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1.
公开(公告)号:DE102017215381A1
公开(公告)日:2019-03-07
申请号:DE102017215381
申请日:2017-09-01
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: DEHE ALFONS , METZGER-BRUECKL GERHARD , STRASSER JOHANN , WAGNER JUERGEN , WALTHER ARNAUD
Abstract: Herstellungsverfahren (100) für ein Doppelmembran-MEMS-Bauelement (200), mit folgenden Schritten: Bereitstellen (120) einer Schichtanordnung auf einem Trägersubstrat (222), wobei die Schichtanordnung (220) eine erste Membranstruktur (224), eine Opfermaterialschicht (226) angrenzend an die erste Membranstruktur (224) und eine Gegenelektrodenstruktur (228) in der Opfermaterialschicht (226) und beabstandet von der ersten Membranstruktur (224) aufweist, wobei in der Opfermaterialschicht (226) zumindest eine Durchgangsöffnung (230-n) bis zu der ersten Membranstruktur (224) und getrennt von der Gegenelektrodenstruktur (228) gebildet ist, Bilden (140) einer Füllmaterialstruktur (240) in der Durchgangsöffnung (230-n) durch Aufbringen einer ersten Füllmaterialschicht (242) an dem Wandbereich (230-A) der Durchgangsöffnung (230-n), um einen Innenvolumenbereich (244) in der Durchgangsöffnung (230-n) angrenzend an die erste Füllmaterialschicht zu erhalten, strukturiertes Aufbringen (160) einer zweiten Membranstruktur (250) auf der Schichtanordnung (220) mit dem Opfermaterial (226) und der Füllmaterialstruktur (240), um den Innenvolumenbereich (244) hermetisch abzuschließen, wobei die Gegenelektrodenstruktur (228) in einem mit dem Opfermaterial (226) gefüllten Zwischenbereich (238) zwischen der ersten und zweiten Membranstruktur (224, 250) und jeweils von denselben beabstandet angeordnet ist, und Entfernen (180) des Opfermaterials (226) aus dem Zwischenbereich (238), um die Füllmaterialstruktur (240) in dem Zwischenbereich (238) freizulegen, um zumindest ein mechanisches Verbindungselement (240) zwischen der ersten und zweiten Membranstruktur (224, 250) zu erhalten, das zwischen die erste und zweite Membranstruktur (224, 250) mechanisch gekoppelt und von der Gegenelektrodenstruktur (228) mechanisch entkoppelt ist.
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2.
公开(公告)号:DE102017215381B4
公开(公告)日:2022-10-20
申请号:DE102017215381
申请日:2017-09-01
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: DEHE ALFONS , METZGER-BRUECKL GERHARD , STRASSER JOHANN , WAGNER JUERGEN , WALTHER ARNAUD
Abstract: Herstellungsverfahren (100) für ein Doppelmembran-MEMS-Bauelement (200), mit folgenden Schritten:Bereitstellen (120) einer Schichtanordnung (220) auf einem Trägersubstrat (222), wobei die Schichtanordnung (220) eine erste Membranstruktur (224), eine Opfermaterialschicht (226) angrenzend an die erste Membranstruktur (224) und eine Gegenelektrodenstruktur (228) in der Opfermaterialschicht (226) und beabstandet von der ersten Membranstruktur (224) aufweist, wobei in der Opfermaterialschicht (226) zumindest eine Durchgangsöffnung (230-1, ..., 230-n) bis zu der ersten Membranstruktur (224) und getrennt von der Gegenelektrodenstruktur (228) gebildet ist,Bilden (140) einer Füllmaterialstruktur (240) in der Durchgangsöffnung (230-n)durch Aufbringen einer ersten Füllmaterialschicht (242) an dem Wandbereich (230-A) der Durchgangsöffnung (230-n), um eine als Wandbereich der Füllmaterialstruktur (240) ausgebildete Füllmaterialschicht (242) zu erhalten, die einen Innenvolumenbereich (244) in der Füllmaterialstruktur (240) bildet, unddurch Einbringen eines zweiten Füllmaterials (246) in den Innenvolumenbereich (244), um die Füllmaterialstruktur (240) zu erhalten, wobei das zweite Füllmaterial (246) unterschiedlich zu dem ersten Füllmaterial ist,strukturiertes Aufbringen (160) einer zweiten Membranstruktur (250) auf der Schichtanordnung (220) mit dem Opfermaterial (226) und der Füllmaterialstruktur (240), um den Innenvolumenbereich (244) hermetisch abzuschließen, wobei die Gegenelektrodenstruktur (228) in einem mit dem Opfermaterial (226) gefüllten Zwischenbereich (238) zwischen der ersten und zweiten Membranstruktur (224, 250) und jeweils von denselben beabstandet angeordnet ist, undEntfernen (180) des Opfermaterials (226) aus dem Zwischenbereich (238), um die Füllmaterialstruktur (240) in dem Zwischenbereich (238) freizulegen, um zumindest ein mechanisches Verbindungselement (240) zwischen der ersten und zweiten Membranstruktur (224, 250) zu erhalten, das zwischen die erste und zweite Membranstruktur (224, 250) mechanisch gekoppelt und von der Gegenelektrodenstruktur (228) mechanisch entkoppelt ist.
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