,  MEYER THORSTEN ,  IRSIGLER PETER

IPC: H01L29/417 ,  H01L21/283 ,  H01L21/74 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06

Abstract: Halbleitervorrichtung, umfassend:einen Halbleiterkörper (505) mit einer ersten Seite (512) und einer zur ersten Seite (512) entgegengesetzten zweiten Seite (517),einen ersten Kontakttrench (510), der sich in den Halbleiterkörper (505) an der ersten Seite (512) erstreckt, wobei der erste Kontakttrench (510) ein erstes leitendes Material (514) enthält, das elektrisch mit dem an den ersten Kontakttrench (510) angrenzenden Halbleiterkörper (505) gekoppelt ist,einen zweiten Kontakttrench (515a, 515b), der sich in den Halbleiterkörper (505) an der zweiten Seite (517) erstreckt, wobei der zweite Kontakttrench (515a, 515b) ein zweites leitendes Material (519a, 519b) enthält, das elektrisch mit dem an den zweiten Kontakttrench (515a, 515b) angrenzenden Halbleiterkörper (505) gekoppelt ist, und wobeider erste und zweite Kontakttrench (510, 515a, 515b) sich jeweils durch ein Dielektrikum (591a, 591d) in den Halbleiterkörper (505) erstrecken, und jeweils ein leitendes Material aufweisen, das mit dem Halbleiterkörper (515) über jeweilige Seitenwände des ersten und zweiten Kontakttrenches (510, 515a, 515b) elektrisch verbunden ist, und das Dielektrikum (591a), durch das sich der erste Kontakttrench (510) erstreckt, auf dem Halbleiterkörper (505) an der ersten Seite (512) ausgebildet ist, und das Dielektrikum (591d), durch das sich der zweite Kontakttrench (515a, 515b) erstreckt, auf dem Halbleiterkörper (505) an der zweiten Seite (517) ausgebildet ist.

公开(公告)号：DE102018122739A1

公开(公告)日：2020-03-19

申请号：DE102018122739

申请日：2018-09-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst einen Halbleiterkörper (102), der eine erste Oberfläche (104) aufweist. Ein erster Graben (106) erstreckt sich entlang einer vertikalen Richtung (y) in den Halbleiterkörper (102). Die Halbleitervorrichtung umfasst zudem eine erste Zwischenschicht (108) im ersten Graben (106) sowie eine erste Dotierstoffquelle (110) im ersten Graben (106). Die erste Zwischenschicht (108) ist zwischen der ersten Dotierstoffquelle (110) und dem Halbleiterkörper (102) angeordnet und die erste Dotierstoffquelle (110) weist eine erste Dotierstoffspezies auf. Die Halbleitervorrichtung umfasst zudem ein Halbleitergebiet (112), das mit der ersten Dotierstoffspezies dotiert ist und das den ersten Graben (106) zumindest in einer Tiefe (t) im Halbleiterkörper (102) vollständig umgibt und an den ersten Graben (106) angrenzt.

公开(公告)号：DE102017107020B3

公开(公告)日：2018-07-05

申请号：DE102017107020

申请日：2017-03-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  BACH KARL-HEINZ ,  KAMPEN CHRISTIAN ,  ZUNDEL MARKUS ,  KOTZ DIETMAR ,  WOOD ANDREW

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/36

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst einen Halbleiterkörper mit einem Halbleitersubstrat eines ersten Leitfähigkeitstyps und einer Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps auf dem Halbleitersubstrat. Von einer ersten Oberfläche aus erstreckt sich eine Grabenstruktur in den Halbleiterkörper. Die Grabenstruktur umfasst eine Gateelektrode und zumindest eine Feldelektrode, die zwischen der Gateelektrode und einer Bodenseite der Grabenstruktur angeordnet ist. Ein Bodygebiet des zweiten Leitfähigkeitstyps grenzt an die Grabenstruktur. Das Bodygebiet erstreckt sich von einem Transistorzellengebiet lateral in ein Randabschlussgebiet. Ein pn-Übergang ist zwischen dem Bodygebiet und der Halbleiterschicht. Eine Dotierungskonzentration des Bodygebiets und/oder der Halbleiterschicht ist an einem lateralen Ende des pn-Übergangs in dem Randabschlussgebiet verringert verglichen mit einer Dotierungskonzentration des Bodygebiets und/oder der Halbleiterschicht an dem pn-Übergang im Transistorzellengebiet.

公开(公告)号：DE102012110133B4

公开(公告)日：2018-06-28

申请号：DE102012110133

申请日：2012-10-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GRUBER HERMANN ,  GROSS THOMAS ,  MEISER ANDREAS ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/301 ,  H01L21/336 ,  H01L21/78 ,  H01L23/482

Abstract: Verfahren zum Ausbilden eines Halbleiterbauelements (100), das Folgendes umfasst:- Bereitstellen eines Wafer (40), der Folgendes umfasst:- ein Halbleitersubstrat (30) mit einer ersten Seite (15) und einer zweiten Seite (16), die gegenüber der ersten Seite (15) angeordnet ist; und- ein Dielektrikumsgebiet (7) auf der ersten Seite (15);- Ausbilden eines weiteren Dielektrikumsgebiets (8) auf der ersten Seite (15);- Montieren des Wafer (40) mit der ersten Seite (15) auf ein Trägersystem (50);- Ätzen eines tiefen vertikalen Grabens (19) von der zweiten Seite (16) durch das Halbleitersubstrat (30) zu dem Dielektrikumsgebiet (7), wodurch ein Halbleitermesagebiet (30a) von dem verbleibenden Halbleitersubstrat (30) isoliert wird;- Ätzen eines Trenngrabens (19a) durch das Halbleitersubstrat (30) bis mindestens nahe an das weitere Dielektrikumsgebiet (8);- Maskieren des Trenngrabens (19a); und- Füllen des tiefen vertikalen Grabens (19) mit einem Dielektrikumsmaterial (6) nach dem Maskieren des Trenngrabens (19a).

公开(公告)号：DE102008063208B4

公开(公告)日：2016-09-22

申请号：DE102008063208

申请日：2008-12-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： VON BORCKE MATHIAS ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L23/62

Abstract: Halbleiterbauelement, aufweisend: – ein Halbleitersubstrat (2, 81); – mindestens einen in dem Halbleitersubstrat (2, 81) angeordneten pn-Übergang (36, 89); – mindestens eine mindestens neben einem Teil des pn-Übergangs (36, 89) angeordnete Feldelektrode (22, 90), wobei die Feldelektrode (22, 90) von dem Halbleitersubstrat (2, 81) isoliert ist; und – ein elektrisch mit der Feldelektrode (22, 90) verbundenes Schaltelement (60, 93), das dafür ausgelegt ist, selektiv und dynamisch ein erstes elektrisches Potential oder ein zweites elektrisches Potential, das von dem ersten elektrischen Potential verschieden ist, an die Feldelektrode (22, 90) anzulegen, um Lawinendurchbrucheigenschaften des pn-Übergangs zu verändern, – wobei das Schaltelement (60, 93) einen mit der Feldelektrode (22, 90) verbundenen Ausgangsanschluss (63, 91), einen ersten Eingangsanschluss (61, 94) zum Verbinden mit dem ersten elektrischen Potential und einen zweiten Eingangsanschluss (62, 95) zum Verbinden mit dem zweiten elektrischen Potential aufweist.